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[发明专利]一种三芯超柔高压防火电缆及其制备方法-CN202211642277.5在审
发明人：叶超;李龙 -专利权人：上海思能技术工程有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01B7/295 文献下载
摘要：其中三芯超柔高压防火电缆包括阻燃层，所述阻燃层内设置有三根电线芯，三根所述电线芯外均套设有绝缘层，所述阻燃层与三根电线芯之间填充有填充层，所述阻燃层外设置有防火层，所述防火层外设置有外层，所述阻燃层包括阻燃布层和钢带层，所述钢带层设置在阻燃布层外。本发明通过防火层来对电线芯进行防护，防火层由陶瓷化硅橡胶层和聚氯乙烯层组成，陶瓷化硅橡胶具有极佳的防火、阻燃、低烟、无毒等特性，聚氯乙烯柔韧性好，相当坚固，并且具有防火等特性，以此便能够增加该电缆的防火性
一种三芯超柔高压防火电缆及其制备方法

[发明专利]一种用于全黑组件的高效黑组件晶硅电池新型介质膜及其制备方法-CN202211481095.4在审
发明人：陈如意;王鑫;黄国平;李菁楠 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于全黑组件的高效黑组件晶硅电池新型介质膜，由下至上依次包括Si基底、SiNx层、第一SiOxNy层以及第一SiOx层；所述的SiNx层从下至上依次为第一SiNx层、第二SiNx层和第三SiNx层；所述的第三SiNx层与第一SiOxNy层连接；所述的第一SiOxNy层与第一SiOx层连接；所述的SiNx层与第一SiOxNy层的折射率差值为0.1～0.2；第一SiOxNy层与第一SiOx层的折射率差值为0.1～0.2。通过重新调整镀膜的膜层结构，将膜层结构优化成3+1+1，减少了太阳能电池正面膜层数，同时对膜厚进行优化降低整体的膜厚，减少不同介质膜之间的折射率差增加光吸收。
一种用于组件高效电池新型介质及其制备方法

[发明专利]半导体结构-CN202111476083.8在审
发明人：陈志谚;钒达·卢;孙健仁;连羿韦;王端玮;陈俊扬 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种半导体结构，包含基底、晶种层、磊晶成长层及超晶格结构。晶种层设置于基底上，磊晶成长层设置于晶种层上方，以及超晶格结构设置于晶种层与磊晶成长层之间。超晶格结构包括交错堆栈的复数个超晶格单元，且相邻的两个超晶格单元包含第一和第二超晶格单元，第一超晶格单元包含第一超晶格层及堆栈于其上的第二超晶格层，第二超晶格单元包含第三超晶格层及堆栈于其上的第四超晶格层，其中第一超晶格层包含复数对的第(1‑1)子层和第(1‑2)子层，第二超晶格层包含复数对的第(2‑1)子层和第(2‑2)子层。
半导体结构

[发明专利]硅基负极材料、硅电极及锂离子电池-CN202310095398.0在审
发明人：江柯成;韩定宏 -专利权人：江苏正力新能电池技术有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基负极材料，自内向外依次包括核心区碳层、梯度硅碳复合层、中间硅层、弥散硅层和边界碳层；核心区碳层为密实碳层，梯度硅碳复合层包括自内向外孔隙率逐渐增加的梯度多孔碳层，梯度多孔碳层的孔隙中沉积有硅，且自内向外硅含量逐渐增加；中间硅层和弥散硅层依次包覆于梯度硅碳复合层的外侧，边界碳层包覆于所述弥散硅层的外侧，且弥散硅层中的部分硅颗粒嵌入边界碳层中。
负极材料电极锂离子电池

[发明专利]一种薄膜晶体管多膜层堆叠下对前程缺陷的激光修补方法-CN202310135460.4在审
发明人：黄智杰;陈彦均;王聪智;陈俊杰;曾智聪 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管多膜层堆叠下对前程缺陷的激光修补方法，薄膜晶体管，自下而上依次包括：玻璃面板、第一绝缘层、M2金属层、第二绝缘层、平坦层、M3金属层、第三绝缘层、ITO层、第四绝缘层；当薄膜晶体管多膜层制程完成后，M3金属层上附着有粉尘时的激光修补方法，包括：采用IR激光光源抛除M3金属层之上的非金属膜层直至裸露出M3金属层；采用Green激光光源切断粉尘两端的M3金属层。本发明实现后制程在不影响产品的功能性上补救前程缺陷的可能性，且未对目标层底层膜层造成损坏，从而使缺陷产品变为正常品。
一种薄膜晶体管多膜层堆叠前程缺陷激光修补方法

[发明专利]一种基于移动端商用密码算法加密和解密数据的方法-CN202211456241.8在审
发明人：邓建锋;肖焯;黄宝鑫;赖宇阳;梁志宏;张丽娟;吴昊;王依云;母天石;谭红华;李慧娟;许露珉;连晨 -专利权人：南方电网数字平台科技（广东）有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明公开一种基于移动端商用密码算法加密和解密数据的方法，其特征在于：移动终端包括应用层、组件层和平台层；组件层包含国密TLS层、算法层和引擎层，包括以下步骤：移动终端访问企业内网的数据服务时，先启动移动终端的应用层，应用层包含生成国密HTTPS请求，基于国密HTTPS请求国密SSL VPN客户端接收请求；用户加解密接口响应进行加密处理；应用层将相应的数据信息发给国密TLS层；国密TLS层将数据发送到算法层中，应用层通过用户加解密接口也将相应的数据发给算法层；算法层接收数据包后将其发送到引擎层。
一种基于移动商用密码算法加密解密数据方法

[发明专利]显示装置-CN202210964986.9在审
发明人：金永大;朴商鎭;金次东;梁东炫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：公开了显示装置，并且该显示装置包括衬底、薄膜晶体管、第一无机绝缘层、第一有机绝缘层、第二无机绝缘层和第二有机绝缘层。薄膜晶体管在衬底上面并且包括半导体层和栅电极。第一无机绝缘层包括在半导体层与薄膜晶体管的栅电极之间的第一绝缘层和在栅电极上面的第二绝缘层。第一有机绝缘层在第一无机绝缘层上面。第二无机绝缘层在第一有机绝缘层上面。第二有机绝缘层在第二无机绝缘层上面。穿过第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的至少一个孔形成在薄膜晶体管的外围部分中。
显示装置

[发明专利]一种预置反光材料及其生产工艺-CN202211080275.1在审
发明人：王世杰;查伟强;施威;贾伟灿 -专利权人：杭州星华反光材料股份有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种预置反光材料，从上至下依次包括保护层，反光预置层、调焦层、反射层、压敏胶层，离型层。本申请通过将保护层与预置反光层、或者反光预置层与调焦层、或者保护层与反光预置层与调焦层按顺序通过一步生成工艺制备得到组合层，组合层可以直接用于反光材料的加工中，减少了安装复合工艺的步骤，提高了安装的便利性并且通过一步流延或热压延形成组合层，增加反光材料中各个膜层之间的结合附合力，可以减少反光材料中胶水的使用，降低胶水老化对反光材料寿命的影响，具有良好的耐候性和耐溶剂性。
一种预置反光材料及其生产工艺

[发明专利]半导体发光元件的外延结构、半导体发光元件及发光装置-CN202211361776.7在审
发明人：叶孟欣;江周胜;陈秉扬;陈东坡;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件的外延结构、半导体发光元件及发光装置，本申请的外延结构至少包括依次叠置的N型层、V坑开启层、发光层以及P型层，其中所述发光层为交替堆叠的阱层和势垒层，所述阱层的带隙能量低于所述势垒层的带隙能量；其中，V坑开启层包含所述第一超晶格层，并且所述V坑开启层的底表面距离所述第二超晶格层的底表面的距离小于或等于0.15μm，所述第一超晶格层的底表面距离所述发光层的厚度介于0.05μm~0.3μm，使V表面坑的尖端位置不低于发光层的起初始位置，由此降低了外延层中的漏电通道路径，提高了LED发光效率，尤其是低电流密度下的发光效率。
半导体发光元件外延结构装置

[发明专利]装饰膜、壳体组件及其制备方法和电子设备-CN202211154602.3在审
发明人：李晓波;卢湘武;陈智顺;陈志斌 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种装饰膜，所述装饰膜包括第一装饰层和第二装饰层中的至少一层，所述第一装饰层包括交替层叠设置的至少一层第一装饰子层和至少一层第二装饰子层，所述第一装饰子层的材质包括二氧化硅，所述第二装饰子层的材质包括硅；所述第二装饰层包括至少一层碳化硅层和至少一层第三装饰子层，所述碳化硅层与所述第三装饰子层的折射率差值大于或等于0.5。
装饰壳体组件及其制备方法电子设备

[发明专利]量子点发光器件和显示面板-CN202111129846.1在审
发明人：陈开敏 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：所述量子点发光器件包括依次层叠设置的第一电极层、量子点发光层和第二电极层；所述量子点发光层的量子点为核壳结构量子点，包括核层和壳层；所述量子点发光层包括第一量子点层和第二量子点层，所述第二量子点层设置于所述第一量子点层背离所述第一电极层的一侧，且所述第二量子点层的量子点的壳层能级宽度大于所述第一量子点层的量子点的壳层能级宽度。本申请的量子点发光器件通过量子点发光层的设置，有效改善了电子、空穴的注入平衡，在保持量子点发光器件长寿命的同时提升了器件在常规使用亮度下的效率。
量子发光器件显示面板

[发明专利]发光装置及其制造方法以及包括发光装置的显示装置-CN202180055544.6在审
发明人：李承根;李昞柱;吴元植;李昇我 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种发光元件可以包括：第一端部和第二端部，布置在发光元件的长度方向上；第一半导体层，布置在第一端部上；活性层，布置在第一半导体层上；第二半导体层，布置在活性层上；第一阻挡层，设置在活性层与第一半导体层之间，并且包括第一区域和第二区域；以及绝缘膜，用于围绕第一半导体层、活性层、第一阻挡层和第二阻挡层中的每个的外周表面。这里，第一区域可以包括具有比第一半导体层、活性层和第二半导体层的铝成分高的铝成分的半导体层，并且第二区域可以包括氧化物层。
发光装置及其制造方法以及包括显示装置

[发明专利]一种抑菌防螨毛绒面料及其制备方法-CN202211720306.5在审
发明人：林开欧 -专利权人：南通卓融纺织品有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B32B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑菌防螨毛绒面料及其制备方法，包括基布层，所述基布层一侧设置有弹性编织层，所述弹性编织层另一侧设置有抗静电层，所述抗静电层远离基布层一侧设置有亲肤层，所述抗静电层远离基布层一侧设置有毛绒层；所述基布层内设置有抑菌除螨剂，所述基布层采用高密织物层。本发明，基布层由防螨抗菌纤维通过高密度编织法编织而成，防螨抗菌纤维由内芯和表层组成，表层中添加有抑菌除螨剂，基布层采用高密织物层，通过抑菌除螨剂以及高密度的织物，起到双重防护的作用，中空凸起使得面料的舒适性进一步增强
一种抑菌防螨毛绒面料及其制备方法

[发明专利]一种多层防伪介质框架纸及其制备方法-CN202211722585.9在审
发明人：钟建智;郑文杰 -专利权人：福建泰兴特纸有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： D21H27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层防伪介质框架纸及其制备方法，涉及防伪技术领域，包括基纸层、胶水层、油墨识别层、全息存储层、介质层和彩色印刷层，所述胶水层是附着力有机硅改性聚氨酯粘合剂涂布得到，起到粘合作用；所述油墨层使用磁性光变油墨将磁性光变油墨作为印刷识别点；所述全息存储层以油墨识别层中的标识为定位点，套印全息图案，形成全息存储层；所述介质层通过致密的分子结构对全息存储层起保护作用，同时使全息图案更加炫彩；所述彩色印刷层通过防伪油墨在框架纸表面印刷彩色油墨；所述油墨识别层、全息存储层和介质层通过胶水层与基纸层黏合，最后喷涂彩色印刷油墨在转移涂层上形成彩色印刷层，得到多层防伪介质框架纸。
一种多层防伪介质框架及其制备方法

[发明专利]一种减小晶圆标记区域电弧放电的结构及方法-CN202310160100.X在审
发明人：王佳进;周壮壮;孟凡顺 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种减小晶圆标记区域电弧放电的结构及方法，该方法包括：提供衬底，于衬底上形成下层金属互连层，下层金属互连层包括金属连接层与介质层；于介质层中形成显露金属连接层接触通孔；于接触通孔中填充金属以形成与金属连接层电连接的导电插塞；于介质层上形成顶层金属层并图形化，顶层金属层用作晶圆标记的部分通过导电插塞与下层金属互连层电连接。本发明中晶圆标记顶金属层下方设有导电插塞，通过导电插塞将晶圆标记顶金属层与下层金属互连层和衬底互连，实现电荷在金属连接层及衬底上均匀分布，避免晶圆标记顶金属层收集的电荷局部累积发生电弧放电，降低发生电弧放电的几率，提高良率；并且，无需降低钝化层刻蚀参数，提高产能。
一种减小标记区域电弧放电结构方法