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[发明专利]半导体鳍上的反熔丝-CN201210058939.4有效
发明人：杨筱岚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种器件包括：衬底；隔离区，位于衬底的表面处；以及半导体区，位于隔离区的顶面上方。导电部件被设置在隔离区的顶面上方，其中，导电部件邻近半导体区。介电材料设置在导电部件和半导体区之间。介电材料、导电部件、以及半导体区形成反熔丝。本发明还提供了半导体鳍上的反熔丝。
半导体反熔丝

[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置-CN99801439.7有效
发明人：桥元伸晃 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 1999-06-25 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：使热硬化性的各向异性导电材料16介入到基板12与半导体元件20之间的第1工序；在半导体元件20与基板12之间施加压力和热、使布线图形10与电极22导电性地导通、在各向异性导电材料16从半导体元件20溢出的状态下，在与半导体元件20接触的区域中使各向异性导电材料16硬化的第2工序；以及对各向异性导电材料16的与半导体元件20接触的区域以外的区域进行加热的第3工序。
半导体装置及其制造方法路基电子

[实用新型]半导体器件-CN201821629141.X有效
发明人：戈登·M·格里芙尼亚;S·ST·日尔曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体管芯，所述半导体管芯包括第一半导体材料、形成于所述第一半导体材料上的第二半导体材料以及在所述第二半导体材料上的管芯附接区域；导电层，所述导电层在所述第二半导体材料的表面上，从管芯附接区域内延伸到管芯附接区域外；在所述导电层之上的绝缘层，位于所述管芯附接区域内的绝缘层具有第一开口，位于所述管芯附接区域外的绝缘层具有第二开口；以及互连结构，所述互联结构包括管芯附接区域，其中所述半导体管芯设置在所述互连结构的所述管芯附接区域的上方；其中所述半导体管芯通过所述绝缘层中的所述第一开口电连接到所述导电层。
附接区域管芯半导体材料绝缘层半导体管芯导电层半导体器件互连结构开口本实用新型互联结构电连接延伸

[发明专利]半导体装置-CN202210172772.8在审
发明人：金书正;刘耀闵;苏鸿文;林其锋;纪志坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括绝缘层，其中绝缘层具有通孔开口与导电线路开口。半导体装置还包括通孔位于通孔开口中，其中通孔包括第一导电材料。半导体装置还包括导电线路位于导电线路开口中。导电线路包括第一衬垫层，其中通孔上的第一衬垫层的第一厚度，小于绝缘层上的第一衬垫层的第二厚度；以及导电填充层，包括第二导电材料，且第二导电材料与第一导电材料不同。
半导体装置

[发明专利]形成光子半导体器件的方法和光子系统-CN201910558565.4有效
发明人：张智杰;蔡仲豪;王垂堂;夏兴国;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：方法包括在半导体晶圆中形成多个光子器件，在半导体晶圆的第一侧中形成v形槽，形成延伸穿过半导体晶圆的开口，在开口内形成多个导电部件，其中，导电部件从半导体晶圆的第一侧延伸至半导体晶圆的第二侧，在v形槽上方形成聚合物材料，在开口内沉积模塑材料，其中，多个导电部件的导电部件通过模塑材料分隔开，在沉积模塑材料之后，去除聚合物材料以暴露V形槽，并且将光纤放置在V形凹槽内。本发明的实施例还涉及形成光子半导体器件的方法和光子系统。
形成光子半导体器件方法系统

[发明专利]利用半导体发光元件的显示装置-CN201880096376.3在审
发明人：金定燮;文盛贤;张永鹤;全支那 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明的显示装置具备复数个半导体发光元件，其特征在于，复数个所述半导体发光元件中的至少一个包括：第一导电型电极和第二导电型电极；第一导电型半导体层，所述第一导电型电极配置于所述第一导电型半导体层；第二导电型半导体层，其与所述第一导电型半导体层重叠，所述第二导电型电极配置于所述第二导电型半导体层；活性层，其配置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间；未掺杂(undoped)半导体层，其配置在所述第二导电型半导体层上；以及凸起，其形成在所述未掺杂半导体层上并由能够进行电解研磨(Electro polishing)的多孔材料构成。
利用半导体发光元件显示装置

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN202210554103.7在审
发明人：蔡知松;李周熙;张振赫;全翔镐;金诗圣;李东彦;金炯硕;李种琎 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：用于发光元件的制造方法包括：形成第一半导体结构，第一半导体结构包括：第一半导体材料层，掺杂有第一导电类型掺杂剂并且设置在基础衬底上；发光材料层，设置在第一半导体材料层上；以及第二半导体材料层，设置在发光材料层上并且掺杂有第二导电类型掺杂剂；通过在与基础衬底的表面垂直的方向上蚀刻第一半导体结构，在基础衬底上形成彼此间隔开的多个第二半导体结构；以及激活第二半导体结构的第二半导体材料层中的第二导电类型掺杂剂以形成发光元件芯部。
发光元件及其制造方法

[发明专利]形成具有绝缘环形环的导电TSV的方法和半导体器件-CN201110283422.0有效
发明人： R.A.佩盖拉;B.T.杜;N.苏蒂万森索恩 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及形成具有绝缘环形环的导电TSV的方法和半导体器件。一种半导体晶片具有在晶片的有源表面上形成的绝缘层。在绝缘层上形成导电层。从半导体晶片的背表面通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第一通孔。在第一通孔中沉积导电材料以形成导电TSV。可以在第一通孔中沉积绝缘材料以在导电通孔内形成绝缘芯。在形成导电TSV之后，在导电TSV周围从半导体晶片的背表面通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第二通孔。在第二通孔中沉积绝缘材料以形成绝缘环形环。导电通孔可以凹陷在半导体管芯的表面内或延伸到其之上。
形成具有绝缘环形导电 tsv 方法半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210042432.3在审
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：一种制作半导体器件的方法包括在衬底上形成第一半导体层堆叠。第一半导体层堆叠包括交替的第一半导体条带与第二半导体条带。所述方法还包括移除第一半导体条带，以在第一半导体层堆叠中的第二半导体条带之间形成空隙。所述方法还包括在所述空隙中沉积介电结构层及第一导电填充材料以环绕第二半导体条带。此外，所述方法包括：移除第二半导体条带以形成第二组空隙；以及在所述第二组空隙中沉积第二导电填充材料。在一些实施例中，第一导电填充材料及第二导电填充材料被配置成形成电容器的第一电极及第二电极。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法-CN201910033479.1在审
发明人： F·F·维拉;M·莫里利;M·马彻西;S·D·马里亚尼;F·F·R·托亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法。半导体本体包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路。埋置区域被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处。埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间。导电路径在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。
导电材料层半导体本体半导体裸片埋置电介质层电容器极板埋置电容器电子电路电容器电容器电介质导电路径电气接入位置处制造延伸配置支撑

[发明专利]半导体发光器件-CN201010121587.3无效
发明人：朴炯兆 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-02-20 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括半导体材料的第一载流子阻挡层的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下的有源层；和在所述有源层下的第二导电半导体层。
半导体发光器件

[发明专利]半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构-CN201510120701.3有效
发明人：廖国成;陈家庆;丁一权 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体封装结构，其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入，且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片，且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。
半导体衬底具有封装结构

[发明专利]半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构-CN201711337277.3有效
发明人：廖国成;陈家庆;丁一权 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体封装结构，其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入，且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片，且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。
半导体衬底具有封装结构

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201610018287.X有效
发明人：陈建宏;黄世贤;杨玉如;曾嘉勋;蔡成宗;吴俊元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含有一基底、一包含有一第一导电型态的第一阱区、一包含有一第二导电型态的第二阱区、一第一鳍片结构、以及一第二鳍片结构。该第一导电型态与该第二导电型态彼此互补。该基底包含有一第一半导体材料，该第一鳍片结构与该第二鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该第一鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第一浓度，该第二鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第二浓度，且该第二浓度大于该第一浓度。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]具有邻近导电掺杂第二半导体材料的多晶第一半导体材料的集成组合件-CN202080018557.1在审
发明人： K·M·考尔道;D·C·潘迪;刘海涛;R·J·希尔;黄广宇;高云飞;R·甘地;S·E·西利士 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组合件，其具有多晶第一半导体材料且具有直接邻近于所述多晶第一半导体材料的第二半导体材料。所述第二半导体材料具有不同于所述多晶第一半导体材料的成分。导电性增强掺杂剂在所述第二半导体材料内。所述导电性增强掺杂剂相对于所述多晶第一半导体材料是中性类型掺杂剂。电栅极邻近于所述多晶第一半导体材料的区，并且经配置以在所述多晶第一半导体材料的所述区内感应电场。所述栅极不邻近于所述第二半导体材料。
具有邻近导电掺杂第二半导体材料多晶第一集成组合