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[发明专利]一种矿石浸出液储槽-CN202310767789.2在审
发明人：华志宇;任占誉;任新平;杨红英;段超 -专利权人：昆明有色冶金设计研究院股份公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B65D88/68 文献下载
摘要：本发明提供一种矿石浸出液储槽，包括设于地面支架上的其内带空腔的罐体，设于罐体上并连通空腔的进液口、出液口，以及设于罐体上的液位计，罐体底部设为其内带空腔的锥形底，该锥形底空腔内设有螺旋输送机及其驱动机构，出液口分设为两个，其中一个出液口与螺旋输送机输入端相接，另一个出液口设于螺旋输送机上方的罐体上，两个出液口通过输送管路与外部设备相连通，螺旋输送机输出端处设有与储渣罐相连接的排渣口。通过罐体存储矿石浸出液，再通过底部的螺旋输送机将矿石浸出液沉淀出来的沉淀物全部输送至罐体外的储渣罐内，从而避免沉淀物淤积堵塞出液口，排出的矿石浸出液外送至其他设备，完成后序生产。
一种矿石浸出液储槽

[发明专利]一种液态二氧化碳高压高温气化装置-CN202310712054.X在审
发明人：华志宇;任占誉;张燕;任新平;刘硕 -专利权人：昆明有色冶金设计研究院股份公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： F17C9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种液态二氧化碳高压高温气化装置，包括与液态二氧化碳供液管相连通的液态二氧化碳储罐，其特征在于液态二氧化碳储罐通过第一管道与低温液态二氧化碳增压泵相连接，低温液态二氧化碳增压泵通过第一管道与U形液态二氧化碳气化器相连接，U形液态二氧化碳气化器通过第二管道与气态二氧化碳高压储罐组相连接，气态二氧化碳高压储罐组通过管道与下游用户相连接，其中：U形液态二氧化碳气化器与高温废水管相连通，气态二氧化碳高压储罐组上包裹有与高温废水管相连通的水套。提高液态二氧化碳气化率、利用率，降低企业能耗。
一种液态二氧化碳高压高温气化装置

[实用新型]一种二维盆底肌肌力张力评估装置-CN202320815316.0有效
发明人：周强;李强;贾利浦;徐颖宾;贾明旭;任新平;薛文军 -专利权人：河南优德医疗设备股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： A61B5/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种二维盆底肌肌力张力评估装置，包括第一检测段和第二检测段，第一检测段内部设置有第一应力单元，第一应力单元纵向设置，第二检测段内部设置第二应力单元，第二应力单元横向设置，第一应力单元和第二应力单元均为柱状结构，第一应力单元内部设置有第一应力传感器，第二应力单元内部设置有第二应力传感器，所述第一应力传感器和第二应力传感器电性连接有检测机构，检测机构包括MCU芯片和通信模块。设置纵向排列的椭圆形的第一检测段和第二检测段，结合纵向设置的第一应力单元和横向设置的第二应力单元，以及用于检测第一应力单元和第二应力单元张力的应力传感器，达到针对盆底肌肉群的分布特点进行二维张力检测的效果。
一种二维盆底肌肌力张力评估装置

[实用新型]一种便携式电刺激装置-CN202320339706.5有效
发明人：周强;李强;贾利浦;薛文军;郑道;任新平;贾明旭 -专利权人：河南优德医疗设备股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： A61N1/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种便携式电刺激装置，包括电极，电极呈球形结构，电极设置有支撑杆，支撑杆为弹性材质制成的Y字形结构，电极的数量为两个，两个电极分别与支撑杆的端部固定，支撑杆的尾部设置有手柄，手柄内设置有电控模块，支撑杆与手柄插接固定，电控模块包括MCU芯片、电刺激输出模块、按键电路、强度检测模块和显示单元，MCU芯片的输入端连接按键电路，MCU芯片的输出端电性连接电刺激输出模块，电刺激输出模块电性连接电极。本实用新型采用球形电极相较于电极片接触面积小，并设置支撑杆方便电极布设，相较于电极片实现精准刺激，设置手柄用于电极的档位调节，操作方便。
一种便携式刺激装置

[发明专利]一种一体化吸附电极-CN202310346463.2在审
发明人：李强;贾佳;贾利浦;任新平;史浩威;贾明旭;郑道;何建伟 -专利权人：河南优德医疗设备股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： A61N1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种一体化吸附电极，包括吸附碗，吸附碗包括吸附部、连接部和底部，吸附部的敞口位置设置底部，底部为截面呈半圆形的环状结构；吸附部的上部设置连接部，连接部的内部固定设置有中轴，中轴为阶梯圆柱状结构，中轴的小径端设置于连接部内部，中轴的大径端设置于吸附部内部，中轴内部设置有排气孔，中轴的上端设置真空泵，真空泵与排气孔连通，连接部对应真空泵的排气口设置有风道；中轴大径端的底面中部设置有电极和压力传感器，中轴开设有过线孔；连接部的上端设置有封盖。本发明的电极与气道互相独立，提高了设备使用寿命，同时一体化结构，布设简单且便于携带。
一种一体化吸附电极

[发明专利]曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机-CN202310251679.0在审
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括：第一反射式光掩模版，包括第一透光基底和第一反射式掩模图形；第二反射式光掩模版，包括第二透光基底和第二反射式掩模图形；反射装置；曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射出的光线可界定出同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案，以通过组合投影图案在晶圆上实现一次性曝光。本发明可有效提高光刻机的分辨率和对比度，并简化光刻工艺。
曝光成像结构反射式光掩模版投影光刻

[发明专利]用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法-CN202210817896.7有效
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法，光掩模版结构包括：第一透光基底，第一透光基底包括相对的第一面和第二面；第一遮光掩模图形，设置于第一透光基底的第一面；第二透光基底，第二透光基底包括相对的第一面和第二面；第二遮光掩模图形，设置于第二透光基底的第一面；第一透光基底与第二透光基底堆叠设置，第一遮光掩模图形与第二遮光掩模图形不重叠，能在曝光系统投影的同一平面上的投影共同形成光掩模版结构所需的光掩模精细图案。基于本发明的光掩模版结构的光刻分辨率得到了较大的提升，晶圆上的图案缺陷得到了显著改善，同时光刻工艺的过程也得到了简化。
用于 duv 光刻模版结构及其制备方法

[发明专利]相移光掩模结构及其制备方法-CN202211614581.9在审
发明人：季明华;黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种相移光掩模结构及其制备方法，制备方法包括：提供一石英基底；通过第一阻挡层图形在石英基底中定义出相移区域；通过离子注入工艺将第一反应离子注入至石英基底的相移区域表层，第一反应离子与石英基底反应形成相移材料层，相移材料层的顶面与石英基底的顶面在同一平面上；去除第一阻挡层图形；通过离子注入工艺制备遮光材料层。本发明通过离子注入方式，可在同一石英基底上实现移相区和遮光区，大大拓展了光掩模的适用范围；通过离子注入反应的方式形成较薄的相移材料层或遮光材料层，可以实现较为理想的衰减和相移，可在晶圆上获得更好的分辨率和对比度，同时大大简化了光掩模的制作工艺。
相移光掩模结构及其制备方法

[发明专利]EUV光掩模体的缺陷检测方法及系统-CN202210493423.6有效
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种EUV光掩模体的缺陷检测方法及系统,能够在不破坏待测EUV光掩模体(包括EUV掩模坯体或者具有相应图案的EUV光掩模版)的前提下，采用不同波长的极紫外激光对待测EUV光掩模体的至少一个待测位置点进行扫描，得到相应的反射率，通过对这些反射率的分析，得到相应的待测位置点的缺陷信息，包括横向上的分布范围以及深层次内的信息。
euv 光掩模体缺陷检测方法系统

[发明专利]用于EUV光刻的反射式光掩模版结构及其制备方法-CN202211615566.6在审
发明人：季明华;黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的反射式光掩模版结构及其制备方法，包括：提供一石英基底；于所述石英基底上沉积反射叠层，于所述反射叠层中形成贯穿槽，以形成吸收图案，所述吸收图案以外的所述反射叠层区域形成反射图案。本发明在石英基底上仅设置反射层而不设置吸收层，通过在反射层中设置贯穿槽显露出底部的石英基底，并直接采用石英基底对13.5纳米波长的曝光光线进行吸收，不需要在反射层上设置吸收层，大大简化了光掩模版的结构和制备工艺，相比于传统结构，本发明可以有效消除吸收层对反射光的影响，提高光刻的分辨率和对比度。
用于 euv 光刻反射式光掩模版结构及其制备方法

[实用新型]一种具有肌电检测功能的电刺激调节电路-CN202221979284.X有效
发明人：高峰;李强;贾利浦;贾佳;任新平;郑道;贾明旭 -专利权人：河南优德医疗设备股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： A61B5/395 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有肌电检测功能的电刺激调节电路，包括肌电采集电路，电极片与控制单元之间通过肌电采集电路构成肌电检测回路，所述肌电采集电路包括仪表放大器和运算放大器，所述仪表放大器的输入端分别与电极片a和电极片b连接，仪表放大器的输出端连接运算放大器的输入端，所述运算放大器的输出端连接控制单元；所述控制单元包括MCU芯片；所述电极片设置有开关电路，所述开关电路用于切换电刺激回路和肌电检测回路的通电状态。本实用新型设置有有肌电检测回路，肌电采集电路通过电极片进行肌电信号采集并传输至控制单元，控制单元连接有开关电路用于切换电刺激回路和肌电检测回路的通电状态，为电刺激调节提供便利。
一种具有检测功能刺激调节电路

[发明专利]单晶SiC/Si晶圆基底、异质结构及其制备方法-CN202110619695.1在审
发明人：黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶SiC/Si晶圆基底、异质结构及其制备方法。所述单晶SiC/Si晶圆基底包括：Si衬底，所述Si衬底上形成有图案化的多个单元区域，多个所述单元区域彼此由间隔区间隔开，并且每一单元区域包括形成于相应的单元区域上的单晶SiC层。所述异质结构包括前述的单晶SiC/Si和GaN层。所述制备方法包括通过退火工艺使所述含碳材料层与凹槽中暴露出的所述Si衬底反应以选择性地生长单晶SiC层。相似地，通过MOCVD外延生长工艺使所述含氮气体和含镓的气相材料在图案化的单晶SiC/Si晶圆基底上反应形成单晶GaN层。所得到的单元区域内的单晶SiC和GaN结构具有高质量和低缺陷密度。
sic si 基底结构及其制备方法

[发明专利]移相掩膜版及其制作方法-CN202110518601.1在审
发明人：黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种移相掩膜版及其制作方法，移相掩膜版包括：透光基板；遮光层，覆盖于透光基板上以形成遮光区域，遮光层被去除并停止于透光基板表面的区域形成透光区域，遮光层被去除且其下方的透光基板被部分去除的区域形成第一移相区域；移相层，覆盖于透光区域以形成第二移相区域及覆盖于第一移相区域以形成第三移相区域，移相层使透过移相层的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。本发明一方面可以避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高，另一方面，可以有效拓宽移相掩膜版的功能，使其可以满足各种不同应用场景的需求。
移相掩膜版及其制作方法

[发明专利]EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法-CN202211076680.6在审
发明人：季明华;董于虎;黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法，通过向空白石英基板的表层交替多次注入钛离子和氧离子，并热处理，使得空白石英基板的表层转换为含氧化钛硅酸盐的石英膜层，并进一步对含氧化钛硅酸盐的石英膜层的较为粗糙的表面进行平坦化，从而利用氧化钛和氧化硅的热膨胀相互抵消的作用，使得所述EUV级衬底表面的热膨胀系数小于或等于0.1ppm/℃，进而可以获得低成本、高性能、低缺陷、工作面平坦的EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版。
euv 衬底掩模基版模版及其制造方法

[发明专利]曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法-CN202210644423.1有效
发明人：季明华;黄早红;任新平;林岳明 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法，该装置包括透光基板及表面等离子激元层，其中，表面等离子激元层包括多个纳米单元结构，多个所述纳米单元结构分别在所述表面等离子激元层平面的第一方向和第二方向上设置为可与曝光光线的波长匹配而产生和频效应的周期性间隔排布，和频效应可形成穿过所述透光基板的和频光，和频光的功率占穿过所述表面等离子激元层的曝光光线的总功率的比例＞30%。通过频率增强该装置，使曝光光线含有30%以上的比原曝光光线频率更高（波长更短）和频光，因此，本发明可大大提高投影式光刻工艺的分辨率和对比度。
曝光光线频率增强装置光掩模及其制备方法

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