专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]记忆-CN201510011191.6有效
  • 林佑聪;刘建宏;黄竣祥 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2015-01-09 - 2019-01-01 - G11C8/08
  • 本发明是有关于一种记忆,该记忆包括一记忆阵列,其具有部署在阵列区块区域中的多个行与列的阵列区块,阵列区块包括排列在行与列中的子阵列的记忆胞,字元线沿着此些列被部署在一图案化栅极层中,而包括位元线的一个或多个图案化导体层沿着此些行被部署
  • 记忆体
  • [实用新型]一种记忆假模块弹性扩展模块-CN202120612090.5有效
  • 温炫萤 - 山东英信计算机技术有限公司
  • 2021-03-25 - 2021-10-08 - G06F1/16
  • 本实用新型公开了一种记忆假模块弹性扩展模块,包括主板、设置在主板内上部的若干记忆插槽以及设置在主板上部的处理器插槽,记忆安装在记忆插槽内部;记忆未插满且空余的记忆插槽数量为1‑4个时,空余的记忆插槽内部全部插接有记忆假模块;当记忆未插满且空余的记忆插槽数量大于4个时,在两端空余的记忆插槽内插接上记忆假模块,两侧的记忆假模块通过若干延伸板连接。本实用新型利用记忆假模块与延伸板搭配组合,弹性地应用在各种架构的主板系统上,大大地降低了记忆假模块安装所需的工序,提高了安装的效率,且降低了服务器中部的记忆假模块与记忆插槽对插的次数,降低了记忆插槽损伤的风险
  • 一种记忆体模块弹性扩展
  • [发明专利]记忆装置-CN201811582708.7有效
  • 吴瑞仁;简汎宇;黄圣财;郑君华 - 北京时代全芯存储技术股份有限公司
  • 2018-12-24 - 2023-09-22 - G11C13/00
  • 一种记忆装置包含记忆阵列、位元线驱动电路、字元线驱动电路、读写电路、控制器、参考驱动电路。记忆阵列包含多个记忆单元。位元线驱动电路用以解译记忆位元地址并驱动位元线。字元线驱动电路用以解译记忆字元地址并驱动字元线。读写电路用以读取、写入或重置记忆单元。控制器用以切换记忆阵列工作于单记忆单元模式或双记忆单元模式。参考驱动电路用以驱动参考行。参考行与多个参考单元位于记忆阵列里。本实施可依据需求调整至单记忆单元模式或双记忆单元模式。
  • 记忆体装置
  • [发明专利]具双种记忆插槽的主机板-CN200710164017.0无效
  • 温淑惠 - 宏碁股份有限公司
  • 2007-10-16 - 2009-04-22 - G06F13/40
  • 本发明是揭示一种具双种记忆插槽的主机板,其包括复数个第一记忆插槽、复数个第二记忆插槽、一电压供应单元及一控制单元。此些第一记忆插槽是与复数个第一记忆相连接,此些第二记忆插槽是与复数个第二记忆相连接,电压供应单元是用以分别输入第一记忆及第二记忆的电压至第一记忆插槽及第二记忆插槽,控制单元是电性连接此些第一记忆插槽及此些第二记忆插槽,此控制单元是协调一中央处理器及第一记忆及第二记忆插槽之间的资料存取。
  • 具双种记忆体插槽主机板
  • [发明专利]快闪记忆的扩充装置及其扩充方法-CN200510054927.4无效
  • 张盛发 - 巨盛电子股份有限公司
  • 2005-03-18 - 2006-09-20 - G06F13/00
  • 本发明公开了一种快闪记忆的扩充装置及其扩充方法,该扩充装置具有二记忆装置,该记忆装置是由一控制单元、一记忆单元、一连接单元、一操作单元、一显示单元及一电源供应单元组成,可将二记忆装置藉由连接埠与连接单元相互插接,由第一记忆装置的操作单元透过其控制单元读取第一记忆装置及第二记忆装置中记忆单元的资料,并可将第一记忆装置中记忆单元的资料藉由连接单元及第二记忆装置的控制单元储存于第二记忆装置的记忆单元中,或将第二记忆装置中记忆单元的资料储存于第一记忆装置的记忆单元中,藉此,可使记忆装置具有容量的扩充,并可使二记忆装置不需透过电脑即具有资料交换的功效。
  • 记忆体扩充装置及其方法
  • [发明专利]记忆超频方法及电脑装置-CN201611256956.3有效
  • 陈秋媚;林火元;高圣亮 - 技嘉科技股份有限公司
  • 2016-12-30 - 2021-09-24 - G06F13/28
  • 本发明公开一种记忆超频方法及电脑装置。电脑装置包括基本输入输出系统以及记忆模块。记忆超频方法包括以下步骤。执行电脑装置的开机程序,并且藉由基本输入输出系统执行超频模块,其中记忆模块的串行式存在检测具有预设用于超频的第一记忆时脉频率。藉由超频模块产生第二记忆时脉频率,并且第二记忆时脉频率高于第一记忆时脉频率。判断第二记忆时脉频率是否符合电脑装置的开机条件,以决定是否使记忆模块操作在第二记忆时脉频率。另外,本发明还公开一种应用上述记忆超频方法的电脑装置。
  • 记忆体超频方法电脑装置
  • [发明专利]记忆管理方法及应用该方法的电子装置-CN201210030975.X无效
  • 蔡锦和;许银雄 - 宏碁股份有限公司
  • 2012-02-06 - 2013-08-14 - G06F3/06
  • 一种记忆管理方法及应用该方法的电子装置,记忆管理方法,是应用于电子装置,电子装置包括形成多个记忆区块的至少一记忆模块。该方法包括以下步骤:接收一执行指令;依据执行指令重新排列储存于记忆模块中的至少一数据,以将至少一数据集中储存于单一记忆区块或多个连续记忆区块中;以及停止供电给多个记忆区块中未使用的其他记忆区块本发明还提供一种应用上述记忆管理方法的电子装置。通过本发明的设计,在电子装置处于闲置或休眠状态下,可针对记忆模块所储存的数据重新排列并集中于部分记忆区块内,以将记忆模块中未使用的其他记忆区块进行断电,达到节能省电的效果,以减少多余的电量消耗。
  • 记忆体管理方法应用电子装置
  • [发明专利]记忆操作方法-CN201911045784.9在审
  • 吴昭谊;柯文昇;蔡劲;陈佑昇 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-10-30 - 2020-05-08 - G11C13/00
  • 本案揭示一种包括以下操作的记忆操作方法。第一信号被施加到记忆元件中的记忆单元,以调整记忆单元的电阻值。在施加第一信号之后,将第二信号施加到除第一记忆单元之外的记忆单元,以进一步调整除第一记忆单元之外的此些记忆单元的电阻值。在施加第二信号之后,对应于第一预定电阻值及第二预定电阻值的数据分别储存在第一记忆单元及第二记忆单元中。第一信号用于控制记忆单元中的第一记忆单元,以具有第一预定电阻值。第二信号用于控制记忆单元中的第二记忆单元,以具有第二预定电阻值。
  • 记忆体操作方法

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