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[实用新型]一种带有过压斩波特性的可控硅芯片-CN201920529757.8有效
发明人：王成森 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有过压斩波特性的可控硅芯片，芯片包含中部的N型长基区N1，P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7，隔离墙P1，扩磷区域N2（或扩磷区域N2、N3、N4）等。尤其所述的：P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开，P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开；P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩波特性，使得可控硅既提升自身防护能力
可控硅隔开扩磷斩波本实用新型电路安全性可控硅芯片保护器件电路器件防护能力后端电路降低生产制造成本隔离墙芯片

[实用新型]平面栅沟槽栅集成结构的MOSFET器件-CN202122537515.3有效
发明人：姜鹏 -专利权人：无锡紫光微电子有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及平面栅沟槽栅集成结构的MOSFET器件，在N+型衬底的下方设有漏极接触金属，在N+型衬底的上方设有N‑型漂移区，在N‑型漂移区的中部上方设有第一P‑型基区，在第一P‑型基区的两侧上方设有第一N+型源区，在N‑型漂移区的两侧上方设有第二P‑型基区，在第二P‑型基区的上方中部设有第二N+型源区，且第一P‑型基区位于第二P‑型基区的上方，在第二P‑型基区与第二N+型源区的上方设有绝缘介质，绝缘介质部分覆盖第二P‑型基区与第二N+型源区，在绝缘介质的内部设有栅极接触金属。
平面沟槽集成结构 mosfet 器件

[实用新型]汽车电子用硅PNP型高频高速低压降高增益功率晶体管-CN200820185013.0无效
发明人：龚利汀;钱晓平;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2008-08-08 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本实用新型的目的是这样实现的：在低阻硅片衬底上设置集电区，在集电区内形成基区，在基区内形成发射区，在发射区旁边的基区内形成增阻环，所述集电区、基区、发射区及增阻环位于同一个剖面层内，在所述集电区、基区、发射区及增阻环的上表面设置二氧化硅膜，在对应于发射区及基区的部位的二氧化硅膜上设置引线孔，在对应于发射区的引线孔部位设置发射极铝层，在对应于基区的引线孔部位设置基极铝层，所述发射极铝层与发射区电连接，所述基极铝层与基区电连接
汽车电子 pnp 高频高速低压增益功率晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其形成方法-CN201710385149.X在审
发明人：刘剑 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其形成方法，包括：一集电极区、一基区、一形成于所述基区中的阱区、以及一形成于所述基区中的反型掺杂区，其中，所述反型掺杂区与所述阱区之间保持间距。本发明提供的绝缘栅双极型晶体管中，通过于基区中设置所述反型掺杂区，使其与基区的接触面间形成一PN结结构，从而在器件的关断过程中，可使耗尽区的扩展速度加快。并且，基区中的空穴还可于所述反型掺杂区中被收集，提升了空穴的抽离速度，大大降低了IGBT器件的关断时间，有效改善了IGBT器件的关断损耗。
基区反型掺杂绝缘栅双极型晶体管空穴阱区关断过程关断损耗集电极区耗尽区抽离关断

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201010290339.1无效
发明人：张斌;韩雁;张世峰;胡佳贤;朱大中 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-09-25 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+发射区、N+集电区、栅氧化层、集电极、栅电极和发射极，所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N-基区和N+缓冲层组成，所述的N+扩散残留层和N+缓冲层从与N-基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。本发明绝缘栅双极型晶体管在N-基区正面设置N+扩散残留层，提高了N型正面的离子掺杂浓度，降低了JEFT电阻的影响，从而有效降低IGBT的导通状态下的电压降。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

[实用新型]高反压功率晶体管-CN201320510580.X有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：高反压功率晶体管，在长宽为4140μm×4140μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。
高反压功率晶体管

[实用新型]均流环结构晶体管-CN02220982.4无效
发明人：张爱忠;计建新;蒋正勇 -专利权人：无锡华晶微电子股份有限公司
申请日： 2002-05-31 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：其主要技术方案是在基区的表面层内设置发射区，在基区的表面设置金属层，本实用新型的特征是在基区的表面层内设置位于金属层四周的均流环。所述均流环为封闭的环状结构，或半封闭的环状结构。所述基区位于两层集电区之上。在基区与发射区的表面可设置钝化层，金属层位于钝化层的表面，金属层的中部穿过钝化层上的引线孔后与基区接触。本实用新型具有更高的二次击穿耐量，其抗烧性能明显增强。
均流环结构晶体管

[发明专利]一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法-CN202210278016.3在审
发明人：曹建林;何刚;彭琪 -专利权人：深圳市诚芯微科技股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本申请涉及一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法，垂直应变双极结型晶体管包括发射区、集电区和基区，所述发射区包括衬底和凸出于衬底表面的凸台，所述凸台的表面设有所述基区，所述基区环绕式包裹所述集电区，氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁，本申请利用氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁，可提供单轴应力，提高载流子迁移率，进而提高器件的特征频率。
一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种射频三极管的制备方法及射频三极管-CN201510542982.1在审
发明人：马万里;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频三极管的制备方法及射频三极管，其中，制备方法包括在射频三极管半成体的第二氧化层上制备连通P+基区的第一接触孔和连通P－基区的第二接触孔，然后分别在场氧化层表面、第二氧化层表面、第一接触孔及第二接触孔内淀积多晶硅，其后在多晶硅内注入N型离子并进行退火，在P－基区表面及P+基区表面都会形成N+发射区，此时，对场氧化层表面、第二氧化层表面的多晶硅进行光刻及刻蚀，并刻蚀掉P+基区内形成的N+发射区，最后保留P－基区形成的本发明将P+基区和P－基区的接触孔的光刻及刻蚀合并到一起来完成，相对于常规做法，省去了一层光刻，对射频三极管的制备流程进行了优化，节约了制备成本。
一种射频三极管制备方法

[发明专利]一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法-CN201911114870.0在审
发明人：赵杰;薛东风;薛智民;孙有民;王清波;卓青青;杜欣荣 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法，在通过传统形成横向PNP晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在横向PNP晶体管N型基区表面进行一次N型杂质注入，在N型基区表面形成一个环形的N+掺杂区，将横向PNP晶体管的基区宽度Wb所在位置由N型外延层表面推向N型外延层体内。当基区环结构的横向PNP晶体管处于总剂量辐照环境中时，虽然氧化层中正电荷积累会导致P型集电区的耗尽和反型以及P型发射区表面的耗尽和反型，但由于基区宽度Wb位置已下移至P型集电区的耗尽和反型和P型发射区表面的耗尽和反型下方，所以并不会影响横向PNP晶体管的基区宽度，故这种基区环结构横向PNP晶体管具有较强的抗总剂量辐射能力。
一种基区环掺杂辐射横向 pnp 晶体管制备方法

[实用新型]一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管-CN202222490625.3有效
发明人：陆佳顺;钱叶华;杨洁雯 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管，其复合掺杂层的中央区域具有一N型中掺杂区，复合掺杂层位于N型中掺杂区两侧区域分别具有左P型基区和右P型基区，左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区，从而在左P型基区和右P型基区各自上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部，左P型基区和右P型基区的各自P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层，此左栅极层、右栅极层分别与
一种通电功率 mos 场效应晶体管

[发明专利]一种三极管及其制作方法-CN201811517969.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：泉州臻美智能科技有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明涉及一种三极管及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底表面生长第一导电类型的外延层；在所述外延层表面进行第二导电类型离子的注入，形成所述基区；在所述基区表面进行第一导电类型离子的注入，形成发射区；刻蚀所述发射区，以暴漏出基区的边缘；在暴漏出的基区表面区域内形成第二导电类型的基区接触区，所述基区接触区与所述发射区在水平方向上具有间隔；形成介质层，所述介质层包括形成于暴漏出的基区表面的第一部分以及形成于所述部分发射区表面的第二部分
基区第一导电类型基区表面发射区三极管漏出接触区介质层导电类型离子背面金属层发射区表面外延层表面正面金属层衬底表面导电类型电流能力外延层衬底刻蚀制作离子生长

[发明专利]一种实现海洋水下空间利用的海洋水库-CN201910818048.6在审
发明人：练继建;燕翔;刘丹 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： E02B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现海洋水下空间利用的海洋水库，包括防波堤，建筑结构，地下储藏库和隔水幕布；所述防波堤设置在天然潟湖的潟湖地基上，将原本间歇性连通的天然潟湖的内外水域分隔为外海水体和内湖水体，同时，将潟湖地基分为堤外地基区和堤内地基区；所述堤外地基区外环绕为外海水体；所述堤内地基区内包围内湖水体，所述堤内地基区为地下空间利用区；所述建筑结构设置在堤内地基区上；所述地下储藏库设置在堤内地基区内；所述隔水幕布设置在内湖水体内，对内湖水体进行分区形成水下空间利用区
基区水下空间湖水体防波堤地下空间建筑结构幕布储藏库隔水地基水体间歇性连通空间利用率海洋水库施工成本地下海洋分隔珊瑚地形分区湖水环绕水域体内包围节约

[发明专利]一种多结太阳电池结构及其制备方法-CN202111249312.2在审
发明人：吴真龙;张坤铭;张勇 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本申请公开了一种多结太阳电池结构及其制备方法，该多结太阳电池结构包括衬底和设置于衬底上的多个子电池，该多个子电池包括InGaAs子电池，InGaAs子电池包括沿背离衬底方向依次排布的基区和发射区，发射区包括沿背离基区方向依次排布的第一发射区和第二发射区，基区和第一发射区均为InxGaAs层，第二发射区为GaInP层，即通过在发射区与基区连接的前一部分采用与基区相同材料的InxGaAs层，使得InGaAs/GaInP异质结的能带尖峰偏离发射区和基区之间PN结处的空间电荷区，从而减小InGaAs/GaInP异质结的能带尖峰对发射区光生载流子向基区收集的影响，提高收集效率
一种太阳电池结构及其制备方法

[发明专利]具有沟槽-平面柵的发射极开关晶闸管及其制造方法-CN202210241564.9在审
发明人：王彩琳;杨武华;郭佳睿;张超;苏乐 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有沟槽‑平面柵的发射极开关晶闸管，以n‑漂移区作为衬底，n‑漂移区上方设有交叠的左、右侧p基区，左、右侧p基区中各设有n+浮置区及n+阴极区；左侧p基区的左侧设有沟槽，该沟槽底部低于p基区底部，形成沟槽柵极；p基区相互交叠区及n+阴极区部分上表面设有平面柵极；沟槽栅极与平面栅极相连构成栅极G；左、右两侧p基区内设置有p++层；n+阴极区右侧部分和右侧p基区部分上表面设有铝金属化阴极K
具有沟槽平面发射极开关晶闸管及其制造方法