专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像传感器和用于读出图像传感器的信号的方法-CN202210742333.6在审
  • 宇井博贵;船津英一 - 豪威科技股份有限公司
  • 2022-06-28 - 2023-10-24 - H04N25/70
  • 一种图像传感器和用于读出图像传感器的信号的方法。图像传感器包含以矩阵布置且其中每一个响应于入射光而输出信号的多个像素,其中可相对于多个像素执行数据的读出,且可执行多个像素列的数据的同时读出,且可读取待同时读取的多个像素列中的至少一个像素,以用于相对于所划分子像素中的每一个进行相位检测。图像传感器配置成:以n行作为读出单元,其中n为2或大于2的整数;在读出单元内的一个读出周期中对至少一个像素的至少一个子像素执行读出;在读出单元内的另一读出周期中对每一像素执行读出,包含对至少一个像素的另一个子像素的相位检测读出,其中至少一个子像素已在一个读出周期中读取;以及以n+1个读出周期结束读出单元的读出。
  • 图像传感器用于读出信号方法
  • [发明专利]低功率电流积分DAC斜变稳定辅助电路-CN202211603360.1在审
  • 孙涛 - 豪威科技股份有限公司
  • 2022-12-13 - 2023-10-20 - G05F1/56
  • 本申请案涉及低功率电流积分DAC斜变稳定辅助电路。斜变产生器包含具有用以产生斜变信号的输出的运算放大器。积分电流源耦合到第一输入且参考电压耦合到所述运算放大器的第二输入。反馈电容器和重置开关耦合于所述运算放大器的所述第一输入与所述输出之间。所述重置开关接通以重置所述斜变产生器。斜变事件被配置成响应于所述重置开关关断而在所述运算放大器的所述输出处的所述斜变信号中产生。辅助电流源耦合于所述运算放大器的所述输出与地之间。所述辅助电流源被配置成响应于所述重置开关关断而将来自所述运算放大器的所述输出的辅助电流传导到地。
  • 功率电流积分dac稳定辅助电路
  • [发明专利]低功率像素读出的重新稳定时序-CN202211439097.7在审
  • 杨征;傅玲 - 豪威科技股份有限公司
  • 2022-11-17 - 2023-10-17 - H04N25/78
  • 本公开涉及低功率像素读出的重新稳定时序。一种像素读出电路包含耦合到所述像素电路的位线输出的模/数转换器。开关耦合于所述像素电路的所述位线输出与参考电压之间。所述开关在所述模/数转换器的自动归零操作之前第一次脉冲启动及关断以将位线稳定到所述参考电压。所述开关在所述自动归零操作之后且在第一模/数转换之前第二次脉冲启动及关断以将所述位线稳定到所述参考电压。所述开关经配置以在所述第一模/数转换操作之后且在第二模/数转换操作之前第三次脉冲启动及关断以将所述位线稳定到所述参考电压。
  • 功率像素读出重新稳定时序
  • [发明专利]比较器和成像系统-CN202111230713.3有效
  • 海老原弘知;许程成 - 豪威科技股份有限公司
  • 2021-10-22 - 2023-10-17 - H04N25/78
  • 本申请案涉及比较器第一级箝位。一种比较器包含第一级,所述第一级包含第一输出以产生响应于所述第一级的第一与第二输入的比较而在上与下电压电平之间转变的第一输出信号。第二级包含经耦合以从所述第一级的所述第一输出接收所述第一输出信号的输入及经配置以响应于所述第一输出信号而产生第二输出信号的第二输出。箝位电路包含第一节点及第二节点。所述第一节点耦合到所述第一级的所述第一输出且所述第二节点耦合到电源电压。所述箝位电路经配置以箝制所述第一节点与所述第二节点之间的电压差以箝制所述第一输出信号的电压摆动。
  • 比较成像系统
  • [发明专利]金属深沟槽隔离偏置解决方案-CN202110724464.7有效
  • 臧辉;陈刚;K·金恩 - 豪威科技股份有限公司
  • 2021-06-29 - 2023-10-13 - H01L27/146
  • 本申请案涉及金属深沟槽隔离偏置解决方案。一种图像传感器包含安置在像素区域中且接近半导体层的前侧的光电二极管。在经安置接近所述半导体层的背侧的背侧氧化物层中形成背侧金属光栅。在所述半导体层中形成具有多个像素区域部分及边缘区域部分的深沟槽隔离DTI结构。将所述像素区域部分安置在所述半导体层的所述像素区域中使得入射光被引导通过所述背侧金属光栅,通过所述半导体层的所述背侧,且在所述DTI结构的所述像素区域部分之间到达所述光电二极管。所述DTI结构的所述边缘区域部分经安置在所述像素区域外部的边缘区域中。用DTI偏置电压偏置所述DTI结构的所述边缘区域部分。
  • 金属深沟隔离偏置解决方案

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