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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]双镶嵌结构的形成方法-CN200710040986.5有效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-05-21 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供一表面具有介质层的半导体衬底；在所述介质层表面形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面形成第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层表面形成第一光刻胶图形；以所述第一光刻胶图形为掩膜刻蚀部分所述第一硬掩膜层；移除所述第一光刻胶图形；在所述第一硬掩膜层表面形成第二牺牲层；在所述第二牺牲层表面形成第二硬掩膜层；在所述第二硬掩膜层表面形成第二光刻胶图形；刻蚀所述第二硬掩膜层、第二牺牲层、第一硬掩膜层、第一牺牲层以及介质层
镶嵌结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410736243.1有效
发明人：张海洋;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成初始掩膜层；对所述初始掩膜层进行掺杂处理，将初始掩膜层转化为掺杂掩膜层；在所述掺杂掩膜层表面形成具有第一开口的第一图形层；以所述第一图形层为掩膜，采用干法刻蚀工艺沿第一开口刻蚀所述掺杂掩膜层，形成贯穿掺杂掩膜层的第二开口，且所述干法刻蚀工艺对掺杂掩膜层的刻蚀速率大于对初始掩膜层的刻蚀速率；去除所述第一图形层。本发明干法刻蚀工艺对掺杂掩膜层的刻蚀速率大于对初始掩膜层的刻蚀速率，因此无需形成有机分布层，避免有机分布层材料残留问题，提高初始掩膜层以及第二开口的洁净度，提高形成的半导体结构良率。
半导体结构形成方法

[发明专利]电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构-CN200810005124.3有效
发明人：邓端理;吴泰伯;张文渊;李自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-01-22 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构，该电阻式存储器装置包含：第一电极层，形成于基底上；第一缓冲层，形成于该第一电极层上，其晶格结构具有第一位向；介电层，形成于该第一缓冲层上，其晶格结构与该第一缓冲层的具有第一位向的晶格结构相同，其中以该介电层形成于该第一缓冲层上的电阻率，大于另一以该介电层形成于该第一电极层上的电阻率；以及第二电极层，形成于该介电层上。本发明可增加介电层与一层或同时两层缓冲层间的同调性，从而改善RRAM堆叠层的电阻率。
电阻存储器装置随机存取存储器堆叠结构

[发明专利]非挥发性记忆体及其制造方法-CN200510056835.X有效
发明人：张国华 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-03-22 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该非挥发性记忆体，其是由基底、金属闸极层、源极区与汲极区、穿隧介电层、电荷陷入层、阻挡介电层以及通道区所构成。金属闸极层设置在基底上。源极区与汲极区设置于金属闸极层两侧的基底中。穿隧介电层设置于金属闸极层与基底之间。电荷陷入层设置于穿隧介电层与金属闸极层之间，其中电荷陷入层是由多数个电荷陷入区块所构成，且这些电荷陷入区块是由一沟渠所分隔。阻挡介电层设置于电荷陷入层与金属闸极层之间，且填满电荷陷入层中的沟渠。通道区设置于电荷陷入层下方及源极区与汲极区之间的基底中。
挥发性记忆体及其制造方法

[发明专利]硅基液晶面板及相关方法-CN201610086102.9有效
发明人：林蔚峰;邓兆展 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：提供一种包括电接触层的硅基液晶(LCOS)面板，该电接触层图案化地被沉积在透明导电层的一部分上。对准层在LCOS面板组件中保护导电层和电接触层。对准层被蚀刻掉以露出电接触层，其在蚀刻过程中保护底下的导电层。所得的LCOS面板可以更可靠地形成了电接触层，可用来改进电连接到导电层的稳定性。一种用于在LCOS面板的导电层上形成电接触层的方法，其包括将图案化层沉积在导电层的一部分之上的步骤。该方法兼容于可扩展的制造的微加工技术。所得的LCOS面板包括一个或多个暴露在导电层的一部分的电接触层的图案。
液晶面板相关方法

[发明专利]低内阻抗导电层的芯片电阻器结构-CN200410070779.0有效
发明人：徐松宏;周东毅;甄文均 -专利权人：信昌电子陶瓷股份有限公司
申请日： 2004-07-26 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：一种低内阻抗导电层的芯片电阻器结构，是在一基板上形成有一对第一表面导电层，一电阻层形成在该基板及第一表面导电层的表面上，该电阻层的两端是分别电连接于该第一表面导电层，一对第二表面导电层，形成在该电阻层的两侧端表面上与第一表面导电层上，并分别对应于该第一表面导电层，最后再以一绝缘保护层覆设在该电阻层及第二表面导电层上。藉由该第二表面导电层与对应的第一表面导电层以上下对应的方式接触于该电阻层的两侧端表面及底面，使降低该芯片电阻器的导电层内阻抗。
阻抗导电芯片电阻器结构

[发明专利]共挤复合石塑PVC地板-CN201610381136.0有效
发明人：李远扬;梁炳康;周强 -专利权人：惠州伟康新型建材有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： E04F15/10 文献下载
摘要：一种共挤复合石塑PVC地板，由上到下依次为耐磨层、印刷层、石塑PVC共挤层，所述印刷层热压于石塑PVC共挤层上，耐磨层热压于印刷层上。其中石塑PVC共挤层可以是由石塑层和PVC发泡吸音层双层共挤形成，也可以是由PVC底料层、石塑微发泡层、第二PVC发泡吸音层三层共挤而成。本发明采用共挤技术生产石塑PVC共挤层，再采用热压技术贴合印刷层和耐磨层，形成共挤复合石塑PVC地板，整个生产过程不需要使用胶水，极大的降低了生产成本，减少了对工人身体健康的危害，极大的减少了产品在使用过程中
复合 pvc 地板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200410062409.2有效
发明人：李正荣;柳世桓;全相镇;朴旻昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-07-02 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻上部导电层、下部导电层、及半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻钝化层露出上部导电层第一部分和第二部分；除去上部导电层第一及第二部分，露出下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖下部导电层第一部分的像素电极；除去下部导电层第二部分，露出半导体层一部分；在半导体层露出部分上形成间隔材料支柱。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]一种阻燃电缆及其制备方法-CN201610496821.8有效
发明人：瞿庆广;骆垠旭;王汉元;王炳华;李成林 -专利权人：安徽埃克森科技集团有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：本发明涉及电缆加工技术领域，具体提供了一种阻燃电缆，包括绝缘线芯层、屏蔽层、增强层、耐高温层和防护层，所述绝缘线芯层由多根绝缘线芯绞合而成，每根绝缘线芯由导体和包覆于导体外的高温绝缘层构成，所述屏蔽层缠绕于绝缘线芯层外周，增强层包裹在屏蔽层外周，耐高温层设于增强层外表面，防护层包覆于增强层外表面；所述高温绝缘层为乙烯‑四氟乙烯共聚物层；还提供了制备上述阻燃电缆的方法，制备简单，操作方便。
一种阻燃电缆及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610006255.4有效
发明人：余振华;潘兴强;眭晓林;谢静华;黄震麟;李显铭;林俊成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其提供在介电层中具有独特阻障层的开口。在一实施例中，该开口包括介层窗与沟槽，而阻障层为一层或多层阻障层。在该开口侧壁上，该一层或多层阻障层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿沟槽底部的厚度的比例大于0.55。在另一实施例中，该开口侧壁上，该一层或多层阻障层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿介层窗底部的厚度的比例大于1.0。位于下方的导电层可形成凹陷区。根据本发明的半导体装置，其中的阻障层能避免或减少金属物质沿介层窗侧壁扩散及降低介层窗与下层导电物质间接触电阻。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种市政降噪隔离带-CN201810102380.8有效
发明人：陈金碧 -专利权人：温州华睿建设有限公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： E01F8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种市政降噪隔离带，其技术方案要点是包括支撑层、设置在支撑层靠近道路一侧的用于将声音从道路上引导入市政降噪隔离带中的收音层以及设置在支撑层背离道路一侧的反射层，收音层与支撑层之间以及支撑层与反射层之间都设置有灌注层，灌注层当中设置有灌注孔，灌注孔两端呈圆形并且随着两侧深入灌注层中直径不断扩大，灌注孔当中设置有用于吸音的吸音块；所述反射层靠近道路的一侧设置有若干反射齿；所述支撑层底部设置有用于对支撑层、收音层和灌注层进行支撑的支撑件
一种市政隔离带

[发明专利]基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池-CN201810047126.2有效
发明人：闵永刚;刘泽;唐亚楠;惠志清;崔岱麒;邓云恺 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明是一种基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，在下层透明电极与上层电极层之间夹有五层功能层，其特征在于：所述五层功能层由下到上依次为空穴传输层，纤维素界面修饰层、钙钛矿活性层及电子传输层、缓冲层，所述空穴传输层、纤维素界面修饰层、钙钛矿活性层及电子传输层全部通过低温溶液法制备成膜。本发明在钙钛矿太阳能电池的空血传输层与钙钛矿活性层之间加入一薄层纤维素薄膜，纤维素可改善氧化镍表面浸润性，易于形成连续均匀的钙钛矿薄膜，钙钛矿太阳能电池的光电转换效率从12.52提高到13.37，提高了
基于纤维素修饰空穴传输钙钛矿太阳能电池

[发明专利]大孔径声光可调滤光器-CN201711449207.7有效
发明人：张泽红;何晓亮;王晓新 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种大孔径声光可调滤光器，包括声光介质、换能器和焊接层，换能器通过焊接层与声光介质键合连接，焊接层为五层，从声光介质到换能器依次为打底层Ⅰ、过渡层Ⅰ、键合层、过渡层Ⅱ和打底层Ⅱ；在换能器上镀制表电极；所述打底层Ⅰ和打底层Ⅱ均为钛薄膜层；所述过渡层Ⅰ和过渡层Ⅱ均为铜薄膜层；所述键合层为锡银铟合金层。制作时，在换能器和声光介质的两侧分别设有一个蒸发源，同时对换能器和声光介质蒸发键合层材料，以获得大面积的厚度均匀的键合层薄膜，键合层薄膜同时覆盖在换能器和声光介质的铜薄膜层之上。
孔径声光可调滤光

[发明专利]HEMT器件及其制备方法-CN201810461440.5有效
发明人：马晓华;郝跃;陈丽香;祝杰杰;刘捷龙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种HEMT器件及其制备方法，包括：S101、选取外延基片；所述外延基片由下往上依次包括衬底、成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；S102、在所述GaN缓冲层上制作源电极和漏电极；S103、在所述源电极、所述漏电极和所述GaN帽层上依次生长SiN层和有机物层形成钝化层；S104、在所述有机物层和所述GaN帽层上生长栅介质层；S105、制备栅电极和金属互联层以完成所述HEMT器件的制备本发明提供的HEMT器件及其制备方法在生长SiN层再生长一层BCB有机物层，使器件具有低的吸湿性和优异的应力行为和良好的金属黏附性，可以提高器件可靠性。
hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种隔离型防穿透线缆-CN201710501783.5有效
发明人：曾令果;李志均 -专利权人：重庆渝丰电线电缆有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01B7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离型防穿透线缆，包括线芯和内防护层，所述线芯由传输线芯和承力线芯组成，所述线芯的外侧包裹有线皮，并且所述内防护层安装在线皮的外部，所述内防护层的外侧安装有屏蔽层，所述屏蔽层和内防护层中间设置有第一基质填充层，所述屏蔽层的外侧安装有防穿透层，所述防穿透层的外侧设置有外防护层，所述外防护层和防穿透层的中间设置有第二基质填充层。本发明结构简单，通过设置防穿透层和基质填充层，能够有效的防止线缆整体外皮破裂或外部受损，并且整体受力能力强，适用范围广，并且通过在装置的内部安装屏蔽层，有效的对装置外部的信号进行屏蔽，不会对传输的信号产生影响
一种隔离穿透线缆

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