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- [发明专利]一种磁性存储器及电子设备-CN202110667674.7在审
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石以诺;迟克群;李州;冯向;孟皓
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浙江驰拓科技有限公司
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2021-06-16
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2022-12-16
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H01L43/08
- 本发明公开了一种磁性存储器，从上至下依次包括磁性自旋阀、耦合层及磁性隧道结；所述磁性自旋阀从上至下依次包括自旋参考层、非磁性间隔层及自旋自由层；所述磁性隧道结从上至下依次包括隧道自由层、势垒层及隧道参考层；所述磁性隧道结通过所述耦合层与所述磁性自旋阀磁耦合。本发明的磁性自旋阀为所述磁性存储器提供了额外的自旋转移矩，大大提高了STT效率，使用较小的电流即可驱动所述磁性存储器发生翻转，进而显著降低了所述磁性存储器的功耗，此外，磁性自旋阀对器件整体的隧道磁阻的影响较小，使器件仍能维持高隧道磁阻。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的电子设备。
- 一种磁性存储器电子设备
- [发明专利]磁性多层膜结构及磁性器件-CN202210785203.0在审
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吴迪
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苏州凌存科技有限公司
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2022-07-04
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2022-12-13
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H01L43/08
- 本发明公开了一种磁性多层膜结构，包括：形成在缓冲层或种子层上的第一多层结构；所述第一多层结构包括顺序布置的：参考层、非磁性中间层、自由层和耦合层；其中，耦合层和自由层通过界面的反铁磁或铁磁耦合，耦合层和自由层的磁矩方向反平行或平行排列，非磁性中间层用于隔离或绝缘。本发明利用耦合层和自由层通过界面的反铁磁或铁磁耦合，或耦合层和参考层通过界面的反铁磁或铁磁耦合，界面的耦合作用提供了较强的垂直磁各向异性，可以在保证垂直磁各向异性的条件下进一步提高自由层或参考层厚度，从而提高TMR值，降低阻尼因子。当耦合层和自由层为反铁磁耦合时，使磁矩方向形成反平行排列，从而降低总体的饱和磁化强度，进而降低外磁场的干扰。
- 磁性多层膜结构器件
- [发明专利]一种磁性隧道结及存储单元-CN202080100135.9在审
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秦青;周雪;刘熹
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华为技术有限公司
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2020-07-30
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2022-12-06
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H01L43/08
- 一种磁性隧道结及存储单元，磁性隧道结包括纵向依次层叠的第一电极层(210)、第一固定磁性层(220)、隧穿绝缘层(230)、自由磁性层(240)、覆盖层(250)、第二固定磁性层(260)和第二电极层(270)，第一固定磁性层(220)和第二固定磁性层(260)各自具有固定的磁化方向，第一固定磁性层(220)的磁化方向具有纵向的分量，且第二固定磁性层(260)的磁化方向在纵向上的分量与第一固定磁性层(220)的磁化方向在纵向上的分量方向相反，自由磁性层(240)具有垂直磁各向异性能，这样，在写入电流经过磁性隧道结时，自由磁性层(240)会受到来自第一固定磁性层(220)和第二固定磁性层(260)的两个同向的自旋转移力矩，具有更高的电流效率，因此需要的翻转电流较小，因此可以降低器件的写入电流，降低写入功耗。
- 一种磁性隧道存储单元
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