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[发明专利]半导体器件以及包括半导体器件的显示装置-CN201780018370.X有效
发明人：朴鲜雨;韩明浩;赵炫旻;宋俊午;金青松;文智炯;李尚烈 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：实施例公开了一种半导体器件，包括：发光结构，包括：第一导电型半导体层；多个有源层，设置为在所述第一导电型半导体层上彼此间隔开；以及多个第二导电型半导体层，分别设置在所述多个有源层上；第一电极，电连接到所述第一导电型半导体层；以及多个第二电极，分别电连接到所述多个第二导电型半导体层，其中：所述多个有源层包括：第一有源层、第二有源层和第三有源层；所述发光结构包括：第一发光部，包括所述第一有源层；第二发光部，包括所述第二有源层；以及第三发光部，包括所述第三有源层；所述第一有源层发出蓝色波长带的光，所述第二有源层发出绿色波长带的光；以及所述第二有源层的高度与所述第一有源层的高度不同。
半导体器件以及包括显示装置

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的显示装置-CN201780072900.9有效
发明人：李尚烈;金青松;文智炯;朴鲜雨;赵炫旻 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一个实施例公开了一种半导体器件，包括：多个发光单元；多个波长转换层，分别设置在所述多个发光单元上；分隔件，设置在所述多个发光单元之间和所述多个波长转换层之间；多个滤色器，分别设置在所述多个波长转换层上；以及黑矩阵，设置在所述多个滤色器之间。
半导体器件包括显示装置

[发明专利]发光元件、包括发光元件的发光元件封装和包括发光元件封装的发光装置-CN201680048664.2有效
发明人： 文智炯;林祐湜 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据实施例的一种发光元件包括：衬底；发光结构，其包括在衬底上相继地布置的第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；以及第一和第二电极，其分别地电连接到第一和第二导电半导体层，其中第一电极包括至少一个第一接触部分和多个第二接触部分，所述至少一个第一接触部分布置在暴露于发光结构的第一区域的至少一部分的第一导电半导体层上并且连接到第一导电半导体层，所述多个第二接触部分连接到在一个平面上在比发光结构的第一区域更加靠近内侧定位的第二区域中暴露的第一导电半导体层，并且第二电极包括布置在发光结构的第二区域中并且连接到第二导电半导体层的第三接触部。
发光元件包括封装装置

[发明专利]半导体器件-CN201780034118.8有效
发明人：李尚烈;金青松;文智炯;朴鲜雨;宋俊午 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：根据一个实施例的半导体器件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，并包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在第二导电型半导体层上，并电连接到漏电极和第二导电型半导体层；第一接合焊盘，设置在发光结构上，并电连接到第一导电型半导体层；第二接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到源电极；以及第三接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到栅电极。
半导体器件

[发明专利]发光器件-CN201680042300.3有效
发明人： 文智炯 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：根据一个实施例的发光器件包括：衬底；被布置在衬底上以彼此间隔开的多个发光单体；以及被构造成将相邻的发光单体电互连的连接线，其中多个发光单体中的每一个发光单体包括：发光结构，发光结构包括布置在衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；以及第一电极和第二电极，第一电极和第二电极被构造成分别电连接到第一半导体层和第二半导体层，其中多个发光单体包括：第一电力单体，该第一电力单体被构造成经由第一电极接收第一电力；和第二电力单体，该第二电力单体被构造成经由第二电极接收第二电力，并且其中第一电力单体中的第一电极具有与第二电力单体中的第二电极的第二平面形状不同的第一平面形状。
发光器件

[发明专利]发光元件-CN201680029225.7有效
发明人：成演准;文智炯;朴修益 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：实施例涉及能够降低驱动电压并改善光输出的发光元件，该发光元件包括：支撑衬底；发光结构，布置在支撑衬底上，并且包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个连接槽，包括通过去除发光结构而露出第二半导体层的底表面以及露出第一半导体层、有源层和第二半导体层的侧表面；第一电极，布置在发光结构上，以接触第一半导体层，第一电极包括第一电极图案和第二电极图案，第一电极图案具有延伸到连接槽外围的端部，第二电极图案布置在第一电极图案上；接触电极，延伸到第一半导体层的上表面，以包围连接槽的底表面和侧表面；第二电极，包括连接到多个接触电极的接合电极；以及绝缘图案，布置在第一电极和第二电极之间。
发光元件

[发明专利]发光器件和包括发光器件的发光器件封装-CN201510005574.2有效
发明人： 文智炯;金省均;罗珉圭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种发光器件，包括衬底；多个发光单元，布置在所述衬底上；至少一个连接电极，用于连接所述发光单元；以及第一绝缘层，布置在由所述连接电极连接的相邻发光单元与所述连接电极之间，其中每个所述发光单元包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；以及布置在所述第二导电型半导体层上的反射层，其中所述连接电极将一个所述相邻发光单元的第一导电型半导体层连接到另一个所述相邻发光单元的所述反射层，并且在第一方向上所述第二导电型半导体层的第一宽度等于或大于在第一方向上所述反射层的第二宽度，并且所述第一方向不同于所述发光结构的厚度方向。
发光器件包括封装

[发明专利]发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及包括发光器件封装的发光装置-CN201580056412.X有效
发明人：金省均;金青松;文智炯 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：根据实施例的发光器件包括：衬底；第一发光单元至第M发光单元，布置在所述衬底上，彼此间隔开(其中M是2或大于2的正整数)；第一至第M‑1互连线，配置为将所述第一发光单元至第M发光单元串联连接；其中第m(其中1≤m≤M)发光单元包括顺序布置在所述衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；其中第n(其中1≤n≤M‑1)互连线将第n发光单元的第一导电类型半导体层连接到第n+1发光单元的第二导电类型半导体层，第n互连线包括彼此间隔开的多个第一分支线。
发光器件包括封装以及装置

[发明专利]发光器件和照明系统-CN201510006933.6有效
发明人： 文智炯;金明洙;金青松 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件和照明系统。公开一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。发光器件可以包括：衬底；在衬底上的第一导电半导体层；在第一导电半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的欧姆层；在欧姆层上的绝缘层；第一分支电极，该第一分支电极电连接第一导电半导体层；第一焊盘电极，该第一焊盘电极连接第一分支电极，用于与第二导电半导体层的电连接；第二焊盘电极，该第二焊盘电极穿过绝缘层接触欧姆层；第二分支电极，该第二分支电极连接在绝缘层上的第二焊盘电极；以及第二贯通电极，该第二贯通电极穿过绝缘层以将第二分支电极与欧姆层连接。
发光器件照明系统

[发明专利]发光器件-CN201510292481.2有效
发明人： 文智炯;李尚烈;朴范斗;金青松;朴相绿;郑炳学;李泰庸 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件。公开了一种发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，与第一导电半导体层电连接的第一电极，发光结构下的镜层，镜层和发光结构之间的窗口半导体层，镜层下的反射层，位于反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层，以及反射层下的导电支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有较高掺杂浓度的C掺杂的P基半导体。导电接触层包括与具有比窗口半导体层的厚度薄的厚度的镜层的材料不同的材料。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN201410327733.6有效
发明人： 文智炯 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种发光器件。所述发光器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方的有源层和在所述有源层下方的第二导电半导体层；多个第一电极，布置在所述发光结构下方并且穿过所述第二导电半导体层、所述有源层、以及所述第一导电半导体层的一部分而电连接到所述第一导电半导体层；第二电极，布置在所述发光结构下方以电连接到所述第二导电半导体层；第一绝缘层，围绕所述第一电极布置以使所述第一电极和所述第二电极绝缘；接合层，穿过所述第一电极和所述第一绝缘层电连接到所述第二电极；以及第二绝缘层，围绕所述接合层。该发光器件的空穴的扩散得以改善，使得可以提高发光器件的效率。
发光器件

[发明专利]发光器件和发光器件封装-CN201610006429.0有效
发明人：丁焕熙;李尚烈;文智炯;宋俊午;崔光基 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了发光器件和发光器件封装。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电半导体层；粘附层，该粘附层接触第一导电半导体层的顶表面；第一电极，该第一电极接触第一导电半导体的顶表面和粘附层的顶表面；以及第二电极，该第二电极接触第二导电半导体层，其中接触第一电极的粘附层与第二电极隔开。
发光器件封装

[发明专利]发光器件和发光器件封装件-CN201310145342.8有效
发明人： 文智炯 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：公开了发光器件和发光器件封装件。发光器件包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、在有源层上的第二导电半导体层、在有源层和第二导电半导体层之间的第三半导体层以及在第二导电半导体层上的光提取结构。第三半导体层的顶表面具有Ga面。
发光器件封装

[发明专利]发光器件和具有发光器件的发光器件封装-CN201110036293.5有效
发明人：丁焕熙;李尚烈;文智炯;宋俊午;崔光基 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件和具有发光器件的发光器件封装。发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电半导体层；电极层，该电极层在第二导电半导体层下面；电极，该电极包括与第一导电半导体层的底表面的一部分接触的顶表面；以及绝缘构件，该绝缘构件用于覆盖电极的外围表面，其中，绝缘构件的一部分从电极的底表面延伸到第二导电半导体层和电极层之间的区域。
发光器件具有封装

[发明专利]发光器件、发光器件封装件以及包括其的照明装置-CN201210171651.8有效
发明人： 文智炯;李尚烈;郑泳奎 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件。所公开的发光器件包括包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构，设置在发光结构下并且电连接至第二导电型半导体层的第二电极层，第一电极层，包括设置在第二电极层下的主电极、以及从主电极分支出的并且延伸穿过第二电极层、第二导电型半导体层和有源层以接触第一导电型半导体层的至少一个接触电极；以及介于第一电极层和第二电极层之间、以及第一电极层和发光结构之间的绝缘层。第一导电型半导体层包括第一区域和高度小于第一区域的第二区域，并且第一区域与接触电极交叠。
发光器件封装以及包括照明装置

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