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[实用新型]可控硅单元和补偿控制电路-CN201620991936.X有效
发明人：孙继承;欧阳兴元 -专利权人：珠海科达信电子科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H02J3/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可控硅单元和补偿控制电路。可控硅单元，包括处理模块，其中，可控硅单元还包括第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第四可控硅和调节模块，第一可控硅的第一端与第四可控硅的第一端连接，第二可控硅的第一端与第三可控硅的第一端连接，第二可控硅的第二端、第四可控硅的第二端均与调节模块的输入端连接，第一可控硅的第二端、第三可控硅的第二端均与调节模块的输出端连接。以及设置有该可控硅单元的补偿控制电路。该可控硅单元和补偿控制电路与现有技术相比无需通过多接一个可控硅来控制可控硅单元短路，而只需要通过简单的程序即可控制可控硅单元进行短路，能有效的减少加工成本。
可控硅单元补偿控制电路

[实用新型]单相整流换向电路-CN201822011332.6有效
发明人：刘月;贺悦宸;岳琼;何乐陶;何雄;屈毅;杨成;毛舟;张玉龙;李忠桥 -专利权人：湖北英特利电气有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H02M7/162 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单相整流换向电路，包括可控硅T1P、可控硅T2P、可控硅T3P、可控硅T4P、可控硅T1N、可控硅T2N、可控硅T3N和可控硅T4N，所述可控硅T1P的阳极和所述可控硅T2P的阴极分别连接L线电压，所述可控硅T3P的阳极和所述可控硅T4P的阴极分别连接N线电压，所述可控硅T1P的阴极和所述可控硅T3P的阴极分别相互连接后作为输出端，所述可控硅T2P的阳极和所述可控硅T4P的阳极分别接地；所述可控硅T1N反向并联在所述可控硅T1P的两端，所述可控硅T2N反向并联在所述可控硅T2P的两端，所述可控硅T3N反向并联在所述可控硅T3P的两端，所述可控硅T4N反向并联在所述可控硅T4P的两端。
可控硅阴极阳极单相整流换向电路线电压本实用新型输出端接地

[实用新型]一种可控硅阵列开关及带有该开关的脉冲发生器-CN201521079016.2有效
发明人：陈炜峰;胡瑞成;黄锋 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H03K17/735 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控硅阵列开关及带有该开关的脉冲发生器，可控硅阵列开关包括至少两个并联的可控硅单元，可控硅单元包括至少两个串联的可控硅，且每个可控硅并联一个电阻，每个可控硅的栅极与可控硅阵列开关的触发端连接，每个可控硅的阳极与可控硅阵列开关的输入端连接，每个可控硅的阴极与可控硅阵列开关的输出端连接；脉冲发生器包括触发形成电路、可控硅阵列开关、脉冲形成电路。本实用新型将可控硅串联解决单个可控硅触发的耐压问题，将串联的可控硅单元再并联，可以防止某个串联的可控硅单元回路被击穿导致开关不能导通，提高了开关电路的可行性和稳定性。
一种可控硅阵列开关带有脉冲发生器

[发明专利]一种可控硅夹具组件-CN201710310842.0有效
发明人：张源泉;维多 -专利权人：无锡应达工业有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控硅夹具组件，包括压力盘组件、水冷块、可控硅，还包括可控硅护套；所述压力盘组件包括散热安装板、压力盘、第一定位块、第二定位块和压力螺栓组件；所述可控硅套接在所述可控硅护套内；每个所述可控硅护套均设置在两块所述水冷块之间；至少一个可控硅护套和两个所述水冷块通过两块所述散热安装板夹紧。本发明的一种可控硅夹具组件，设计了与夹具及可控硅组件配套装配的可控硅护套，将可控硅设置在可控硅护套内，然后将可控护套卡接在限位管上，即可实现对于可控硅组件的定位，无需再通过人工对于可控硅组件的装配进行调整同时当需要对可控硅组件进行检修更换时，可直接将可控硅护套从可控硅夹具组件上拆除，方便快捷，提升了施工效率。
一种可控硅夹具组件

[实用新型]一种可控硅夹具组件-CN201720491024.0有效
发明人：张源泉;维多 -专利权人：无锡应达工业有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控硅夹具组件，包括压力盘组件、水冷块、可控硅，还包括可控硅护套；所述压力盘组件包括散热安装板、压力盘、第一定位块、第二定位块和压力螺栓组件；所述可控硅套接在所述可控硅护套内；每个所述可控硅护套均设置在两块所述水冷块之间；至少一个可控硅护套和两个所述水冷块通过两块所述散热安装板夹紧。本实用新型的一种可控硅夹具组件，设计了与夹具及可控硅组件配套装配的可控硅护套，将可控硅设置在可控硅护套内，然后将可控护套卡接在限位管上，即可实现对于可控硅组件的定位，无需再通过人工对于可控硅组件的装配进行调整同时当需要对可控硅组件进行检修更换时，可直接将可控硅护套从可控硅夹具组件上拆除，方便快捷，提升了施工效率。
一种可控硅夹具组件

[实用新型]双可控硅控制电路及电子设备-CN201922203633.3有效
发明人：韩若谷;刘敏;刘乐书;李子健;尹君君 -专利权人：深圳和而泰智能控制股份有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及可控硅技术领域，公开了一种双可控硅控制电路及电子设备。其中，双可控硅控制电路包括：第一可控硅、第二可控硅以及开关器件；第一可控硅的第一电极连接双可控硅控制电路的第一输入端，第一可控硅的第二电极连接第二可控硅的第二电极，第一可控硅的控制极连接开关器件的第一端，第二可控硅的控制极连接开关器件的第二端，第二可控硅的第一电极连接双可控硅控制电路的第一输出端，双可控硅控制电路的第二输入端连接双可控硅控制电路的第二输出端。通过上述方式，本实用新型实施例能够通过一个开关器件控制两个可控硅，成本较低。
可控硅控制电路电子设备

[实用新型]可控硅直流换相电路-CN201120001647.8无效
发明人：马明 -专利权人：马明
申请日： 2011-01-05 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控硅直流换相电路。该可控硅直流换相电路包括四个可控硅控制单元、负载，第一可控硅控制单元、第二可控硅控制单元串联，第三可控硅控制单元、第四可控硅控制单元串联后与第一可控硅控制单元、第二可控硅控制单元构成的串联线路并联，负载一端通过线路与第一可控硅控制单元、第二可控硅控制单元串联之间的线路电连接，另一端通过线路与第三可控硅控制单元、第四可控硅控制单元之间的线路电连接；所述可控硅控制单元由可控硅及与可控硅接通的触发电路构成。本实用新型利用大功率可控硅的开关特性，解决了电子换相功率做不大、维修困难的问题；同时由于可控硅本身寿命较长，也有效的克服了接触器、机械换相存在寿命短的问题。
可控硅直流电路

[实用新型]变频器可控硅整流控制装置-CN201120251032.0有效
发明人：刘文士 -专利权人：刘文士
申请日： 2011-07-17 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H02M7/162 文献下载
摘要：变频器可控硅整流控制装置，包括有输入电源、电阻RF、可控硅T4、可控硅T1、可控硅T2、可控硅T3、电容C1、电阻R1、母线输出DC+、可控硅、电容Cn、电阻Rn、母线输出DC-、可控硅触发控制模块和控制电源组成输入电源为交流三相电源输入，输入电源中的一相输入端和母线输出DC+之间设置有电阻RF和可控硅T4，电阻RF的一端和可控硅T4的阳极相连。输入电源的另一相连接到可控硅T1，可控硅T1在连接到母线输出DC+之间，连接设置有可控硅T2、可控硅T3、电容C1和电阻R1，可控硅T1又连接可控硅，可控硅T2又连接可控硅，可控硅T3又连接可控硅，电容
变频器可控硅整流控制装置

[发明专利]触发可控硅控制单元和控制方法-CN201611041953.8在审
发明人：张贵德;谢祥伟;戴迪;成川;罗俊;郑华;刘浔;黄瑶玲;吴萍;王丽丽;韩旭鹏 -专利权人：国家电网公司;国网湖北省电力公司检修公司;北京西能达科技有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H02M1/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种触发可控硅控制单元，它包括处理器、可控硅激光发射装置、可控硅激光接收装置和可控硅参数采集接口，其中，处理器的可控硅触发信号输出端连接可控硅激光发射装置的信号输入端，处理器的可控硅触发状态信号输入端连接可控硅激光接收装置的信号输出端，处理器的可控硅基本参数数据输入端连接可控硅参数采集接口的一端；本发明能高效控制可控硅触发，同时准确监测可控硅的基本参数数据。
触发可控硅控制单元方法

[实用新型]三相整流换向开关-CN201822011323.7有效
发明人：刘月;贺悦宸;岳琼;何乐陶;何雄;屈毅;杨成;毛舟;张玉龙;李忠桥 -专利权人：湖北英特利电气有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三相整流换向开关，可控硅T1P的阳极和可控硅T4P的阴极连接A相电压，可控硅T3P的阳极和可控硅T6P的阴极连接B相电压，可控硅T5P的阳极和可控硅T2P的阴极连接C相电压，可控硅T1P、T3P和T5P的阴极相互连接后作为输出端，可控硅T2P、T4P和T6P的阳极均接地；可控硅T1N与可控硅T1P反向并联，可控硅T2N与可控硅T2P反向并联，可控硅T3N与可控硅T3P反向并联，可控硅T4N与可控硅T4P反向并联，可控硅T5N与可控硅T5P反向并联，可控硅T6N与可控硅T6P反向并联。
可控硅反向并联阴极阳极换向开关三相整流相电压本实用新型输出端接地

[实用新型]触发可控硅控制单元-CN201621263362.0有效
发明人：张贵德;谢祥伟;戴迪;成川;罗俊;郑华;刘浔;黄瑶玲;吴萍;王丽丽;韩旭鹏 -专利权人：国家电网公司;国网湖北省电力公司检修公司;北京西能达科技有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H02M1/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种触发可控硅控制单元，它包括处理器、可控硅激光发射装置、可控硅激光接收装置和可控硅参数采集接口，其中，处理器的可控硅触发信号输出端连接可控硅激光发射装置的信号输入端，处理器的可控硅触发状态信号输入端连接可控硅激光接收装置的信号输出端，处理器的可控硅基本参数数据输入端连接可控硅参数采集接口的一端；本实用新型能高效控制可控硅触发，同时准确监测可控硅的基本参数数据。
触发可控硅控制单元

[实用新型]一种水暖毯主机控制电路-CN201520257727.8有效
发明人：郭宏彬 -专利权人：扬中市宏彬冷暖设备有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种水暖毯主机控制电路，其特征在于：所述可控硅(T1)与可控硅(T2)并联在电路中，浮体开关(LS)同时控制可控硅(T1)及可控硅(T2)门极电路，可控硅(T1)、可控硅(T2)门极电路可串双向触发二极管(VD1)或光耦(U)以及电阻(R)，可控硅(T1)、可控硅(T2)控制水泵(RL1)及加热管(RL2)通电与断电，所述可控硅(T1)与可控硅(T2)串联在电路中，浮体开关(LS)控制可控硅(T1)门极电路，可控硅(T1)控制可控硅(T2)、水泵(RL1)及加热管(RL2)通电与断电，可控硅(T2)的主电压由可控硅(T1)供给，所述加热管(RL1)是通过可控硅(T2)分配的电压大小发热的。
一种水暖主机控制电路

[实用新型]一种可控硅控制电路-CN202020132099.1有效
发明人：王子辉 -专利权人：库顿电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控硅控制电路，包括控制输入端、第一输出端、第二输出端、第一单向可控硅、第二单向可控硅、双向可控硅和触发电路；第一单向可控硅和第二单向可控硅反向并联构成双向双控的可控硅组件，可控硅组件包括两个门极和两个主电极，两个主电极分别连接第一输出端和第二输出端；第一单向可控硅和第二单向可控硅的门极分别连接到双向可控硅的第一主电极和第二主电极；控制输入端通过触发电路连接到双向可控硅的门极，触发电路用于控制输入端向双向可控硅的门极施加正向触发信号或反向触发信号以控制双向可控硅的导通本实用新型的可控硅控制电路，既具有单向可控硅的高dv/dt性能，又具有双向可控硅的便利控制特性。
一种可控硅控制电路

[实用新型]一种电容器双重过零投入控制装置-CN202020196946.0有效
发明人：徐魁;方城;荣国灿;冯辰龙;马超;毛亚胜;陈建华 -专利权人：江苏南自通华电力自动化股份有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电容器双重过零投入控制装置，包括依次连接的同步信号反馈电路、可控硅控制电路、可控硅过零检测电路、可控硅电路，控制信号经同步信号反馈电路、可控硅控制电路、可控硅过零检测电路、可控硅电路传递后，可控硅电路检测有同步信号时则发送到同步开关投切，可控硅电路检测无同步信号时则发送到复合开关投切。可控硅通过同步开关反馈信号进行控制，确保可控硅启动时刻在电压过零时刻附近，避免可控硅在电压峰值误导通引发可控硅损坏。
一种电容器双重投入控制装置

[实用新型]低波动无触点稳压器-CN200820152436.2有效
发明人：泮金德;吕坚 -专利权人：上海华润特种变压器成套有限公司
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G05F1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低波动无触点稳压器，包括：原极串联连接的变压器TB1、变压器TB2、变压器TB3和变压器TB4，变压器TB1并联可控硅SCR1、串联可控硅SCR2，变压器TB2并联可控硅SCR3、串联可控硅SCR4，变压器TB3并联可控硅SCR5、串联可控硅SCR6，变压器TB4并联可控硅SCR7串联可控硅SCR8，可控硅SCR2、可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅SCR8串联连接在可控硅SCR12和可控硅SCR14之间，变压器的次级的另一端连接在可控硅SCR11和可控硅SCR13之间；四个变压器的变压之比为1∶2∶2∶2；控制各个可控硅导通或关闭的控制芯片连接所述可控硅，决定全部或部分变压器导通或断开，
波动触点稳压器

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