“导电半导体材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2772354个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610090319.7在审
发明人：杨天中;黄麟智;陈宪伟;苏安治;黄立贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的导电焊盘以及位于导电焊盘上方的导体。半导体器件还具有设置在半导体衬底上方并环绕导体的聚合材料。半导体器件还包括位于导体和聚合材料之间的导电层。在半导体器件中，导电层和聚合材料之间的粘合强度大于聚合材料和导体之间的粘合强度。本发明还提供了半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构制造方法-CN202110023698.9在审
发明人：廖俊钦;杜孟达 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构制造方法，包括以下流程。提供半导体基板。在半导体基板上形成第一通道，其中通道从半导体基板的表面延伸至半导体基板的内部。在第一通道内填充第一导电材料。差异地研磨半导体基板以及第一导电材料，以使第一导电材料凸出于半导体基板。平坦化第一导电材料与半导体基板的表面，以使第一导电材料的顶面与半导体基板的表面齐平。如此，形成的用于互连的导电材料的裸露表面能够均匀，有利于后续的键合。
半导体结构制造方法

[实用新型]半导体产品和堆叠的半导体设备-CN202120242071.8有效
发明人： F·V·丰塔纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：实施例公开了半导体产品和堆叠的半导体设备。一种半导体产品，包括嵌入具有前表面的半导体管芯的半导体管芯封装模塑材料的层和围绕半导体管芯的诸如球体或球的导电体的阵列。导电体具有围绕半导体管芯的前表面的前端部分和从半导体管芯封装模塑材料的层突出的后端部分。在未被封装模塑材料覆盖的半导体管芯的前表面和导电体的前端部分之间设置导电构造。可在导电结构处设置透光密封材料，以便于经由通过透光密封材料的视觉检查来检查导电结构。
半导体产品堆叠半导体设备

[发明专利]包含非导电半导体材料及导电半导体材料的集成组合件及形成集成组合件的方法-CN201980027067.5在审
发明人： D·C·潘迪;李时雨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：非导电半导体材料在所述中介区上方。开口延伸穿过所述非导电半导体材料到所述数字线接触区。导电半导体材料互连件在所述开口内且与所述数字线接触区耦合。所述导电半导体材料互连件的上表面在所述非导电半导体材料的下表面之下。含金属数字线在所述非导电半导体材料上方。导电区从所述含金属数字线向下延伸以与所述导电半导体材料互连件耦合。
包含导电半导体材料集成组合形成方法

[发明专利]制造半导体产品的方法、半导体产品、设备和测试方法-CN202110118627.7在审
发明人： F·V·丰塔纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开的实施例公开了制造半导体产品的方法、半导体产品、设备和测试方法。一种半导体产品，包括嵌入具有前表面的半导体管芯的半导体管芯封装模塑材料的层和围绕半导体管芯的诸如球体或球的导电体的阵列。导电体具有围绕半导体管芯的前表面的前端部分和从半导体管芯封装模塑材料的层突出的后端部分。在未被封装模塑材料覆盖的半导体管芯的前表面和导电体的前端部分之间设置导电构造。可在导电结构处设置透光密封材料，以便于经由通过透光密封材料的视觉检查来检查导电结构。
制造半导体产品方法设备测试

[发明专利]半导体装置中的单片导电柱及相关联方法-CN202310092991.X在审
发明人：周卫;K·K·柯比;B·K·施特雷特;K·R·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及半导体装置中的单片导电柱及相关联方法。本文公开具有单片导电柱的半导体装置及相关联系统及方法。所述半导体装置能够包含半导体裸片及模制材料。所述半导体裸片能够具有半导体衬底、导电垫、开口、非导电衬垫及非导电材料的插塞。所述导电垫能够在所述半导体衬底的表面处。所述开口能够从所述导电垫延伸穿过所述半导体衬底到第二表面且界定侧壁。第二开口能够穿过所述半导体装置及所述开口及镀覆在其中的导电材料形成。所述模制材料能够横向邻近于所述半导体裸片。
半导体装置中的单片导电相关方法

[发明专利]一种沟槽MOS结构半导体装置及其制备方法-CN201110098224.7无效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽MOS结构半导体装置，沟槽内壁生长有栅氧，沟槽内填充有栅极介子；沟槽之间半导体材料整个上部设置有第一导电半导体材料体区；在第一导电半导体材料体区下部为第二导电半导体材料漏区；沟槽边侧体区内上部设置有第二导电半导体材料源区；在沟槽边侧体区内，源区下部漏区上部设置有第二导电半导体材料无源区；本发明还提供一种沟槽MOS结构半导体装置的制备方法，应用本发明的半导体装置的制备方法制造超级势垒整流器，可以优化器件的电参数。
一种沟槽 mos 结构半导体装置及其制备方法

[实用新型]利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构-CN200920271437.3有效
发明人：童钧彦;陈坤贤;王凯莹;沈宜蓁;翁宏达 -专利权人：璟茂科技股份有限公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型为一种利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻接金属层的表面内部形成有多个呈线状排列的第二导电性材料区域，该第二导电性材料区域可在第一导电性材料半导体基板内形成空乏区，由此空乏区能减少萧特基二极管的漏电面积，进而降低其逆向漏电流及顺向压降；前述第一导电性材料为P型半导体时，第二导电性材料即为N型半导体，反之，第一导电性材料为N型半导体时，第二导电性材料即为P型半导体。
利用产生空乏降低逆向漏电萧特基二极管结构

[实用新型]可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构-CN200920271446.2有效
发明人：童钧彦;陈坤贤;王凯莹;沈宜蓁;翁宏达 -专利权人：璟茂科技股份有限公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型一种可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体基板与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻接金属层的表面内部形成有多个呈点状排列的第二导电性材料区域，该第二导电性材料区域可在第一导电性材料半导体基板内形成空乏区，由此空乏区能减少萧特基二极管的漏电面积，进而降低其逆向漏电流及顺向压降；前述第一导电性材料为P型半导体时，第二导电性材料即为N型半导体，反之，第一导电性材料为N型半导体时，第二导电性材料即为P型半导体。
减少逆向漏电具有萧特基二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201110439469.1无效
发明人：刘正毓;张正杰;刘晏硕;林治民;刘嘉修 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管结构，包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、一有源层、一第一导电层、一导电材料层及一第二导电层。第二型半导体层配置于第一型半导体层上。有源层配置于第一型半导体层上，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一导电层配置且电性连接在第一型半导体层上。导电材料层配置且电性连接在第二型半导体层上。导电材料层至少具有一第一厚度区域及一第二厚度区域，其中第一厚度区域的厚度大于第二厚度区域的厚度。第二导电层配置于且电性连接于导电材料层上。第二导电层位于导电材料层的第二厚度区域上。
发光二极管结构

[实用新型]晶片级直立式的二极管封装结构-CN200820137176.1无效
发明人：汪秉龙;萧松益;陈政吉 -专利权人：宏齐科技股份有限公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种晶片级直立式的二极管封装结构，该封装结构包括：一第一型半导体材料层、一第二型半导体材料层、一绝缘单元、一第一导电结构及一第二导电结构。第二型半导体材料层连接于第一型半导体材料层的一表面。绝缘单元环绕包覆第一型半导体材料层的周围及第二型半导体材料层的周围。第一导电结构成形于第一型半导体材料层的表面上及绝缘单元的一侧边上。第二导电结构成形于第二型半导体材料层的表面上及绝缘单元的另外一相反侧边上。通过绝缘单元、第一导电结构及第二导电结构，以将第一型半导体材料层及第二型半导体材料层全部包覆。本实用新型大大降低了材料成本及加工成本。
晶片立式二极管封装结构

[发明专利]半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体小片-CN201811005406.3有效
发明人：朱宏斌;曾清林;D·奥斯特贝格;M·L·卡尔森;G·A·哈勒;J·亚当斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体裸片。半导体装置包含半导体裸片，所述半导体裸片在半导体材料的衬底上方包括集成电路。第一裸片环包括至少部分地环绕所述集成电路的一或多种导电材料，所述一或多种导电材料包括从邻近所述衬底的表面处到所述半导体裸片的暴露表面的导电路径。第二裸片环包括导电材料且围绕所述第一裸片环安置。第一导电互连件将所述第一裸片环电连接到第二裸片环。公开相关半导体装置和半导体小片。
半导体装置裸片环之间包含导电互连小片

[发明专利]具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法-CN202080001200.2在审
发明人：张安邦;黄敬源;李浩;郑浩宁;王剑 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：半导体异质结构层和导电结构。半导体异质结构(heterostructure)层，其包含交替的第一半导体材料层及第二半导体材料层，其中每一相邻的第一半导体材料层与第二半导体材料层之间可产生二维电子气体(2DEG)。导电结构，包含复数个导电指自半导体异质结构层的表面延伸进入所述半导体异质结构层，其中复数个导电指沿着大体上与表面平行的第一方向上排列，且复数个导电指的长度沿着第一方向递增，使得每一导电指的端部分别位于不同深度的第二半导体材料层且不接触
具有通道结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法-CN202080001199.3在审
发明人：张安邦;黄敬源;李浩;郑浩宁;王剑 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：半导体异质结构层和导电结构。半导体异质结构(heterostructure)，其包含交替的第一半导体材料层及第二半导体材料层，其中每一相邻的第一半导体材料层与第二半导体材料层之间可产生二维空穴气体(2DHG)。导电结构，包含复数个导电指自半导体异质结构层的表面延伸进入所述半导体异质结构层，其中复数个导电指沿着大体上与表面平行的第一方向上排列，且复数个导电指的长度沿着第一方向递增，使得每一导电指的端部分别位于不同深度的第一半导体材料层且接触
具有通道结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法-CN202080001207.4在审
发明人：张安邦;黃敬源;李浩;郑浩宁;王剑 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：半导体异质结构层和导电结构。半导体异质结构(heterostructure)层，其包含交替的第一半导体材料层及第二半导体材料层，其中每一相邻的第一半导体材料层与第二半导体材料层之间可产生二维空穴气体(2DHG)。导电结构，包含复数个导电指自半导体异质结构层的表面延伸进入所述半导体异质结构层，其中复数个导电指沿着大体上与表面平行的第一方向上排列，且复数个导电指的长度沿着第一方向递增，使得每一导电指的端部分别位于不同深度的第二半导体材料层且不接触
具有通道结构半导体器件及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条