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[发明专利]自对准三重图形的形成方法-CN201310106678.3有效
发明人：尚飞;何其旸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种自对准三重图形的形成方法，包括提供待刻蚀层，所述待刻蚀层的部分表面具有若干分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间暴露出待刻蚀层表面，所述第一牺牲层表面具有第二牺牲层；在所述待刻蚀层、第一牺牲层和第二牺牲层表面形成掩膜薄膜；去除所述第二牺牲层的侧壁和顶部表面的掩膜薄膜，在所述第一牺牲层两侧形成第一掩膜；在形成所述第一掩膜之后，沿所述第二牺牲层的侧壁表面去除部分所述第二牺牲层，使所述第二牺牲层的尺寸缩小，并暴露出部分第一牺牲层表面，所述尺寸缩小到第二牺牲层形成第二掩膜。
对准三重图形形成方法

[发明专利]一种环保型阻燃壁纸-CN201410236129.2有效
发明人：吴海军 -专利权人：苏州国昊壁纸有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： D21H27/20 文献下载
摘要：本发明提供给了一种环保型阻燃壁纸，包括基层，所述基层的背面设有防水性涂层，所述基层的上面设有涂布层，所述涂布层上面设有竹炭纤维层，所述竹炭纤维层上面设有一级阻燃层，所述一级阻燃层上设有印刷压花层，所述印刷压花层上面设有二级阻燃层，所述二级阻燃层上面设有聚四氟乙烯层，所述聚四氟乙烯层上设有覆膜层。本发明的壁纸，设有涂布层、一级阻燃层、二级阻燃层，这三层都具有阻燃性，三重功效使得本发明的壁纸具有优良的阻燃性。
一种环保阻燃壁纸

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201410645780.5有效
发明人：盖翠丽;宋丹娜;张保侠 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该阵列基板包括第一栅极金属层；在所述第一栅极金属层上的第一栅绝缘层；在所述第一栅绝缘层上的与所述第一栅极金属层对应的有源层；在所述有源层上的刻蚀阻挡层；包括源极和漏极的源漏金属层，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两侧接触，并在所述刻蚀阻挡层上相互隔开；在所述源漏金属层上的第二栅绝缘层；在所述第二栅绝缘层上的第二栅极金属层。本发明可以优化TFT特性、减小栅线电阻、遮挡照射有源层的光线，有利于抑制IR Drop、TFT阈值电压偏移以及有源层光漏电流的产生，提升显示装置的性能。
阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]一种基于气冷屏的地空两用型复合绝热结构-CN201510423830.X有效
发明人：王丽红;王田刚;冶文莲;李延娜;陈叔平;赵拓 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： F16L59/02 文献下载
摘要：本发明的基于气冷屏的地空两用型复合绝热结构，安装于低温贮箱外部，其关键技术在于，该基于气冷屏的地空两用型复合绝热结构包括聚氨酯泡沫绝热层和变密度绝热层；其中，聚氨酯泡沫绝热层粘贴于低温贮箱外壁上；变密度绝热层包覆在聚氨酯泡沫绝热层外壁上；且变密度绝热层由厚度相等的三层组成，从聚氨酯泡沫绝热层外壁开始依次为低密度层、中密度层、高密度层，且依次由8层绝热层、14层绝热层、20层绝热层加工而成。
一种基于气冷两用复合绝热结构

[发明专利]一种耐温型双面粘结膜及其制备方法-CN201410645612.6有效
发明人：戴涛 -专利权人：佛山新长盛塑料薄膜有限公司
申请日： 2014-11-15 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：一种耐温型双面粘结膜，包含依次排布的表面结合层一、粘接加强层、中间层、粘接加强层和表面结合层二，所述双面粘结膜的五层通过共挤吹膜成型，所述中间层为均聚尼龙料形成整个双面粘结膜支撑性结构，所述表面结合层一和表面结合层二均由包含SEBS、EVA和低密度聚乙烯的原料制备而成，所述粘接加强层作为表面结合层一与中间层之间、表面结合层二与中间层之间的粘合层，该粘接加强层为PE/PA结合材质。本发明的耐温型双面粘结膜，通过共挤吹膜而得到包含依次排布的表面结合层一、粘接加强层、中间层、粘接加强层和表面结合层二的膜层结构，具备相比于现有技术更高的强度和更好耐温性能。
一种耐温双面粘结及其制备方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN201510372090.1有效
发明人：冯猛;陈立人;刘恒山 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底；位于衬底上的n‑GaN层；位于n‑GaN层上的InGaN/GaN量子阱层，所述InGaN/GaN量子阱层包括若干周期堆叠的GaN势垒层和InGaN势阱层，所述InGaN/GaN量子阱层上形成有若干V型坑；位于InGaN/GaN量子阱层上的p‑AlGaN层，所述p‑AlGaN层填充InGaN/GaN量子阱层上的V型坑；位于p‑AlGaN层上的n‑InGaN接触层。本发明中在InGaN/GaN量子阱层之上的外延层，全部在低于GaN量子垒的温度下生长，以最大程度地减少对量子阱结构破坏，形成高质量的低温InGaN/GaN量子阱层，有利于提升内量子效率；取消了现有技术中高温生长的p‑GaN层，从而可降低吸光效应，有利于提升外部量子效率。
量子阱层衬底制备外部量子效率量子阱结构内量子效率最大程度地吸光效应接触层量子垒势垒层势阱层外延层中高温生长堆叠填充

[发明专利]GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法-CN201410640054.4有效
发明人：马欢;田艳红;牛凤娟 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法，所述外延片的结构从下至上依次为衬底，低温GaN缓冲层，第一高温非掺杂GaN层，第二高温非掺杂GaN层，在第二高温非掺杂GaN层上为AlGaN/GaN超晶格层，在AlGaN/GaN超晶格层上为高温N型GaN层，在高温N型GaN层上为应力释放层，MQW保护层，P型电子阻挡层，高温P型GaN层，在高温P型GaN层上为接触层，高温N型GaN层中周期性插入SiN掩膜/N型GaN层，SiN掩膜/N型GaN层的周期数为5～20，本发明的优点是第一，显著提高抗静电能力；第二，有效增强载流子的复合效率；第三，提升LED的内量子效率。
gan 化合物半导体 led 外延生长方法

[发明专利]一种片式Ka频段宽角扫描卫星通信天线-CN201510477927.9有效
发明人：刘金梅;王磊;李景峰;周家喜;刘振华 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种片式Ka频段宽角扫描卫星通信天线，包括辐射层分别连接校正网络层和射频电路层，校正网络层分别连接辐射层和波控网络层，射频电路层和辐射层相连，环控层设置于射频电路层和电源分布层之间；电源分布层和射频电路层相连，射频信号功分层和射频电路层相连，波控网络层分别连接射频电路层和校正网络层。
一种 ka 频段扫描卫星通信天线

[发明专利]一种丙烯系聚合物-乙烯系聚合物多层复合膜、其制备方法、用途及其制品-CN201310177345.X有效
发明人：陈大魁;黄旭生;詹越强;谷汉进;云小兵 -专利权人：浙江众成包装材料股份有限公司
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种多层复合膜，其包括AXBXC层结构，其中，所述层结构中的A层包含丙烯系聚合物，C层包含与A层相同或不同的丙烯系聚合物，B层包含乙烯系聚合物；或者，A层包含乙烯系聚合物，C层包含与A层相同或不同的乙烯系聚合物，B层包含丙烯系聚合物；X为粘结剂层；所述A层、B层和C层是双向拉伸的且所述A层和C层的纵横向拉伸比不同或相同，所述B层的横向拉伸倍率和纵向拉伸倍率相同。
一种丙烯聚合物乙烯多层复合制备方法用途及其制品

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410027719.4有效
发明人：伏广才;杨天伦;张校平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一电极层，所述第一电极层表面具有牺牲层；在所述牺牲层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层的材料为导电材料；在第一掩膜层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出部分与第一电极层位置对应的第一掩膜层表面；以图形化层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层和牺牲层，直至暴露出第一电极层表面为止，在所述第一掩膜层和牺牲层内形成开口；进行清洗工艺，去除附着于第一掩膜层表面、以及开口的侧壁和底部表面的刻蚀副产物；在进行清洗工艺之后
掩膜层第一电极牺牲层半导体器件开口清洗工艺图形化层半导体器件性能表面形成图形刻蚀副产物表面形成衬底表面导电材料导电插塞底部表面暴露侧壁衬底附着化层刻蚀去除掩膜

[发明专利]耐电弧烧蚀的开关触点及其制备方法-CN201410346964.1有效
发明人：韩辉升;王振兴;丁阳;张红梅 -专利权人：南通万德科技有限公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01H1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐电弧烧蚀的开关触点及其制备方法，开关触点是具有多层层状结构的复合体，第一层为疏水性橡胶层，第二层为粘合层，第三层为金属薄片层，第四层粘合层，第五层为金属镀层；其中，第五层金属镀层是第一层、第二层、第三层和第四层的复合体浸渍在含有难熔金属元素的化学镀液中，用化学沉积的方法沉积在复合体中第二层、第三层和第四层的表面而形成的。
电弧开关触点及其制备方法

[发明专利]一种柔性薄膜晶体管-CN201410276830.7有效
发明人：寇浩 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性薄膜晶体管，包括：柔性基板；阻挡层，设置于所述柔性基板之上；栅极，设置于所述阻挡层之上；栅极绝缘层，设置于所述阻挡层之上并覆盖所述栅极；有源半导体层，设置于所述栅极绝缘层之上；以及源/漏电极，设置于所述有源半导体层之上并与所述有源半导体层电接触，其中所述阻挡层为包括氮化硅层、氧化硅层和氧化铝层的层叠结构。本发明的柔性薄膜晶体管在阻挡层中加入具有优异阻水/氧性能且缺陷极少的氧化铝层，利用氧化铝层具有较低应力的特性同时形成多层层叠的阻挡层结构，从而缓解薄膜的内应力的积累和叠加，改善了阻挡层与柔性基板的附着性
一种柔性薄膜晶体管

[发明专利]提高TMBS良率的工艺方法-CN201410198290.5有效
发明人：王西政 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种提高TMBS良率的工艺方法，栅极形成之后，在栅极的表面依次形成第一阻挡介质层、第二阻挡介质层和层间介质层，因此刻蚀去除较厚的层间介质层时，由第一阻挡介质层和第二阻挡介质层保护，不会对栅介质层造成损伤，再依次刻蚀去除第二阻挡介质层和第一阻挡介质层时，由于第一阻挡介质层较薄，一方面形成第一阻挡介质层的均匀性差异较小，另一方面刻蚀时间得以大大缩短，避免了沟槽侧壁栅介质层过刻蚀或介质层残留的问题。形成较薄的第一阻挡介质层能够降低对设备机台要求，同时减少了沟槽侧壁栅介质层的损伤，增大工艺窗口，能够提高TMBS的良率。
提高 tmbs 工艺方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410421827.X有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：其中，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成缓冲层；对所述缓冲层进行图案化，以形成鳍片结构，所述鳍片结构包括在所述衬底上的缓冲层以及在所述缓冲层上的鳍片，所述鳍片结构作为调节栅电极；在所述鳍片的上表面、侧面以及所述缓冲层的表面上形成牺牲层；在所述牺牲层的表面上形成半导体材料层；在所述半导体材料层上形成控制栅电极结构，所述控制栅电极结构包括在所述半导体材料层表面上的控制栅电介质层、以及在所述控制栅电介质层上的控制栅电极；以及去除所述牺牲层，并在所述鳍片结构与所述半导体材料层之间形成氧化层，所述氧化层作为调节栅电介质层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及其结构-CN201610012693.5有效
发明人：赵瑜;张占东 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：该方法通过自下而上依次沉积氧化硅层(71)、氮氧化硅层(72)、及氮化硅层(73)，得到包括氧化硅层(71)、氮氧化硅层(72)、及氮化硅层(73)共三层结构的层间绝缘层(70)，由于干法蚀刻和湿法蚀刻对氮氧化硅的蚀刻速率都是处于对氧化硅和的氮化硅蚀刻速率中间，在氧化硅层(71)与氮化硅层(73)之间加入一层氮氧化硅层(72)能够对蚀刻速率起到过渡缓冲作用，那么在层间绝缘层(70)通过干法蚀刻加湿法蚀刻形成过孔时便能够使得过孔的孔壁剖面呈平滑的坡状，防止层间绝缘层的过孔孔壁出现突出的尖角
低温多晶 tft 阵列制作方法及其结构