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- [发明专利]深紫外线发光二极管-CN202180060903.7在审
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金泰均;郭俊植;李圭浩
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首尔伟傲世有限公司
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2021-07-16
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2023-05-30
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H01L33/04
- 根据本发明提供一种深紫外线发光二极管,根据一实施例的深紫外线发光二极管包括:基板;n型半导体层,位于所述基板上;台面,布置在所述n型半导体层上且包括活性层和p型半导体层,并且具有使所述n型半导体层暴露的多个通孔;n欧姆接触层,在所述通孔内与所述n型半导体层接触;p欧姆接触层,与所述p型半导体层接触;n垫金属层,与所述n欧姆接触层电连接;p垫金属层,与所述p欧姆接触层电连接;n凸块,与所述n垫金属层电连接;以及p凸块,与所述p垫金属层电连接,其中,所述p垫金属层形成为围绕所述n垫金属层。
- 深紫外线发光二极管
- [发明专利]石塑地板及其制备方法-CN202211324173.X在审
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林正雄
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林正雄
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2022-10-27
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2023-02-03
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B32B27/32
- 本发明涉及一种石塑地板及其制备方法,其包含基材层、设置在基材层上方的第一印刷层以及设置在基材层下方的止滑层;此外,第一印刷层上方可进一步包含耐磨层。基材层主要包含塑胶合金和石粉,止滑层由热塑性聚酯弹性体组成,第一印刷层包含聚乙烯和/或乙烯‑醋酸乙烯酯共聚物,耐磨层由聚对苯二甲酸乙二酯组成。石塑地板的制备方法包含将聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、石粉和辅助剂混合后造粒,再挤出制成基材层,再与止滑层一起共挤出;接着贴合第一印刷层在基材层上制成石塑地板;此外,可在第一印刷层上进一步贴合耐磨层。
- 地板及其制备方法
- [发明专利]一种防水型透气膜-CN202211447720.3在审
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姜笑凡;倪同怀;姜启俊
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盐城保荣机械有限公司
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2022-11-18
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2023-01-31
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B32B33/00
- 本发明公开了一种防水型透气膜,包括透气膜本体,所述透气膜本体由外层和内层组成,且外层和内层之间设置有高分子透汽膜、阻燃层、防静电层和加强层,所述外层、内层、高分子透汽膜、阻燃层、防静电层和加强层之间均由粘接层连接该防水型透气膜,设置有防晒隔热层、耐磨防滑层、阻燃层、防静电层和加强层,通过防晒隔热层,使得该透气膜本体在室外使用时,被遮挡物体不易受阳光照射而影响物体的使用,同时在搭配耐磨防滑层,使得该透气膜本体在使用时,能够与被遮挡物体更好的贴合,不易滑落,通过阻燃层、防静电层和加强层的搭配使用,使得该透气膜本体具有阻燃、防静电等功能,有效提高该透气膜本体使用寿命和实用性。
- 一种防水透气
- [发明专利]半导体结构的制备方法-CN202210600943.2在审
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朱留洋
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长鑫存储技术有限公司
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2022-05-30
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2022-11-01
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H01L21/311
- 该发明公开了一种半导体结构的制备方法,包括:提供基底,基底上包括器件区和包围器件区的边缘区;于基底上形成叠层结构,叠层结构包括交替设置的支撑层和牺牲层;于器件区形成贯穿叠层结构的多个导电柱;于叠层结构表面形成掩膜层,并选择性地刻蚀掩膜层至暴露叠层结构中的顶部牺牲层,以在叠层结构中的顶部支撑层中形成多个开口,其中,位于器件区中的每一开口与至少一个导电柱交叠,形成顶部开口;去除位于边缘区中部分的叠层结构,以至少暴露出器件区的部分牺牲层,形成侧向开口;沿顶部开口和侧向开口去除器件区中的牺牲层,剩余的支撑层支撑导电柱。所述制备方法能够将位于器件区的牺牲层去除干净。
- 半导体结构制备方法
- [发明专利]一种三维集成电路-CN202310876380.4在审
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张耀辉
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苏州华太电子技术股份有限公司
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2023-07-18
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2023-08-15
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H01L27/06
- 本申请实施例提供了一种三维集成电路,包括:底部器件层;所述底部器件层包括自下而上设置的底部衬底、底部功能器件层、底部绝缘层;其中,所述底部绝缘层中具有与底部功能器件层的功能器件连接的电连接结构;形成在底部器件层上方的上方第一器件层,所述上方第一器件层包括自下而上设置的第一半导体层、第一功能器件层、第一绝缘层;其中,所述第一绝缘层中具有与第一功能器件层的功能器件连接的电连接结构;第一层间通孔以及填充其内的导电物质,连接所述底部绝缘层的电连接结构和所述第一绝缘层的电连接结构
- 一种三维集成电路
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