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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN201810842674.4有效
发明人：邬新根;李俊贤;刘英策;魏振东;周弘毅 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括衬底、LED外延结构和位于LED外延结构表面的透明导电层，透明导电层包括双层结构，分别为第一透明导电层和位于第一透明导电层背离第二型半导体层的第二透明导电层；其中，第一透明导电层和第二透明导电层中的一层为整层结构，另一层为图案化结构。也即本发明中LED芯片上电流扩展层包括一个整层的电流扩展层和一个图案化的电流扩展层。图案化的透明导电层由于是透明结构，对LED芯片没有遮挡作用，而通过图案化透明导电层的引导，相当于为现有的LED芯片增加了多个透明的叉指电极，从而使得电流扩展能力大大提升。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种自动驾驶测试系统及方法-CN201810508643.5有效
发明人：张雁鹏;于静;于治楼 -专利权人：浪潮集团有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种自动驾驶测试系统及方法，该系统包括至少两层执行层、数据输入模块、数据接收模块、数据分析模块。每一层执行层均用于输入上一层执行层输出的数据，将输入的数据处理后输出；数据输入模块用于向至少两层执行层中的首层执行层输入预设数据；数据接收模块用于接收至少两层执行层中的末层执行层输出的控制指令；数据分析模块用于判断控制指令与预设的预设数据对应的预期控制指令是否一致首层执行层输入预设数据后，任一执行层异常，均会导致末层执行层输出的控制指令与预期控制指令不一致，故本方案能够对整体控制系统进行测试。
一种自动驾驶测试系统方法

[发明专利]液晶书写薄膜及其切割方法和切割系统-CN201811133133.0有效
发明人：朱元成;何应军 -专利权人：好易写（深圳）科技有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提出了一种液晶书写薄膜及其切割方法和切割系统，其中液晶书写薄膜的结构按照第一基材层、第一导电层、液晶层、第二导电层和第二基材层的顺序紧密贴合；第一导电层与第一基材层在各方向上的长度一致，液晶层、第二导电层与第二基材层在各方向上的长度一致，且在激光切割断面处，第一导电层相对于第二导电层内凹一段长度，即在切割断面处第一导电层的长度短于第二导电层，不与第二导电层的端面齐平，而是形成一个阶梯形状。通过这个阶梯形状，把第一导电层和第二导电层分开，使其不会烧结在一块，避免了在使用中短路的风险。
液晶书写薄膜及其切割方法系统

[发明专利]一种像素结构、显示面板及其制备方法、以及显示装置-CN201810955498.5有效
发明人：齐智坚;杨妮;李云泽;许亨艺;李翠莲;梁雪波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：其中，像素结构包括衬底、形成在衬底上的无机光致发光材料层、覆盖在无机光致发光材料层上的第一电极层、同层设置在第一电极层上的有机发光材料层和激发层、覆盖在有机发光材料层和激发层上的第二电极层，激发层用于激发无机光致发光材料层发光本发明实施例中，激发层可以在通电时发出紫外光，无机光致发光材料层可以在紫外光激发下，发出所属像素结构对应颜色的光线。由于无机光致发光材料发射光谱较窄，且光学特性不易受水氧影响，因此，通过无机光致发光材料层代替部分有机发光材料层，可以提高显示的色彩纯度，以及整个发光层的稳定性。
一种像素结构显示面板及其制备方法以及显示装置

[发明专利]低辐射节能玻璃及其制备方法-CN201810888563.7有效
发明人：冯宪轮;尚直刚;杨瑞冰 -专利权人：江苏华玻光电技术有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低辐射节能玻璃及其制备方法，该低辐射节能玻璃由下至上依次包括：玻璃基片层、阻挡层、第一过渡层、第一复合金属层、第二过渡层、第二复合金属层以及耐磨层，其中，第一复合金属层由下至上依次包括第一金属Ag层以及CuPd合金层，第二复合金属层由下至上依次包括第二金属Ag层以及金属Au层，并且其中，第一金属Ag层的厚度为4‑7nm，CuPd合金层的厚度为3‑6nm，第二金属Ag层的厚度为3‑5nm，金属Au层的厚度为4‑7nm。
辐射节能玻璃及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710310410.X有效
发明人：张海洋;陈卓凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成源漏材料层和位于源漏材料层上的掩膜层，所述掩膜层中具有第一槽，第一槽暴露出部分源漏材料层；在第一槽的侧壁形成保护层；以所述掩膜层和保护层为掩膜，刻蚀第一槽底部的源漏材料层，在源漏材料层中形成贯穿源漏材料层的第二槽；形成第二槽后，去除保护层；去除保护层后，形成沟道材料层和位于沟道材料层上的栅极结构，所述沟道材料层位于第一槽与第二槽的侧壁和底部；形成沟道材料层和栅极结构后，去除掩膜层。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管显示器-CN201810539035.0有效
发明人：陈彩琴 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器，该显示器包括：依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层；其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔，所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接；第二金属层，覆盖所述第一过孔；平坦层，位于所述第二金属层上，所述平坦层上形成有第二过孔；所述透明导电层，覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上，所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接；所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面
第二金属层有机发光二极管显示器透明导电层平坦层源矩阵层间绝缘层第一金属层显示器连接稳定性衬底基板凹凸面覆盖

[发明专利]形成RDL的方法和半导体器件-CN201110264951.6有效
发明人：林耀剑;冯霞;方建敏;陈康 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件具有半导体管芯和形成在该半导体管芯表面上的第一导电层。第一绝缘层形成在半导体管芯的该表面上。第二绝缘层形成在第一绝缘层和第一导电层上。开口形成在第一绝缘层上的第二绝缘层中。第二导电层形成在第一导电层和第二绝缘层上的开口中。沿着第一轴，第二导电层具有小于第一导电层的宽度的宽度。沿着与第一轴垂直的第二轴，第二导电层具有大于第一导电层的宽度的宽度。第三绝缘层形成在第二导电层和第一绝缘层上。
形成 rdl 方法半导体器件

[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管发光效率的沟道层技术生长方法-CN201410001887.6有效
发明人：吴礼清;牛勇;郭丽彬;杨奎 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高氮化镓基发光二极管发光效率的沟道层技术生长方法，其LED外延结构，从下向上的顺序依次包括衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、沟道层A、N型GaN层、沟道层B、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层，本发明通过沟道层A、沟道层B的插入，一方面沟道层A可以有效的限制外延层与衬底之间由于晶格失配产生的位错，减少外延层的缺陷密度，提高外延层质量；另一方面，沟道层
一种提高氮化发光二极管发光效率沟道技术生长方法

[发明专利]自对准双重图形的形成方法-CN201210477219.1有效
发明人：沈满华;祖延雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种自对准双重图形的形成方法，包括提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；在所述牺牲光刻胶层的顶部和侧壁表面形成聚合物层；在所述聚合物层表面形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，位于所述牺牲光刻胶层两侧的第一掩膜材料层形成第一掩膜图形。由于在牺牲光刻胶层的顶部和侧壁表面形成聚合物层，所述聚合物层的硬度远远大于牺牲光刻胶层的硬度，使得牺牲光刻胶层的形状不会因为第一掩膜材料层产生的应力发生形变，且利用沉积工艺和刻蚀工艺形成的聚合物层的转角为直角
对准双重图形形成方法

[发明专利]一种高透型单银低辐射镀膜玻璃-CN201810999847.3有效
发明人：姚衡;罗文忠;姚永凯 -专利权人：望美实业集团有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：该技术是在原有单银膜层结构的基础上，通过改变膜层材料的吸收提高了膜层的透过率。一种高透型单银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片和镀膜层，所述镀膜层自所述玻璃层向外共有八层复合膜层。其中第一层为SiNx膜，第二层为ZnAlOx膜，第三层为NiCr膜，第四层为Ag膜，第五层为NiCr膜，第六层为ZnAlOx膜，第七层为ZnAlOx膜，第八层为SiNx膜，各膜层通过磁控溅射镀膜工艺依次溅射在玻璃基片上
一种高透型单银低辐射镀膜玻璃

[发明专利]治疗风寒湿痹及筋脉拘挛的麝香宝珍膏及其制备方法-CN201811384007.2有效
发明人：俞帮和;徐明;蒋志刚;周伟英 -专利权人：杭州仁德医药有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： A61K9/70 文献下载
摘要：依次包括基布层、隔绝层、发热层与膏药层，基布层为非织造布，隔绝层包括聚醚蜡，发热层用于与空气接触时产生热量，膏药层为中药涂覆层，其涂覆面积大于发热层，将发热层完全覆盖，本发明通过将发热层设于隔绝层与膏药层之间，当温度较低时，可以通过揉搓等方式使得空气可以透过隔绝层从而与发热层接触并释放热量，当温度较高时，隔绝层会阻隔空气的流通，从而抑制发热层的放热，实现了热量的控释，延长了发热时间，使得宝珍膏的药效更持久，
治疗风寒筋脉拘挛麝香宝珍膏及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体元件-CN201811131907.6有效
发明人：朱桂逸;林恒光;蔡镕泽;林世博;陈智伟 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物半导体元件，其包括基底、成核层、经掺杂的氮化物半导体层、经掺杂的第一缓冲层、通道层、阻障层、第一电极、第二电极与掺杂区。基底具有相对的第一表面及第二表面。成核层配置于基底的第一表面上。经掺杂的氮化物半导体层配置于成核层上。经掺杂的第一缓冲层配置于经掺杂的氮化物半导体层上。通道层配置于经掺杂的第一缓冲层上。阻障层配置于通道层上。第一电极配置于阻障层上。第二电极与经掺杂的氮化物半导体层电性连接。掺杂区至少配置于部分经掺杂的氮化物半导体层中，其中掺杂区自第一电极的下方延伸至与第二电极部分重叠。
氮化物半导体元件

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN201811149678.0有效
发明人：李昱桦;乔楠;蒋媛媛;刘春杨;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述应力释放层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述第三子层的材料采用氮化硅，所述第四子层的材料采用未掺杂的氮化镓
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710622855.1有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：形成基底，基底上形成有栅极结构、栅极结构两侧基底内形成有掺杂外延层、基底上形成有覆盖栅极结构顶部的层间介质层；在栅极结构两侧的层间介质层内形成露出掺杂外延层的接触开口；形成接触开口后，形成覆盖掺杂外延层的介质层；对介质层进行修复处理；在修复处理后，在介质层上形成金属层；在形成有金属层的接触开口内形成接触孔插塞。所述修复处理用于对介质层进行致密化处理，并修复介质层中的悬挂键，因此减少所述介质层和掺杂外延层界面处的界面缺陷陷阱，从而改善所形成接触孔插塞与掺杂外延层界面处费米能级钉扎的现象，相应能够降低肖特基势垒高度
半导体结构及其形成方法

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