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[发明专利]光掩模的制造方法、光掩模及显示装置的制造方法-CN201710333361.1有效
发明人：山口昇 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供光掩模的制造方法、光掩模及显示装置的制造方法，实现图案的CD精度及坐标精度良好的光掩模。在制造具有包括遮光部、半透光部及透光部的转印用图案的光掩模时，准备在透明基板(1)上层叠了半透光膜(2)、中间膜(3)及遮光膜(4)而成的光掩模坯体，通过蚀刻将成为遮光部的区域以外的区域的遮光膜(4)去除
光掩模制造方法显示装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810175032.X有效
发明人：藤川最史;细谷邦雄;千叶阳子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明的制造方法包括如下工序：在衬底上形成由透明导电层和金属层的叠层构成的第一导电层，并且使用第一多级灰度掩模来形成由第一导电层构成的栅电极和由单层的透明导电层构成的像素电极；在形成栅极绝缘膜和I型半导体层和n⁺型半导体层之后使用第二多级灰度掩模形成像素电极中的接触孔及I型半导体层和n⁺型半导体层的岛；在形成第二导电层之后使用第三光掩模形成源电极及漏电极；在形成保护膜之后使用第四光掩模来形成开口区域注意，该使用第四光掩模的工序可以通过使用背面曝光技术及回流技术而省略掩模。
半导体装置制造方法

[发明专利]极紫外波长范围的掩模的制造方法、掩模和设备-CN201580058065.4有效
发明人： J-H.彼得斯;J.F.布鲁姆里奇;A.加雷托;R.卡佩利 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种由掩模坯体(250，350，550，950)制造极紫外波长范围的掩模的方法，所述掩模坯体具有缺陷(220，320，520，620，920)，其中，所述方法包括下列步骤：a.将所述缺陷(220，320，520，620，920)归类为至少一个第一组和第二组；b.优化掩模坯体(250，350，550，950)上的吸收体图案(170)的布置，以通过布置的吸收体图案(170)补偿最大数量的第一组的缺陷；以及c.将优化的吸收体图案(170)施加到掩模坯体(250，350，550，950)。
紫外波长范围制造方法设备

[发明专利]基板的再生方法、掩模坯体的制造方法、带多层反射膜的基板和反射型掩模坯体的制造方法-CN201010547438.3有效
发明人：桥本雅广;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种使基板再生的方法，该方法通过除去在由玻璃构成的基板的主表面上具备图案形成用的薄膜的掩模坯体、或使用该掩模坯体制作的转印用掩模的所述薄膜，从而使基板再生，该方法中，通过使掩模坯体或转印用掩模的薄膜与含有氯
再生方法掩模坯体制造多层反射型掩模坯体

[发明专利]掩膜坯、掩膜坯的制造方法、光掩膜及光掩膜的制造方法-CN202010933261.4在审
发明人：诸沢成浩 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G03F1/46 文献下载
摘要：本发明涉及掩膜坯、掩膜坯的制造方法、光掩膜及光掩膜的制造方法。本发明的掩膜坯具有作为相移掩膜的层，该掩模坯具有：相移层，层叠于透明基板；防反射层，被设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置；以及密合层，被设置在比所述防反射层更远离所述透明基板的位置。
掩膜坯制造方法光掩膜

[发明专利]负型光阻混合物及光阻图案形成方法-CN202010187210.1有效
发明人：高攀 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，负型光阻混合物包括香豆素衍生线性聚合物，光阻图案形成方法包括整层涂布负型光阻混合物形成一负型光阻层，使用掩模构件对负型光阻层的遮光部分进行遮光，对负型光阻层未被掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，曝光部分包括负型光阻层和包裹负型光阻层的体型凝胶，使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。
负型光阻混合物图案形成方法

[发明专利]掩模坯、半色调掩模、掩模坯的制造方法及半色调掩模的制造方法-CN201910738617.6有效
发明人：诸沢成浩 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩模坯、半色调掩模、掩模坯的制造方法及半色调掩模的制造方法。本发明的掩模坯具备：透明基板；半色调层，层压在所述透明基板的表面上且以Cr为主成分；蚀刻停止层，层压在所述半色调层上；和遮光层，层压在所述蚀刻停止层上且以Cr为主成分。
掩模坯色调制造方法

[发明专利]相移型光掩模坯料和相移型光掩模-CN201910914432.6在审
发明人：高坂卓郎;小泽良兼 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供相移型光掩模坯料和相移型光掩模。具体提供一种相移型光掩模坯料，其包括透明衬底和其上的相移膜，所述相移膜由单层或多层组成，所述单层或多层包括选自由过渡金属、硅、氮和氧构成的层和由硅、氮和氧构成的层中的至少一层，对于波长为200nm以下的光
相移型光掩模坯料

[发明专利]反射型光掩模及反射型光掩模基板-CN201080014323.6有效
发明人：松尾正 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：目的在于提供一种能够降低投影效应的反射型光掩模及反射型光掩模基板，所述投影效应会导致EUV光的转印精度的劣化现象。本发明是一种反射型光掩模，用于通过反射EUV光来照射反射光，其特征在于，具有：基板，高反射部，其形成在所述基板上，低反射部，其形成在所述高反射部之上，且被刻画了图案；被刻画了图案的所述低反射部至少层叠一层以上
反射型光掩模型光掩模基板

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板及EUV光刻用反射型掩模-CN200980127898.6有效
发明人：林和幸;宇野俊之;海老原健 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供来自掩模图案区域外侧的区域的反射光所造成的影响得到抑制的EUV掩模及用于该EUV掩模的制造的EUV掩模基板。EUV光刻(EUVL)用反射型掩模在衬底上具有掩模图案区域和位于该掩模图案区域的外侧的EUV光吸收区域，所述掩模图案区域中在所述衬底上具有反射EUV光的反射层，该反射层上存在包括吸收EUV光的吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位，包括所述吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位的配置形成掩模图案，该掩模的特征在于，来自所述吸收体层表面的EUV反射光的反射率为5～15％，来自所述EUV光吸收区域表面的EUV反射光的反射率在1％以下
euv 光刻反射型掩模基板型掩模

[发明专利]检验相移光掩模的相移角的方法、光刻工艺与相移光掩模-CN200510082062.2有效
发明人：郑永丰;周岳霖;林金隆 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-07-01 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种检验相移式光掩模的相移角的方法。首先，取得一类型的相移式光掩模的相移角对应一工艺能力特征值的校正曲线。接着，将待检验的该类型相移式光掩模的图案转移至一光致抗蚀剂层上以形成光致抗蚀剂图案，并测量上述工艺能力特征值。然后依照上述校正曲线，由该工艺能力特征值推得该相移式光掩模的实际相移角，以供检验。
检验相移光掩模方法光刻工艺

[发明专利]半色调掩模、光掩模坯和半色调掩模的制造方法-CN201780070660.9有效
发明人：山田慎吾;森山久美子;美作昌宏 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其结果，实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。
色调光掩模坯制造方法

[发明专利]半色调掩模、光掩模坯和半色调掩模的制造方法-CN201780070662.8有效
发明人：美作昌宏 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够兼顾图案细微化和多灰阶的半色调掩模。其结果，在邻接的第一半透过区域与第二半透过区域的边界部分，曝光光的强度分布陡峭地变化，能够改善经曝光后的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
色调光掩模坯制造方法

[发明专利]形成具有匹配几何形状的集成电路部件的系统和方法-CN200580023835.8无效
发明人： K·G·格林 -专利权人：凸版光掩膜公司
申请日： 2005-07-14 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：形成第一光掩模，该第一光掩模包括具有对应于第一类型的集成电路部件的第一几何形状的第一掩模部件。执行第一光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第一位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第一集成电路部件。执行第二光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第二位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第二集成电路部件。
形成具有匹配几何形状集成电路部件系统方法

[发明专利]光掩模，制造光掩模的方法以及使用其的光刻方法和系统-CN200610092512.0无效
发明人：许圣民;金熙范;李东根;全爘旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：根据本发明的光掩模根据使用光掩模所形成的图像类型的照射类型提供选择性区域优化。光掩模包括光偏振结构，其偏振入射到偏振结构的光。来自光刻曝光系统中的源的第一照射类型的光入射到光掩模。部分光入射到包括偏振结构的光掩模的区域，并且光的另一部分入射到不包括偏振结构的光掩模的另一区域。将入射到偏振结构的光的照射类型改变为第二照射类型，使得来自具有偏振结构的光掩模区域的入射到例如集成电路晶片衬底的光是第二照射类型。没有入射到偏振结构的部分光的照射类型没有改变，使得来自光掩模的该部分的入射到晶片的另一部分的光是第一类型。通过选择性地区域地控制光刻工序中的照射类型，在晶片的整个区域中优化曝光系统的分辨率。
光掩模制造方法以及使用光刻系统