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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种印刷辊的清洁结构-CN202223583216.4有效
发明人： 邓泽希 -专利权人：武汉鑫海源文体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B41F35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种印刷辊的清洁结构，包括安装框，所述安装框的左右两侧内壁间转动连接有印刷辊，所述安装框的右侧安装有伺服电机，所述伺服电机的输出轴末端延伸至安装框内，并与印刷辊的右侧转轴固定连接；清洁机构，所述清洁机构包括设置在安装框内的移动条，所述移动条的下端固定连接有连接杆，所述连接杆的下端固定连接有清洁环，所述清洁环的内侧设置有毛刷层；辅助机构，所述辅助机构用于提高清洁效果。该清洁结构相对现有技术，清洁更为方便，另外还设置有风干机构，后续完成清洁后，可以快速风干，方便了后续的操作。
一种印刷清洁结构

[发明专利]光掩模版和使用所述光掩模版的测试方法-CN201010123603.2有效
发明人：洪齐元;张斌;邓泽希;张立国 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光掩模版和使用所述光掩模版的测试方法，所述光掩模版包括第一掩模结构和第二掩模结构，所述第一掩模结构用于形成电路图形，所述第二掩模结构用于形成测试图形；所述第二掩模结构中的图形类型涵盖第一掩模结构中图形的所有图形类型。在使用所述光掩模版的测试方法中，只要测试第二掩模结构在硅晶圆上所形成的测试图形即可，无需再去查找位于电路图形不同位置的图形类型，从而节省时间、提高效率。
模版使用述光掩测试方法

[发明专利]曝光方法、光刻方法及通孔的制作方法-CN200710094403.7有效
发明人： 邓泽希 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光方法，包括在基底上形成光阻层以及通过光罩对于基底上的光阻层进行曝光，其中，在所述曝光过程中调节曝光光源中的各个透镜头的相对角度和相对距离以及调节透镜组内环境气压，以使所获得的相应光阻层开口具有比光罩上的掩模图形更大的面积。本发明还公开了一种光刻方法和通孔制作方法，上述方法无需对于原有的通孔掩膜图形额外进行光学邻近修正，因而工艺操作简单，并且效率提高。
曝光方法光刻制作方法

[发明专利]光学近距修正的方法-CN200710126596.X有效
发明人：刘庆炜;邓泽希 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光学近距修正的方法，包括下列步骤：提供至少一个待曝光电路图形；形成至少一个垂直于待曝光电路图形的待曝光辅助图形，所述待曝光辅助图形尺寸小于光刻机分辨率；将待曝光电路图形及待曝光辅助图形转移至光掩膜上，形成电路图形和辅助图形。经过上述步骤，不但在将光掩膜上垂直于电路图形的辅助图形反映到半导体衬底上时，不会形成对应于辅助图形的光刻胶膜图形，使成像结果变好，而且还提高了图形分辨率和DOF。
光学近距修正方法

[发明专利]混合型基于规则的光学近似修正方法-CN200610029513.0有效
发明人：张斌;洪齐元;邓泽希 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种混合型基于规则的光学近似修正方法，这种方法整合了数种基于规则的光学近似修正方法的优点，其主要步骤是，先使用基于多边形的规则区分目标图案为两类，然后对所区分的两类目标图案分别进行X，Y轴向基于边的光学近似修正和中心检查基于边的光学近似修正，这种混合型基于规则的光学近似修正方法可以克服现有方法存在的修正不精确的缺点，并且此种方法不会使光学近似修正的成本上升。
混合基于规则光学近似修正方法

[发明专利]一种应用反散射带的方法-CN200610027445.4有效
发明人：洪齐元;王谨恒;张斌;邓泽希 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-06-08 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明提供一种应用反散射带的方法，主要应用在半导体制程中基于规则的光学近似修正中。按照本发明的方法，利用散射带对半导体器件特征图案进行光学近似修正的时候，对其中的隔离线形图案和隔离沟道图案分别形成散射带并进行修正。通过这样的方法，可以很容易地进行反散射带的插入，扩大制程窗口，从而提高晶片容许测试或者良率性能。
一种应用散射方法

[发明专利]使基于模型的光学近似修正更精确的方法-CN200610027446.9有效
发明人：洪齐元;高根生;张斌;邓泽希 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-06-08 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提出一种使基于模型的光学近似修正更精确的方法，其根据现有光学近似修正方法的误差制订补偿性的修正规则，根据这种规则修正后可以更好地控制光刻形成的特征图案的关键尺寸(CD)，使数据模型趋向稳定和收敛，将误差控制在容许的范围内。
基于模型光学近似修正精确方法

[发明专利]一种寻找集成电路布图设计中目标区域的方法-CN200610026423.6有效
发明人：黄荣瑞;洪齐元;邓泽希 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种寻找集成电路布图设计中目标区域的方法，主要用于寻找集成电路布图设计中容易违反设计规则的存储器区域。此种方法是基于存储器区域与逻辑区域的关键尺寸不同而设计，以特定选取的数值对布图中的图案特征每边进行放大以及缩小，根据图案特征变化的前后差异区分存储器区域和逻辑区域。这种方法具有高效、准确的特点。
一种寻找集成电路设计目标区域方法

[发明专利]临界尺寸均匀性补偿方法-CN200610024871.2无效
发明人：王谨恒;邓泽希 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-03-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明的CD均匀性补偿方法在制造掩膜时利用测试晶片上的CD参数值与版图设计需要的目标CD参数值进行对比，通过运算得到偏差值，将偏差值再与目标CD进行相加运算，得到在实际掩膜上的CD参数值的补偿值，从而将实际光刻工艺之前光学系统在晶片上产生的CD均匀性误差，在掩膜制造阶段进行补偿。掩膜图形转移到晶片上的时候，由于掩膜上的CD均匀性针对曝光系统的特性已经进行了补偿，因此在实际晶片上的中央区域和边缘区域得到了补偿后的CD值，使得CD均匀性得到了改善和提高。
临界尺寸均匀补偿方法

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