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[发明专利]一种小功率抗辐射晶体管芯片及制备方法-CN201811383553.4在审
发明人：赵志桓;张礼;安兆嵬;王传超;韩镒戎;田鑫浩;路凯歌;郭英华 -专利权人：山东农业工程学院
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种小功率抗辐射晶体管芯片及制备方法，由基区、发射区、发射区键合点和基区键合点组成，基区的轮廓为葫芦形，基区一端的轮廓为大圆弧，基区另一端的轮廓为小圆弧，大圆弧的半径大于小圆弧的半径，基区位于大圆弧区域的表面由下向上依次设有发射区、发射区键合点，基区位于小圆弧区域的表面设有基区键合点，发射区、发射区键合点和基区键合点均位于基区的同一侧表面，基区的另一侧表面与基底接触，发射区、发射区键合点和基区键合点的轮廓均为圆形，基区的大圆弧半径、发射区的半径、发射区键合点的半径依次减小，基区的小圆弧半径、基区键合点的半径依次减小，发射区、基区和基底均为半导体层。
基区发射区键合点大圆弧小圆弧抗辐射晶体管芯片依次减小小功率制备半导体层基底接触葫芦形基底芯片

[发明专利]一种IGBT器件及制造方法-CN202310193570.6在审
发明人：滕跃;李强;曹务臣;苏晓山;左义忠 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种具有局部接触发射区的IGBT器件和IGBT器件制造方法，涉及半导体器件技术领域。IGBT器件包括：MOS器件；场终止层，位于MOS器件的下表面；P型发射区，位于场终止层下表面；绝缘层，位于P型发射区下表面；集电极金属，位于绝缘层下方；其中，在绝缘层的局部打开，形成集电极金属与P型发射区的接触窗口由于发射区设置为局部发射区，或集电极设置为局部接触发射区，流过器件的电流会因窗口面积比降低，提高流过局部发射区的电流密度，使发射区工作在少子大注入状态，从而提高器件的电导调制强度，降低器件的导通压降。
一种 igbt 器件制造方法

[发明专利]一种钳位电压可选的横向穿通型SiC-TVS器件-CN202211138213.1在审
发明人：韩超;苑广安;汤晓燕;王东;吴勇;陈兴;黄永 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种钳位电压可选的横向穿通型SiC‑TVS器件，包括碳化硅衬底层、外延层基区、正电极和若干负电极，外延层基区内包括有两个端部发射区扩展区、若干个中间发射区扩展区、两个端部发射区以及若干个中间发射区，外延层基区、端部发射区扩展区和中间发射区扩展区为轻掺杂，端部发射区和中间发射区为重掺杂；碳化硅衬底层、端部发射区扩展区、中间发射区扩展区、端部发射区和中间发射区为第一导电类型，外延层基区为第二导电类型本发明在平面NPN或PNP穿通结构的基区表面横向插入若干个N+或P+发射区，通过优化发射区结构参数和基区浓度，在单管TVS芯片上实现更宽范围的钳位电压选择。
一种电压可选横向穿通型 sic tvs 器件

[发明专利]锗硅HBT器件及制造方法-CN201910061695.7有效
发明人：陈曦;黄景丰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT器件，包括：集电区、基区和发射区；在由锗硅外延层形成的基区的表面形成有发射区窗口，发射区形成于发射区窗口中并延伸到发射区窗口外，发射区包括叠加的第一多晶硅层和第二多晶硅层；第一多晶硅层直接和基区表面接触，第一多晶硅层的厚度保证在使第一多晶硅层的厚度的均匀性和离子注入的深度的均匀性满足要求，第二多晶硅的厚度满足在发射区窗口缩小时增加发射区的厚度的要求。本发明能保证在发射区窗口缩小时增加整个发射区的厚度并能防止整个发射区的厚度增加对发射区的厚度的均匀性和离子注入的深度的均匀性的不利影响，从而提高器件的稳定性。
锗硅 hbt 器件制造方法

[发明专利]一种双极型晶体管的制备方法-CN201810891031.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市南硕明泰科技有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型晶体管的制备方法及其形成的用于测试的半导体器件，包括主芯片区及划片道区，形成第一导电类形的衬底及外延层，外延层形成于衬底的上表面，在外延层主芯片区形成基区，基极接触区贯穿基区与外延层连接，基区上方形成与基区连接的主芯片发射区，在外延层划片道区上方形成与外延层连接的划片道发射区，在基区、主芯片发射区和划片道发射区上分别形成金属层，其中基区上的金属层与基区电连接作为基极焊盘，主芯片发射区上的金属层与主芯片发射区电连接作为发射极焊盘，划片道发射区上的金属层与划片道发射区电连接作为用于测试的集电极焊盘。
发射区基区外延层主芯片划片道金属层电连接双极型晶体管划片道区衬底制备半导体器件发射极焊盘基极接触区集电极焊盘测试基极焊盘上表面导电类形贯穿

[发明专利]有机发光显示器-CN201310179732.7有效
发明人：李安洙;金兑珍;金度晔;曹祥钧;李承雨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该有机发光显示器包括：红色像素，包括红色发射区；绿色像素，包括绿色发射区；以及蓝色像素，包括蓝色发射区。在所述红色发射区、所述绿色发射区和所述蓝色发射区的至少一个中，发射区和所述发射区上面的相邻发射区之间的距离不同于所述发射区与所述发射区下面的另一相邻发射区之间的距离。
有机发光显示器

[发明专利]一种功率双极型晶体管及其制备方法-CN201210364290.9无效
发明人：任敏;李果;宋洵奕;张鹏;王娜;邓光敏;张蒙;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：所述功率双极型晶体管由下到上依次包括：集电区金属电极，由第一导电类型半导体材料构成的集电区，由第二导电类型半导体材料构成的基区；基区的上方分别具有与基区表面接触的基区金属电极和由第一导电类型半导体材料构成的发射区；发射区的上方具有与发射区表面接触的发射区金属电极；发射区的侧壁与基区金属电极之间，以及基区金属电极与发射区金属电极之间填充隔离介质。由于发射区的侧壁被介质层包围，避免了基极电流直接从基区接触流入发射区的侧壁，缓解了电流集边效应。同时通过在隔离介质上挖孔制作基区金属电极，不会增加基区寄生电阻，对功率双极型晶体管输出功率没有影响。
一种功率双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构和方法-CN200910184387.X有效
发明人：傅义珠 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明是一种改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构及方法，其特征是在发射区有平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，用以平衡发射区下方基区分布电阻，改善发射结电压的一致性，从而改善发射区电流集边效应；发射区薄层分布电阻是由掺杂多晶硅形成的，通过控制构成发射区窗口的二氧化硅厚度、二氧化硅侧向钻蚀深度来获得所需的掺杂多晶硅电阻的阻值。优点：在发射区中引入平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，当发射区电流流经该分布电阻时，产生的电压降可以补偿基极电流在内基区电阻上的电压降，减小发射结不同位置的电压降的差异，改善电流集边效应，扩大发射结的有效工作面积
改善微波功率晶体管发射电流效应结构方法

[发明专利]一种IGBT器件及其形成方法-CN201510786049.9有效
发明人：唐龙谷;刘国友;黄建伟;彭勇殿;罗海辉;李世平 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请提供了一种IGBT器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括漂移区，阱区、发射区，所述发射区顶面高出所述半导体结构的上表面，且底面与所述半导体结构的上表面的距离为0～1μm；位于所述阱区两侧的发射区之间且与所述发射区电连接的发射极，位于所述发射极两侧的栅区，所述栅区具有台阶部分和水平部分，所述台阶部分和所述水平部分为一体结构，所述栅区的水平部分覆盖所述发射区背向所述发射极一侧的阱区和漂移区，所述台阶部分覆盖至少部分所述发射区的顶面该结构避免了栅区端部“鸟嘴”结构对器件阈值电压的影响，同时，缩短了关断电流在阱区的路径，减少了损耗，且最大程度的避免了闩锁效应。
发射区半导体结构栅区阱区发射极漂移区上表面顶面器件阈值电压关断电流一体结构闩锁效应电连接底面鸟嘴覆盖申请

[发明专利]一种整体型碳化硅达林顿管及其制作方法-CN201611247096.7有效
发明人：元磊;李钊君;宋庆文;汤晓燕;张艺蒙;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：包括：N+发射区，设置在基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈垂直槽型的器件隔离区和呈垂直槽型的发射区台面；基极P+注入区，设置在发射区台面下表面，且位于基区内；器件沟槽设置在N+发射区，且延伸至N‑集电区上部；器件隔离区设置在N+发射区，且延伸至N‑集电区上部；隔离区注入层，设置在所述器件隔离区底部上表面。
一种整体碳化硅达林顿管及其制作方法

[发明专利]一种单向高压可控硅-CN201310435186.9在审
发明人：王国新 -专利权人：无锡市宏矽电子有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公布了一种单向高压可控硅，包括P型阳极区，所述P型阳极区上表面形成有N型长基区，所述P型阳极区下表面形成有阳电极；所述N型长基区上表面形成有P型短基区；所述P型短基区上表面局部依次形成有2个N+型发射区和3个N-型发射区，并且局部还设置有门级电极；所述N+型发射区和N-型发射区上表面设置有阳级电极；所述N型长基区和P型短基区上设置有内沟槽，所述内沟槽布置在所述门级电极、N+型发射区、N-型发射区和阳级电极的外围上
一种单向高压可控硅

[发明专利]一种表面发射太赫兹量子级联激光器及其制作方法-CN201210023696.0有效
发明人：曹俊诚;万文坚;韩英军 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种表面发射太赫兹量子级联激光器及其制作方法，该激光器包括单模产生区波导、锥形耦合区波导和表面发射区波导；单模产生区波导和锥形耦合区波导采用一阶光栅结构，表面发射区波导采用二阶光栅结构；单模产生区波导内部产生单模太赫兹种子光，锥形耦合区波导将所述太赫兹种子光放大并耦合到表面发射区波导，表面发射区波导使太赫兹激光垂直衬底表面出射。本发明实现了太赫兹量子级联激光器的大功率、窄线宽和小发散角太赫兹激光表面发射，在一定程度上抑制了横向高次模的激射，同时减少了波导之间的耦合损失和端面损失。
一种表面发射赫兹量子级联激光器及其制作方法

[发明专利]晶体管的多晶硅发射极制造的方法-CN201410160444.1有效
发明人：潘光燃;文燕;王焜;石金成;张建湘;高振杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体管的多晶硅发射极制造的方法。包括在包含有N型集电区、P型基区、第一氧化层、第二氧化层的衬底表面进行光刻、刻蚀，形成发射区窗口，露出与发射区窗口宽度相同的P型基区区域；在第一氧化层、第二氧化层的表面和发射区窗口中淀积未掺杂的多晶硅，以使未掺杂的多晶硅完全覆盖发射区窗口区域；在淀积未掺杂的多晶硅后的衬底表面进行光刻、刻蚀，去除发射区窗口区域之外区域的未掺杂的多晶硅；采用离子注入工艺对发射区窗口内的未掺杂的多晶硅注入掺杂元素；对注入掺杂元素后的衬底进行第一热处理，以使发射区窗口中的多晶硅中的掺杂元素扩散至露出的P型基区区域的表层之中，形成N型扩散区。
晶体管多晶发射极制造方法

[发明专利]一种晶闸型二极管芯片-CN201210528578.5有效
发明人：邓爱民;保爱林 -专利权人：绍兴旭昌科技企业有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：包括长基区、阳极发射区、短基区和阴极发射区；阳极发射区、长基区、短基区和阴极发射区之间设有第一PN结、第二PN结和第三PN结；阳极发射区这一端形成阳极凸台，阴极发射区这一端形成阴极凸台，阳极凸台顶面分为对称的第一表面和第三表面，阴极凸台的顶面分为对称的第二表面和第四表面，其中第一表面和第三表面为阶梯状，其连接处形成阳极凸台顶面台阶，第二表面和第四表面也为阶梯状，连接处形成阴极凸台顶面台阶。
一种晶闸型二极管芯片

[实用新型]一种晶闸型二极管芯片-CN201220677255.8有效
发明人：邓爱民;保爱林 -专利权人：绍兴旭昌科技企业有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：包括长基区、阳极发射区、短基区和阴极发射区；阳极发射区、长基区、短基区和阴极发射区之间设有第一PN结、第二PN结和第三PN结；阳极发射区这一端形成阳极凸台，阴极发射区这一端形成阴极凸台，阳极凸台顶面分为对称的第一表面和第三表面，阴极凸台的顶面分为对称的第二表面和第四表面，其中第一表面和第三表面为阶梯状，其连接处形成阳极凸台顶面台阶，第二表面和第四表面也为阶梯状，连接处形成阴极凸台顶面台阶。
一种晶闸型二极管芯片

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