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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种三极管版图设计方法、装置及一种芯片-CN200910243862.6无效
发明人：冯春磊 -专利权人：北京中星微电子有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：所述三极管版图依次包括集电区、基区和发射区三个区域，所述方法包括：根据版图设计规则，设计基区与发射区之间的距离；去除集电区与基区之间的距离，使基区与集电区相接，但在集电区与基区之间填充硅进行区域区分。本发明去除了现有技术中集电区与基区之间的距离，使基区与集电区直接相邻，从而减小了版图的面积；而且，在集电区与基区之间填充硅进行区域区分，从而保证了杂质注入所述两个区域的准确性，实现了集电区与基区的自校准
一种三极管版图设计方法装置芯片

[发明专利]抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺-CN200710118196.4无效
发明人：王玉东;周卫;徐阳;付军;张伟;蒋志;钱佩信 -专利权人：中电华清微电子工程中心有限公司
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了属于半导体器件及其制备技术领域的一种抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺。该异质结晶体管包括Si衬底形成的集电极，SiGe层基区和外基区，以及多晶Si发射极。在发射极和基极间设置侧墙结构层，抬高外基区层，其侧墙结构层防止发射极和基极间漏电，本发明采用抬高外基区工艺以外延方式生长外基区的技术，克服原有的锗硅异质结晶体管工艺中外基区注入工艺导致发射区窗口下的本征基区的硼增强扩散严重，从而引起基区变宽，掺杂改变，而降低器件的f_T和f_max等参数的不足，使得器件的直流和高频特性有很大提升。
抬高外基区锗硅异质结晶体及其制备工艺

[发明专利]非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺-CN200710118197.9无效
发明人：王玉东;徐阳;付军;周卫;张伟;蒋志;钱佩信 -专利权人：中电华清微电子工程中心有限公司
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了属于半导体器件及其制备技术领域的一种非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺。该异质结晶体管包括Si衬底形成的集电极，SiGe层基区和外基区，以及多晶Si发射极。在发射极和基极间设置侧墙结构层，抬高外基区层，其侧墙结构层防止发射极和基极间漏电，本发明采用抬高外基区工艺以外延方式生长外基区的非自对准技术，克服原有的锗硅异质结晶体管工艺中外基区注入工艺导致发射区窗口下的本征基区的硼增强扩散严重，从而引起基区变宽，掺杂改变，而降低器件的f_T和f_max等参数的不足，使得器件的直流和高频特性有很大提升。
对准抬高外基区锗硅异质结晶体及其制备工艺

[实用新型]一种具有部分埋氧结构的IGBT-CN201520989870.6有效
发明人：陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有部分埋氧结构的IGBT，包括：N-型基区；位于所述N-型基区下表面内两侧的两个埋氧；位于所述N-型基区下表面内中部、所述两个埋氧之间的背P+发射区；位于所述N-型基区上表面内两侧的两个P型基区；位于所述两个P型基区上表面内中部的两个N+集电区；位于所述N-型基区上表面以及所述P型基区和N+集电区部分上表面的栅氧化层；位于所述栅氧化层上表面的多晶栅。本实用新型利用在N-型基区背面引入I层二氧化硅，改变了器件内部电势的分布，从而使耐压得到提高。
一种具有部分结构 igbt

[实用新型]一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片-CN201921456831.4有效
发明人：陆怀谷 -专利权人：深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片，包括N+衬底、N‑型基区、P型基区，N+集电区，源极电极、二氧化硅绝缘层、漏极电极，屏蔽栅设置在两个P型基区之间深入N‑型基区内部，上述屏蔽栅覆盖沟槽薄氧，上述沟槽薄氧内部设置有栅极多晶硅、连栅极多晶硅；在两个P型基区的外侧各有一个贯穿二氧化硅绝缘层抵达P型基区表面的源极电极凸起，上述源极电极凸起下方垂直设置贯穿P型基区抵达N‑型基区内部的连源极多晶硅，上述连源极多晶硅覆盖有沟槽厚氧；上述沟槽厚氧、沟槽薄氧底部设置P+型基区。
一种高压屏蔽功率 mosfet 芯片

[实用新型]一种具有槽型体接触结构的IGBT-CN201520987923.0有效
发明人：陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有槽型体接触结构的IGBT，包括：N-型基区；位于所述N-型基区上表面内两侧的两个P型基区；位于所述P型基区上表面内中部的两个N+集电区；位于所述N-型基区上表面以及所述P型基区和N+集电区部分上表面的栅氧化层；位于所述栅氧化层上表面的多晶栅；位于所述N-型基区下表面的背P+发射区；位于所述P型基区上表面内以及所述N+集电区上表面的发射极。
一种具有槽型体接触结构 igbt

[发明专利]半导体器件-CN202211392448.3在审
发明人：穆纳福·T·A·拉希莫;尤利安·尼斯托尔 -专利权人： MQ半导体股份公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：第一底层包括相邻排列的阴极基区和栅极基区，从而使阴极基区与阴极区接触。阴极基区的掺杂物浓度比栅极基区低，和/或栅极基区的深度比阴极基区大，以实现阻断状态下场的优化分布，并提高在动态雪崩条件下工作时的最大关断电流能力。
半导体器件

[发明专利]基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法-CN202210109338.5在审
发明人：袁昊;周瑜;汤晓燕;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法，制备出的基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件包括p+外延层1、P‑基区2、N+衬底3、钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明P‑基区2使用横向变掺杂基区，可以提高P+/P‑结处P‑基区的掺杂浓度，降低器件负角处的浓度梯度，抑制表面电场，提高器件的工作可靠性。
横向掺杂浓度渐变碳化硅功率器件及其制备方法

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN95101855.8无效
发明人：埃道德·Ｄ·德弗里萨特;约翰·Ｗ·斯蒂尔;Ｎ·戴维·西奥多 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1995-02-25 - 公布日： 2002-03-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：制造半导体结构的一种优选的方法，包括改变一种外延基区双极晶体管（10）的基区层（17、21）中多晶晶界（38）的方向和使其位置最佳。通过淀积将形成较低的基区部分的基区层（17）后对半导体结构进行退火，可以实现晶界（38）的改变。改变晶界（38）对降低基区电阻（Rbx1，Rbx2）有明显作用。降低基区电阻（Rbx1，Rbx2）能显著地改善器件的性能。$#!
制造半导体结构方法

[发明专利]一种双极结型晶体管的制作方法-CN201210073609.2有效
发明人：郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极结型晶体管（BJT）的制作方法，包括：在半导体衬底内制作收集区，该半导体衬底具有第一掺杂类型；制作具有第二掺杂类型的基区，该基区具有基区深度；以及制作具有第一掺杂类型的发射区；其中通过调节基区的布局宽度来控制基区深度
一种双极结型晶体管制作方法

[发明专利]门极可关断晶闸管及其制造方法-CN201811529542.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：泉州臻美智能科技有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明公开一种双门极可关断晶闸管，包括自下而上依次形成的第一导电类型的第一基区、第二导电类型的第二基区、第一导电类型的第三基区和第二导电类型的第四基区，以及还包括形成在第一基区下表面的阳极金属、形成在第四基区上表面的阴极金属，第二基区被配置为曝露出相对两端的上表面，第三基区被配置为曝露出相对两端的上表面，在第二基区的曝露出的相对两端的上表面分别设置有第一门极金属，在第三基区的曝露出的相对两端的上表面分别设置有第二门极金属。
基区上表面门极第一导电类型可关断晶闸管导电类型阳极金属阴极金属曝露双门门极可关断晶闸管金属工作频率拖尾电流金属端下表面功耗关断两组配置制造

[发明专利]一种三极管及其制造方法-CN201610961640.8在审
发明人：李风浪;李舒歆 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明三极管，包括基区、集电区、发射区、基极、集电极、发射极以及衬底，所述集电区形成在所述衬底上，所述基区形成在所述集电区上，基区引出所述基极，集电区引出所述集电极，发射区引出所述发射极，还包括介质阻挡区，所述介质阻挡区形成在所述基区上，所述基区上形成n个基区凸起结构，n为大于等于1的整数，所述发射区形成在所述介质阻挡区上，并且通过所述基区凸起结构与所述基区侧向接触形成发射结。
一种三极管及其制造方法

[发明专利]低电容低电压半导体过压保护器件-CN201610176392.6在审
发明人：赵海 -专利权人：昆山海芯电子科技有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容低电压半导体过压保护器件，芯片层包括N型衬底、在N型衬底上方和下方对称扩散有P2基区和N型区以及发射极N型掺杂区，在发射极N型掺杂区与P2基区扩散有P1基区，所述P1和P2为P型变掺杂基区将基区扩散分为两次，实现变掺杂基区，P1基区为高浓度P型掺杂扩散，P2基区为低浓度P型掺杂扩散，从而使得PN结两侧高浓度区域面积大大缩小，保证低压以及过压保护功能的同时，大大减小了该PN结的寄生结电容，
电容电压半导体保护器件

[发明专利]具有超结结构的载流子注入型IGBT-CN201610282105.X在审
发明人：刘国友;朱利恒;覃荣震;罗海辉;黄建伟;戴小平 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超结结构的载流子注入型IGBT，包括半导体衬底和元胞区；元胞区包括位于半导体衬底表面内的第一基区、第二基区、位于第一基区中的第一源区、位于第二基区中的第二源区和位于第一基区与第二基区之间且与第一基区、第二基区平行设置的超结结构，其中，超结结构包括交替设置的N型区与P型区。
具有结构载流子注入 igbt

[发明专利]一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片-CN201811391720.X有效
发明人：赵志桓;刘伟丽;潘莹月;郭英华;韩怡;王壮壮;杜建都;乔大壮;姜莹 -专利权人：山东农业工程学院
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：其中，一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法，包括：网格化设计横向版图，并设置基区、发射区和键合区相关参数；其中，基区按照电子扩散浓度划分为深基区和淡基区；根据芯片预设参数性能要求，设计纵向结构，得到集电结结深和发射结结深；依次进行以下工艺制程：一次氧化、深基区光刻、深基区扩散、二次氧化、淡基区光刻、淡基区扩散、三次氧化、发射区光刻、发射区扩散、四次氧化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻和合金工艺，最终得到具备预设抗辐射性能参数的大功率晶体管芯片
一种大功率辐射晶体管芯片设计方法

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