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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110263440.2有效
发明人：朱慧珑;尹海洲;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括：半导体基底；依次形成在半导体基底上的第一绝缘材料层、第一导电材料层、第二绝缘材料层、第二导电材料层、绝缘埋层；结合在绝缘埋层上的半导体层；形成在半导体层上的晶体管，晶体管的沟道区均形成于半导体层中且均具有由第二导电材料层构成的背栅；覆盖半导体层以及晶体管的介质层；用于至少将每一个晶体管与相邻晶体管电隔离的隔离结构，隔离结构的顶部与半导体层的上表面齐平或略高，且底部位于第二绝缘材料层中；以及贯穿介质层并向下延伸到第一导电材料层中的导电接触
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种太阳能电池-CN03139914.2有效
发明人：黄全德;黄文正 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2003-07-19 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：为解决现有技术的染料敏化太阳能电池中染料与半导体材料的浸润性差、光电转换效率低的问题，本发明提供一种太阳能电池，包括一第一电极、一电解质和一第二电极，该第一电极包括一导电基片、一半导体材料层及一光敏化剂层，其中：半导体材料层形成于导电基片上，包括多个半导体管；光敏化剂层形成于半导体材料层上。本发明提供一种太阳能电池电极，包括一导电基片、一半导体材料层和一光敏化剂层，其中：半导体材料层形成于导电基片上，包括多个半导体管；光敏化剂层形成于半导体材料层上。
一种太阳能电池

[发明专利]一种水平结构沟槽肖特基半导体装置及其制备方法-CN201910852593.7在审
发明人：郭志宏 -专利权人：大同新成新材料股份有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平结构沟槽肖特基半导体装置及其制备方法，包括衬底层和电荷补偿结构，所述衬底层下侧为下表面金属层，下表面金属层位于底层，衬底层位于下表面金属层上方，所述衬底层为半导体材料构成，所述衬底层相邻的位置设置有电荷补偿结构，所述电荷补偿结构设置在衬底层上方的位置，所述电荷补偿结构包括第一导电半导体材料和第二导电半导体材料，所述电荷补偿结构为若干组第一导电半导体材料和第二导电半导体材料间隔依次排列的结构，二氧化硅位于第二导电半导体材料的上表面该水平结构沟槽肖特基半导体装置及其制备方法，提高了器件的正向导通或反向阻断特性，适合普遍推广使用。
衬底层导电半导体材料电荷补偿下表面金属层半导体装置水平结构肖特基制备半导体材料二氧化硅反向阻断结构设置依次排列正向导通上表面

[发明专利]半导体装置、半导体系统以及形成半导体装置的方法-CN201610404516.1有效
发明人： E·菲尔古特;J·赫格尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、半导体系统以及形成半导体装置的方法。提供了一种半导体装置。该半导体装置可以包括：具有表面的导电板；多个功率半导体器件，其布置在导电板的表面上，其中，该多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的第一受控端均可以电耦合至导电板；多个导电块，其中，每个导电块与该多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的相应的第二受控端电耦合；以及封装材料，其封装该多个功率半导体器件，其中，导电板的表面的至少一个边缘区域可以未被封装材料所封装。
半导体装置系统以及形成方法

[发明专利]半导体元件-CN202010074465.7在审
发明人：林时彦;陈冠超;陈璿安;李伦铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件，包含基板、半导体二维材料层、导电二维材料层、栅极介电层，及栅极电极。半导体二维材料层配置于基板上方。导电二维材料层沿着半导体二维材料层延伸，其中导电二维材料层包含四族元素。栅极介电层沿着半导体二维材料层的沟道区域延伸。栅极电极配置于栅极介电层上。
半导体元件

[发明专利]使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法-CN201580074395.2有效
发明人：方圭铉 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种显示装置包括：在布线基板上的多个半导体发光器件；在布线基板上的连接部，该连接部被配置为将所述多个半导体发光器件电连接至布线基板。另外，所述多个半导体发光器件中的每一个包括：第一导电半导体层；与第一导电半导体层交叠的第二导电半导体层；在第一导电半导体层上的第一导电电极；以及在第二导电半导体层上的第二导电电极。另外，连接部包括由与第一导电电极相同的材料形成的第一导电层以及由与第二导电电极相同的材料形成的第二导电层。
使用半导体发光器件显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构与微型半导体显示设备-CN201910645761.5在审
发明人：杨翔甯;吴志凌;苏义闵;吴柏威 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构与微型半导体显示设备，所述半导体结构包括一基板、多个微型半导体组件以及一固定结构。微型半导体组件设置于基板上。固定结构设置于基板与微型半导体组件之间。固定结构包括多个导电层及多个支撑层。导电层设置于微型半导体组件的下表面上。支撑层连接于导电层与基板。导电层的材料与支撑层的材料不同。
半导体结构微型显示设备

[发明专利]一种背电极太阳能电池及其制备方法-CN202110055640.2在审
发明人：杨武保 -专利权人：安世亚太科技股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极太阳能电池，包括本征半导体材料基片、半导体膜层、梯度过渡区和导电电极膜层；所述本征半导体材料基片受光面经过陷光与增透表面处理；所述半导体膜层位于所述本征半导体材料基片背光面，所述半导体膜层为相互绝缘的P型半导体膜层和N型半导体膜层；所述半导体膜层和所述导电电极膜层之间为梯度过渡区，所述梯度过渡区的材料为所述半导体膜层材料与所述导电电极膜层材料的混合物，并且所述导电电极膜层材料的含量从所述半导体膜层到所述导电电极膜层逐渐增加
一种电极太阳能电池及其制备方法

[发明专利]制造半导体器件的方法、半导体器件和半导体器件的分类-CN202210951094.5在审
发明人： M·马佐拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法、半导体器件和半导体器件的分类。一种半导体器件包括预模制的引线框安装衬底。衬底包括裸片焊盘(被配置为在其上安装有半导体裸片)以及第一导电焊盘和第二导电焊盘。绝缘材料条被模制在第一导电焊盘与第二导电焊盘之间以提供相互电绝缘，并且在纵向方向上延伸，第一导电焊盘和第二导电焊盘位于绝缘材料条的相对侧。半导体裸片被布置在裸片焊盘上与绝缘材料条配准。与绝缘材料条配准地延伸的单条导电带将半导体裸片与第一导电焊盘和第二导电焊盘电耦合，以提供从半导体裸片朝向第一导电焊盘和第二导电焊盘的公共电流路径。
制造半导体器件方法分类

[发明专利]一种基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置-CN202210099708.1在审
发明人：刘翡琼 -专利权人：刘翡琼
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明涉及交变磁场探测领域，具体涉及一种基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，包括衬底层、导电金属层、光敏半导体层、透明导电材料层、四氧化三铁颗粒，导电金属层置于衬底层上，光敏半导体层置于导电金属层上，透明导电材料层置于光敏半导体层上，导电金属层的功函数高，透明导电材料层的功函数低，四氧化三铁颗粒与光敏半导体层接触。应用时，导电金属层和透明导电材料层分别通过电极连接外电路，用以测量导电金属层和透明导电材料层之间的电流；同时，应用光照射光敏半导体层。本发明具有交变磁场探测灵敏度高的优点。
一种基于光敏半导体材料磁场探测装置

[发明专利]紫外半导体发光器件-CN201811521399.2在审
发明人：朴永焕;金美贤;徐钟旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。
半导体层源层第一导电类型导电类型绝缘体填充半导体堆叠紫外半导体第二电极第一电极发光器件半导体材料绝缘体填充绝缘材料折射率延伸

[发明专利]一种超结肖特基半导体装置及其制备方法-CN201210028161.2无效
发明人：盛况;朱江 -专利权人：盛况;朱江
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，第二导电半导体材料与第一导电半导体材料可以形成电荷补偿，形成超结结构，提高器件的反向击穿电压，因为超结结构的存在，从而可以提高漂移区的杂质掺杂浓度，也可以降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性；同时当半导体装置接一定的正向向偏压时，第一类型肖特基势垒结(假定第一导电半导体材料层为N型半导体材料)为正向偏压导通，第二类型肖特基势垒结(假定第二导电半导体材料层为P型半导体材料)为反向偏压截止状态，因此器件在正向导通时仍为单个载流子的导电的器件，单个载流子导电的器件不存在少子注入，器件具有良好的开关特性。本发明还提供了一种超结肖特基半导体装置的制备方法。
一种超结肖特基半导体装置及其制备方法

[发明专利]紫外半导体发光器件-CN201210488183.7有效
发明人：金载焄 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外半导体发光器件，其包括第一导电半导体层；在第一导电半导体层下方的有源层；在有源层下方的第一反射层；以及在第一反射层下方的第二导电半导体层。第一反射层包括多个化合物半导体层。化合物半导体层包括至少两种半导体材料。所述至少两种半导体材料的含量彼此不同。
紫外半导体发光器件

[发明专利]发光器件-CN201510292481.2有效
发明人：文智炯;李尚烈;朴范斗;金青松;朴相绿;郑炳学;李泰庸 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：公开了一种发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，与第一导电半导体层电连接的第一电极，发光结构下的镜层，镜层和发光结构之间的窗口半导体层，镜层下的反射层，位于反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层，以及反射层下的导电支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有较高掺杂浓度的C掺杂的P基半导体。导电接触层包括与具有比窗口半导体层的厚度薄的厚度的镜层的材料不同的材料。
发光器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210207951.0在审
发明人：陈振平;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板，基板包含一半导体材料。半导体装置包括晶体管的导电通道，晶体管的导电通道设置在基板上方。导电通道及基板包含类似的半导体材料。半导体装置包括从导电通道的一端延伸出来的源极/漏极区。半导体装置包括介电结构。源极/漏极区电性耦接至导电通道，并通过介电结构与基板电性隔离。
半导体装置及其制造方法