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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有穿过栅极结构的深阱注入的LDMOS晶体管-CN202310409315.0在审
发明人： A·萨多夫尼科夫;M-Y·庄;J·陈 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及具有穿过栅极结构的深阱注入的LDMOS晶体管。一种晶体管制造方法包含在具有第一导电类型的半导体衬底之上形成栅极结构。对所述栅极结构之上的光致抗蚀剂层进行图案化，以从所述栅极结构的未被覆盖部分及所述半导体衬底的与所述栅极结构的所述未被覆盖部分邻接的相邻区之上移除所述光致抗蚀剂层。使用第一掺杂剂以使得所述第一掺杂剂穿透所述栅极结构的所述未被覆盖部分以及被所述光致抗蚀剂层阻挡来形成具有所述第一导电类型的深阱区。通过注入第二掺杂剂以使得所述第二掺杂剂穿透所述相邻区以及被所述栅极结构的所述未被覆盖部分阻挡来形成浅阱区。
具有穿过栅极结构注入 ldmos 晶体管

[发明专利]低阻抗源极/背栅finFET-CN202211108300.2在审
发明人： M-Y·庄 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请题为“低阻抗源极/背栅finFET”。一种集成电路(100)包括衬底(102)，该衬底具有从衬底的表面延伸的鳍状物(104)。该鳍状物包括源极区(106)、漏极区(110)和体区(108)。该源极区包括具有第一导电类型的外部区域(104SW)和具有第二导电类型的位于内部的导电区域(120)，该第一导电类型与主体的外部区域的第二导电类型互补。
阻抗 finfet

[发明专利]具有高K材料场板的鳍式场效应晶体管（FINFET）-CN202211004794.X在审
发明人： M-Y·庄;U·阿格拉姆 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请题为“具有高K材料场板的鳍式场效应晶体管(FINFET)”。一个示例包括包含鳍式场效应晶体管(FinFET，图13)的集成电路(IC)。该FinFET(图13)包括带有鳍状物(204)的衬底(202)，该鳍状物(204)从衬底(202)的表面延伸。鳍状物(204)包括源极区(408)、漏极区(406)和与漏极区(406)相邻的漂移区(402)。鳍状物(402)还包括在漂移区(402)的第一侧面(804)、第二侧面(806)和第三侧面(808)上的场板(FP)介电层(802)。FP介电层(802)包括高K材料(504)。
具有材料场效应晶体管 finfet

[发明专利]无需额外掩模即可对沟槽或FINFET进行注入阻断-CN202111209920.0在审
发明人： M-Y·庄;A·阿里 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请公开了无需额外掩模即可对沟槽或FINFET进行注入阻断。一种制造集成电路的方法，包括在衬底上方形成硬掩模并对其进行图案化(205)，使得图案化的硬掩模暴露衬底的区域。对暴露的区域进行蚀刻(210)，从而形成沟槽和在沟槽之间的半导体鳍。在移除(225)硬掩模之前，形成光致抗蚀剂层并对其进行图案化(215)，从而暴露半导体鳍的一区段。掺杂剂通过硬掩模注入(220)到暴露区段中。
无需额外即可沟槽 finfet 进行注入阻断

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共 4 条

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