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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种防雾保鲜膜-CN201210153405.X有效
发明人：陈建朝 -专利权人：厦门聚富塑胶制品有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C08L23/08 文献下载
摘要：也可为A/B型双层结构，按重量百分比，由10%A层和90%B层组成，或由20%A层和80%B层组成，或由30%A层和70%B层组成。也可为A/B/C三层结构，按重量百分比，由10%A层、80%B层和10%C层组成，或由20%A层、60%B层和20%C层组成，或由30%A层、40%B层和30%C层组成。本发明不论是单层、双层还是三层共挤结构，因在原料中增加防雾剂，故可使保鲜膜具有防雾效果，避免在保鲜膜表面产生雾气，便于消费者看清被保鲜的商品。
一种保鲜膜

[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其制造方法和液晶显示装置-CN201110433181.3有效
发明人：王俊 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：该方法包括：依序在基体上沉积介电层、第一金属层以及第一半导体层；利用半曝光技术在形成第一光阻层；移除未被遮盖的介电层、第一金属层以及第一半导体层，并且使部分介电层的表面曝露；移除第一光阻层，并且依序在基体上覆盖第二半导体层、第一保护层、第二金属层；形成第二光阻层；移除掉基体上未被第二光阻层遮盖区域的所有层体；移除第二光阻层，并在基体上覆盖第二保护层。
一种薄膜晶体管及其制造方法液晶显示装置

[发明专利]香味防渗PE保鲜膜-CN201110341363.8有效
发明人：陈建朝 -专利权人：厦门聚富塑胶制品有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C08L23/08 文献下载
摘要：也可为A/B型双层结构，按重量百分比，由10%A层和90%B层组成，或由20%A层和80%B层组成，或由30%A层和70%B层组成。也可为A/B/C三层结构，按重量百分比，由10%A层、80%B层和10%C层组成，或由20%A层、60%B层和20%C层组成，或由30%A层、40%B层和30%C层组成。本发明不论是单层挤出结构、双层共挤结构还是三层共挤结构，利用香精母料都可以使保鲜膜具有水果味或芳香味，吸引顾客。
香味防渗 pe 保鲜膜

[发明专利]高透明高速MPE弹性膜-CN201110341365.7有效
发明人：陈建朝 -专利权人：厦门聚富塑胶制品有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C08L23/08 文献下载
摘要：也可为A/B型双层结构，按重量百分比，由10%A层和90%B层组成，或由20%A层和80%B层组成，或由30%A层和70%B层组成。还可为A/B/C三层结构，按重量百分比，由10%A层、80%B层和10%C层组成，或由20%A层、60%B层和20%C层组成，或由30%A层、40%B层和30%C层组成。本发明不论是单层挤出结构、双层共挤结构还是三层共挤结构，只要在其中增加PP，利用PP材料都可以提高薄膜的拉伸强度。本产品拉伸强度达纵向≥10N，横向≥6N。
透明高速 mpe 弹性

[发明专利]互连结构的制造方法-CN201010569402.5有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构的制造方法，包括：提供插塞；在所述插塞上依次形成阻挡层、低K介质层、硬掩膜低K介质层、氧化层、硬掩膜层和光刻胶层；图形化所述光刻胶层，形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜蚀刻所述硬掩膜层，形成位于硬掩膜层中、且位于插塞上的开口；去除光刻胶图形，依次蚀刻所述开口露出的氧化层、硬掩膜低K介质层、低K介质层，直至露出所述阻挡层；去除所述硬掩膜层，所述去除工艺相对于氧化层和硬掩膜低K介质层，对硬掩膜层具有较大的选择比
互连结构制造方法

[发明专利]低温发热实木复合地板及其制备方法-CN201110186361.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：上海热丽电热材料有限公司
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： E04F15/02 文献下载
摘要：一种低温发热实木复合地板，包括：外饰面层、上基材层、发热层及下基材层依次叠放并热压构成。所述的上基材层、发热层及下基材层热压后共9层，所述的发热层位于5-7层，所述的发热层的上方为上基材层，所述的发热层的下方为下基材层，所述的上基材层由3至5层构成，所述的下基材层由4至6层构成；所述的外饰面层通过热压设置在上基材层上
低温发热实木复合地板及其制备方法

[发明专利]具有织物纹路效果的复合材料的制造方法-CN201410562850.0有效
发明人：冯崇智;吴百翔;黄建嘉;蔡宗佑 -专利权人：三芳化学工业股份有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B32B37/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有织物纹路效果的复合材料的制造方法，包括以下步骤：提供一叠层体，该叠层体至少包括一基材层、一接着层及一涂料层，该基材层具有织物纹路结构，该接着层设置于该基材层上，该涂料层设置于该接着层上；预热该叠层体，以使该涂料层及该接着层软化；及对该叠层体进行一抽气步骤，以使该涂料层及该接着层吸附于该基材层的织物纹路结构，从而成型为具有织物纹路效果的复合材料。
具有织物纹路效果复合材料制造方法

[发明专利]电子装置壳体及其制作方法-CN201010146631.6有效
发明人：杜琪健;姜传华 -专利权人：深圳富泰宏精密工业有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H05K5/00 文献下载
摘要：该电子装置壳体包括一基体、一第一金属质感层及一第二金属质感层，该第一金属质感层形成于基体的表面，该第二金属质感层形成于第一金属质感层的部分表面，该第一金属质感层与该第二金属质感层均为以真空镀膜的方式形成的不导电层该电子装置壳体的制作方法包括如下步骤：提供一基体；在该基体的表面形成一第一金属质感层，形成该第一金属质感层的方法为真空镀膜；提供一遮蔽层，并将该遮蔽层粘贴于第一金属质感层的表面，该遮蔽层形成有镂空区域；再次进行真空镀膜，以在该遮蔽层的表面及其镂空区域形成一第二金属质感层；揭掉所述遮蔽层。
电子装置壳体及其制作方法

[发明专利]发光器件-CN201110092828.0有效
发明人：李善浩;李祥炫;尹浩相;丁钟弼 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-04-11 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：发光器件包括：支撑构件；和在支撑构件上并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及插入在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层的发光结构，并且有源层包括至少一个量子阱层和至少一个阻挡层、位于第一导电半导体层和至少一个量子阱层中离第一导电半导体层最近的第一量子阱层之间的至少一个势垒层；以及形成在至少一个势垒层和第一量子阱层之间并且具有不同于至少一个阻挡层的厚度的厚度的未掺杂的阻挡层。
发光器件

[发明专利]过渡金属氧化物的反转有机发光二极管-CN201110100268.9有效
发明人：秦大山 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明是一种采用过渡金属氧化物实现空穴和电子注入的反转有机发光二极管，包括由衬底上的一层阴极、一层沉积在阴极上的过渡金属氧化物层(实现电子注入)、一层沉积在过渡金属氧化物层上的有机电子传输层、一层沉积在有机电子传输层上的有机发光层、一层沉积在有机发光层上的有机空穴传输层、一层沉积在有机空穴传输层上的过渡金属氧化物层(实现空穴注入)和一层沉积在过渡金属氧化物层上的阳极组成。
过渡金属氧化物反转有机发光二极管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110061712.0有效
发明人：林耀剑;陈康;方建敏;X·冯 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：第一导电层形成在所述管芯的有源表面上。第一绝缘层形成在所述有源表面和第一导电层上。再钝化层形成在第一绝缘层和第一导电层上。形成通过再钝化层至第一导电层的通路。所述半导体晶片被单体化以分离半导体管芯。第二绝缘层形成在再钝化层和密封剂上。第二导电层形成在再钝化层和第一导电层上。第三绝缘层形成在第二导电层和第二绝缘层上。互连结构形成在第二导电层上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统-CN201110051540.9有效
发明人：朴径旭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：该发光器件包括：第一发光结构层，该第一发光结构层包括：包括多个半导体层的第一发光结构层、在第一发光结构层上的第一电极、在第一发光结构层下面的第一绝缘层、在第一反射层下面的包括多个半导体层的第二发光结构层、在第二发光结构层下面的第二反射层、在第二发光结构层和第一反射层之间的结合层、以及将第一发光结构层并行地连接到第二发光结构层的多个连接构件。
发光器件及其制造方法封装以及照明系统

[发明专利]BOPE涂布热封膜-CN201210060843.1有效
发明人：褚峰林;江四华 -专利权人：湖北富思特材料科技集团有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：BOPE涂布热封膜，其特征在于：它包括功能层、芯层和次功能层，芯层位于功能层与次功能层之间，功能层、芯层和次功能层采用共挤出后经双向拉伸而成一体；功能层、芯层、次功能层所占质量百分数为：功能层1～8％、芯层91～98％、次功能层1～5％；功能层的材料由各原料所占质量百分数为：醋酸乙酯55％、C9氢化石油树酯10％、茂金属聚乙烯18％、聚乙烯醇13％、氢氧化钠2％、抗氧化剂1％、分散剂1％；芯层的材料为线型聚乙烯；次功能层的材料为乙烯辛烯共聚物。
bope 涂布热封膜

[发明专利]一种高迁移率衬底结构及其制备方法-CN201010578522.1有效
发明人：孙兵;刘洪刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：该衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层。所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲层之上，所述铟镓砷单晶层置于所述势垒层之上，所述阻挡层置于所述铟镓砷单晶层之上，所述锗单晶层置于所述阻挡层之上。可以利用本发明，实现硅基衬底上高迁移率铟镓砷和锗结合的CMOS器件，或者在铟镓砷单晶层和锗单晶层上制备其它高迁移率半导体器件，该衬底结构还可以制备硅基器件以及用势垒层制备光电器件等，有利于实现多元半导体器件的单片集成
一种迁移率衬底结构及其制备方法

[发明专利]用于垂直方向耦合的光电探测器的光波导结构-CN201210202604.5有效
发明人：余学才;古燕西 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于垂直方向耦合的光电探测器的光波导结构，包括从上到下依次层叠的本征层、吸收层、上波导层、间隙层、下波导层、覆盖层和衬底，所述间隙层做为上波导层与下波导层之间的一层低折射率耦合层，所述上波导层与下波导层构成垂直方向的耦合器（相当于垂直方向耦合的光电二极管）用于使光从下波导层入射逐渐耦合到上波导层并使光一边在上波导层与下波导层中传输，一边被吸收层吸收。
用于垂直方向耦合光电探测器波导结构

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