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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]金属栅极结构及其形成方法-CN202210865671.9在审
发明人：沈宗翰;张格恺;黎又明;范智翔;王宜婷;李威缙;李显铭;陈建豪;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及金属栅极结构及其形成方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成栅极沟槽，在栅极沟槽中沉积栅极电介质层和功函数层，在功函数层之上沉积帽盖层，钝化帽盖层的表面部分以形成钝化层，去除钝化层，在栅极沟槽中沉积填充层，使填充层和帽盖层凹陷，以及在栅极沟槽中在帽盖层之上形成接触金属层。
金属栅极结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201711296845.X有效
发明人：邱雅文;王喻生;杨凯全;李显铭;范智翔;李达元;郭观华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括形成第一晶体管，其包括形成第一栅极介电层于基板中的第一通道区上，以及形成第一功函数层于第一栅极介电层上，其中形成第一功函数层的步骤包括采用第一工艺条件沉积功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第一比例的功函数材料。方法亦形成第二晶体管，其包括形成第二栅极介电层于基板中的第二通道区上，以及形成第二功函数层于第二栅极介电层上，其中形成第二功函数层的步骤包括采用第二工艺条件沉积功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第二比例的功函数材料。
半导体装置形成方法

[发明专利]金属层的形成和原位蚀刻工艺-CN201910808067.0有效
发明人：林柏宇;周其雨;李显铭;杨怀德;王俊杰;白岳青;杨淇任;汤宗达;王宜婷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体器件和一种制造半导体结构的方法。方法包括在衬底中形成开口和在开口中沉积共形金属层。沉积包括执行一个或多个沉积循环。沉积包括将第一前体流入沉积室中和净化沉积室以去除至少一部分第一前体。方法还包括将第二前体流入沉积室中以形成共形金属层的子层和净化沉积室以去除至少一部分第二前体。方法还包括执行金属卤化物蚀刻(MHE)工艺，工艺包括将第三前体流入沉积室中。本发明实施例涉及金属层的形成和原位蚀刻工艺。
金属形成原位蚀刻工艺

[发明专利]n-型FinFET、半导体器件和FinFET的制造方法-CN201610915645.7有效
发明人：魏程昶;许嘉麟;陈智城;李显铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET包括衬底、栅极堆叠件和应变层。该衬底具有半导体鳍。栅极堆叠件设置为横跨半导体鳍。栅极堆叠件包括栅极介电层、功函层和金属填充层。栅极介电层设置在半导体鳍上。功函层设置在栅极介电层上。金属填充层位于功函层上方。过滤层设置在功函层和金属填充层之间以防止或减少扩散原子的穿透。应变层位于栅极堆叠件旁边。过滤层的材料与功函层的材料和金属填充层的材料不同。本发明的实施例还涉及n‑型FinFET、半导体器件和FinFET的制造方法。
finfet 半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110241119.8在审
发明人：范智翔;沈宗翰;林加明;李威缙;李显铭;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍之上形成虚设栅极，其中，鳍突出于衬底之上；用电介质材料包围虚设栅极；以及用替换栅极结构来替换虚设栅极，其中替换该虚设栅极包括：在电介质材料中形成栅极沟槽，其中，形成栅极沟槽包括去除虚设栅极；在栅极沟槽中形成金属栅极堆叠，其中，形成该金属栅极堆叠包括在栅极沟槽中依次形成栅极电介质层、第一功函数层和间隙填充材料；以及扩大栅极沟槽中的间隙填充材料的体积。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构-CN202110828207.8在审
发明人：魏孝宽;许馨云;叶品萱;许经佑;李显铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构。本公开大体上提供了与器件的栅极结构形成(例如在替代栅极工艺中)以及由此形成的器件有关的示例实施例。在一种示例方法中，栅极电介质层被形成在衬底上的有源区域上方。包含钝化物质(例如氟)的暂置层被形成在栅极电介质层上方。执行热处理以驱动钝化物质从暂置层进入栅极电介质层。暂置层被移除。金属栅电极被形成在栅极电介质层上方。在金属栅电极被形成之前，栅极电介质层包括钝化物质。
栅极结构钝化物质方法形成

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110347242.8在审
发明人：李家庆;蔡昕翰;邱诗航;汤宗达;吴仲强;锺鸿钦;李显铭;李达元;陈建豪;陈建豪;游国丰;陈嘉伟;许智育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括移除虚置栅极与虚置栅极介电层以形成凹陷于相邻的多个栅极间隔物之间。沉积栅极介电层于凹陷中，并沉积阻挡层于栅极介电层上。沉积第一功函数层于阻挡层上。形成第一抗反应层于第一功函数层上，而第一抗反应层减少第一功函数层的氧化。沉积填充材料于第一抗反应层上。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110141088.9在审
发明人：邱冠璋;李家庆;陈建豪;钟鸿钦;李显铭;徐志安;童宣瑜;吴仲强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种结构包括：包括第一半导体区域和第二半导体区域的半导体衬底；在第一半导体区域中的第一晶体管；以及在第二半导体区域中的第二晶体管。第一晶体管包括：在第一半导体区域之上的第一栅极电介质；在第一栅极电介质之上并与其接触的第一功函数层；以及在第一功函数层之上的第一导电区域。第二晶体管包括：在第二半导体区域之上的第二栅极电介质；在第二栅极电介质之上并与其接触的第二功函数层，其中，第一功函数层和第二功函数层具有不同的功函数；以及在第二功函数层之上的第二导电区域。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010893901.3在审
发明人：吴仲强;陈柏成;黄国展;叶品萱;李威缙;李显铭;陈建豪;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括：在半导体区域上形成栅极电极，使得栅极电极凹陷以生成凹槽，执行第一沉积工艺以在栅极电极上和凹槽中形成第一金属层，其中第一沉积工艺是使用第一前体来执行的，以及使用不同于第一前体的第二前体来执行第二沉积工艺以在第一金属层上形成第二金属层。第一金属层和第二金属层包含相同的金属。该方法还包括在第二金属层之上形成电介质硬掩模，以及形成穿过电介质硬掩模的栅极接触插塞。栅极接触插塞接触第二金属层的顶表面。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构-CN201810230259.3有效
发明人：魏孝宽;许馨云;叶品萱;许经佑;李显铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开涉及栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构。本公开大体上提供了与器件的栅极结构形成(例如在替代栅极工艺中)以及由此形成的器件有关的示例实施例。在一种示例方法中，栅极电介质层被形成在衬底上的有源区域上方。包含钝化物质(例如氟)的暂置层被形成在栅极电介质层上方。执行热处理以驱动钝化物质从暂置层进入栅极电介质层。暂置层被移除。金属栅电极被形成在栅极电介质层上方。在金属栅电极被形成之前，栅极电介质层包括钝化物质。
栅极结构钝化物质方法形成

[实用新型]一种生物能源用沼气反应装置-CN202021348768.5有效
发明人： 李显铭;周群姣 -专利权人：周群姣
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生物能源用沼气反应装置，包括发酵罐，所述发酵罐的底部外壁固定连接有加热箱，所述发酵罐的底部内部开有通孔，且通孔的内壁转动连接有管状的传动轴，所述传动轴的外壁固定连接有连接管，且连接管与传动轴相通，所述连接管的一侧外壁固定连接有密封块，且密封块的一侧外壁固定连接有加热管，且加热管与连接管相通，所述加热管的分切面为直角三角形。本实用新型能够一边搅拌，一边加热，使发酵罐内部均匀受热，且如此设计加热速度更快，缩短加热时间，相应的降低了能耗，横切面为三角形的加热管在旋转时，传热面积更大，而传热孔的进一步增大传热面积，在搅拌的同时对其原料进行加热。
一种生物能源沼气反应装置

[实用新型]具备自我保护功能的阀门-CN202021381875.8有效
发明人： 李显铭;郝笑晗 -专利权人：郝笑晗
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： F16K15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及阀门技术领域，且公开了具备自我保护功能的阀门，包括气管，气管的顶部壁面固定安装有阀门柱，阀门柱的内部中空区域贯穿阀门柱的顶部壁面和阀门柱的底部壁面，阀门柱的内部与气管的内部相互连通，阀门柱的顶部壁面固定安装有进气柱，本实用新型中，该具备自我保护功能的阀门，已经通过扇叶减速的高压蒸汽进入到扩散柱的内部，通过扩散孔渗透出来的高压蒸汽，与档块的壁面进行撞击，使高压蒸汽变得更加分散，经过分散后的高压蒸汽通过矩形块进入三角顶的内部然后顺着三角顶的底部壁面被分散排向外部，避免了倾泻到外部的高压蒸汽依旧具备很快的速度和很高的温度，对路过的人造成伤害的情况发生。
具备自我保护功能阀门

[实用新型]一种纺织布料放置架-CN202021382860.3有效
发明人： 李显铭;单金财 -专利权人：单金财
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B65H75/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纺织布料放置架，涉及纺织布料放置架技术领域。该一种纺织布料放置架，包括机箱，所述机箱内设有手动转齿装置，所述手动转齿装置包括圆盘，所述圆盘的后面固定连接有两个圆盘手把，所述圆盘的前面固定连接有联动转轴一，所述联动转轴一的外表面活动套接有矩形连接板一，该纺织布料放置架，通过齿轮一的旋转带动联动转轴二的旋转，联动转轴二在转轴套环一内旋转，齿轮一的旋转带动联动转轴三的旋转，联动转轴三的旋转带动转轴套环二的旋转，转轴套环二的旋转带动齿轮二的旋转，通过采用手动转动为装置的原动力，从而使得在工作人员可以自我调控货架的旋转速度。
一种纺织布料放置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010018146.4在审
发明人：吴仲强;陈柏成;黄国展;钟鸿钦;李显铭;陈建豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种器件包括：半导体鳍；位于半导体鳍的侧壁和顶表面上的栅极堆叠。栅极堆叠包括：高k电介质层；与高k电介质层的底部交叠的功函数层；以及与功函数层的第二底部交叠的阻挡层。低电阻金属层与功函数层和阻挡层交叠并接触。低电阻金属层具有的电阻率值低于功函数层和阻挡层两者的第二电阻率值。栅极间隔件与栅极堆叠的侧壁接触。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN202010927951.9在审
发明人：吴少均;吴宏基;李家庆;叶品萱;锺鸿钦;李显铭;陈建豪;潘昇良;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置与其形成方法，此处公开改善的功函数层与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成自基板延伸的半导体鳍状物；沉积介电层于半导体鳍状物上；沉积第一功函数层于介电层上；以及暴露第一功函数层至第一反应气体的介稳态等离子体、生成气体的介稳态等离子体、与第二反应气体的介稳态等离子体，其中第一反应气体与第二反应气体不同。
半导体装置与其形成方法

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