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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]平铺型光子神经网络卷积层芯片-CN201811257377.X有效
发明人：邹卫文;徐绍夫;王静;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种平铺型光子神经网络卷积层芯片，该芯片通用于所有包含了卷积层的神经网络计算。将待运算的数据通过光幅度在光子集成器件中进行表示，并且通过光子集成器件的级联和组网，形成数据运算的功能，并将运算结果实时输出。利用光子集成器件的可调性，可以将任意的信号调制在光幅度上，实现了任意待卷积信号的卷积计算。由于光子信息处理的速度均是常数级(即光速)，可以将传统计算机架构的卷积计算提升数个数量级。
光子集成器件卷积卷积计算神经网络芯片光幅度光子平铺光子信息处理神经网络计算传统计算机个数量级卷积信号实时输出数据通过数据运算信号调制运算结果可调性光速级联组网运算能耗架构

[实用新型]光子集成芯片及光发射组件和光收发模块-CN202120366014.0有效
发明人：季梦溪;李显尧;孙雨舟 -专利权人：苏州旭创科技有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H04B10/516 文献下载
摘要：本申请提供一种光子集成芯片及光发射组件和光收发模块，该光子集成芯片包括设于衬底上的至少一个光调制单元；单个所述光调制单元包括1×N可调分光器和N个光调制器，N为大于1的整数；1×N可调分光器包括一个输入波导在集成光调制器的光子集成芯片上设计了可调节分光比的分光器，通过调节分光比使得该光子集成芯片适用于不同规格的光模块，可有效简化物料管理、降低库存压力。
光子集成芯片发射组件收发模块

[发明专利]在光子集成电路中的衬底耦合光栅耦合器-CN202011617724.2有效
发明人：王黎明;浦田良平;简·佩蒂凯维奇;吉尔·贝格尔 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本公开涉及在光子集成电路中的衬底耦合光栅耦合器。一种光子集成电路芯片，包括衬底和在所述衬底上的晶片。所述晶片本身包括具有锥形部分和光栅特征的光子光栅耦合器。所述光栅特征从所述锥形部分向所述衬底延伸。
光子集成电路中的衬底耦合光栅耦合器

[发明专利]基于硅光子集成芯片的CVQKD系统及方法-CN202110224104.0有效
发明人：黄端;张琦 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅光子集成芯片的CVQKD系统，包括光源处理部分、量子密钥发射端、光纤信道和接收端；光源处理部分将光源发出的信号耦合处理后分发；量子密钥发射端将信号光进行调制并过滤，解调并采样之后生成高斯密钥，高斯密钥通过耦合后经过光纤信道发射到量子密钥接收端；量子密钥接收端对光纤信道输出的光信号进行处理，并进行零差检测；量子密钥发射端和量子密钥输出端均利用硅光子集成技术集成在同一片硅基光子芯片上。本发明还公开了一种所述基于硅光子集成芯片的CVQKD系统的方法。本发明显著提高了芯片器件的集成密度，压缩了器件体积，节约了大量的制作成本，使量子网络更加简易。
基于光子集成芯片 cvqkd 系统方法

[发明专利]光接收组件及光模块-CN202111192844.7在审
发明人：孙雨舟;李显尧;郭德汾;于登群 -专利权人：苏州旭创科技有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：所述光接收组件包括：自由空间的波分解复用器，其具有复用信号输入端口和至少两个复用信号输出端口，当所述复用信号输入端口接收具有多个相邻波段的光信号时，至少一个所述复用信号输出端口输出光信号的波段不相邻；光子集成芯片本发明结合了自由空间的波分解复用器和光子集成芯片的优势，光信号中的至少部分相邻波段在进入光子集成芯片之前已经提前分波，避免因光子集成芯片对具有相邻波段的光信号进行分波而具有的损耗高、串扰、隔离度低等问题
接收组件模块

[实用新型]光子集成电路芯片和用于光子集成电路的组件-CN202020419943.9有效
发明人： F·伯夫;L·马吉 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开涉及光子集成电路芯片和用于光子集成电路的组件。一种光子集成电路芯片包括限定在第一层中的垂直光栅耦合器。第二绝缘层覆盖垂直光栅耦合器，并且具有金属层级的互连结构嵌入第二绝缘层中。根据本公开的实施例能够将光子集成电路的光学输入和/或输出光学耦合到布置在保持块中的光纤阵列中的光纤。
光子集成电路芯片用于组件

[发明专利]一种高速更新微波任意波形的发生系统-CN201811415472.8有效
发明人：张若虎;袁洁;恽斌峰;胡国华;王著元;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速更新微波任意波形的发生系统，光源、光子集成芯片和光电探测器；光子集成芯片包括若干个集成波形发生单元和一个集成波形选择单元，光源与集成波形发生单元的输入端通过光纤相连，集成波形发生单元的输出端通过光波导与集成波形选择单元的输入端相连，集成波形选择单元的输出端通过光纤与光电探测器的输入端相连。本发明通过光子集成方案实现微波任意波形发生，利用多个集成波形发生单元扩展波形种类，利用集成波形选择单元实现波形的高速更新，解决了现有技术中成本高、尺寸大、功耗高、波形种类较少、波形更新速率较低等问题。
一种高速更新微波任意波形发生系统

[发明专利]一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法-CN202110222859.7有效
发明人：张国刚;金志远;陈宇飞;葛海涛;王永进 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法，属于半导体光电子器件与集成技术领域，该芯片利用纳米制备技术得到纳米LED结构，然后利用光刻技术得到LED器件、波导和光电探测器，采用深硅刻蚀技术和氮化物背后刻蚀技术，得到超薄的硅衬底悬空微纳复合结构光子集成芯片。本发明的芯片将纳米结构LED器件、波导和光电探测器集成在同一芯片上，纳米LED器件发出的光，侧向耦合进波导，通过波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，纳米结构可以增强LED的调制带宽和增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，实现高速光子集成芯片，应用于光通信和光传感领域。
一种复合结构光子集成芯片及其制备方法

[实用新型]多通道有源光缆光子集成芯片及有源光缆-CN202222526091.5有效
发明人：郭德汾;李显尧;孙雨舟 -专利权人：苏州湃矽科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及有源光缆技术领域，特别涉及了一种多通道有源光缆光子集成芯片及有源光缆。多通道有源光缆光子集成芯片包括发射端器件和接收端器件，发射端器件包括两个入光耦合结构、两个分光结构、2n个调制器、n个波分复用器和n个第一光纤耦合结构，n为正整数；接收端器件包括n个第二光纤耦合结构、n基于上述波分复用/波分解复用结构，有源光缆光子集成芯片可以有效减少发射端和接收端的端口数目，从而减小光芯片的面积和成本。
通道有源光缆光子集成芯片

[发明专利]光子半导体装置及其制造方法-CN202111211397.5在审
发明人：陈晖;吴建华;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种光子半导体装置及其制造方法。在一些实施方式中，所述光子半导体装置的制造方法包括：提供光子集成电路(PIC)芯片；准备光学元件组件，所述光学元件组件包括多个光学元件，所述多个光学元件包括第一光学元件以及第二光学元件；将所述光学元件组件作为独立封装体整体安装在所述PIC芯片上。本发明将光学元件先集成封装为独立封装体，从而能够通过一次安装将该独立封装体整体安装于PIC芯片上，进而避免了现有技术多次安装导致的不良后果。
光子半导体装置及其制造方法

[发明专利]叠层虚拟掩模版的装置及集成硅光子集成芯片的方法-CN201210355291.7有效
发明人：胡朝阳;余焘;石章如 -专利权人：胡朝阳;余焘;石章如
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及叠层虚拟掩模版的装置及集成硅光子集成芯片的方法，装置结构为照相设备安装在硅光子平台正上方，芯片位置控制台安装在硅光子平台一侧，芯片夹具安装在芯片位置控制台上，计算机分别与照相设备、显像设备、芯片位置控制台相连方法为将硅光子平台上的硅衬底照相由计算机制成虚拟掩模版；再将光芯片/光器件或电芯片/电器件的图像和尺寸与硅衬底的虚拟掩模版生成对应的虚拟掩模版；将多个虚拟掩模版进行对准叠加对准和固结，形成叠层虚拟掩模版；转化叠层虚拟掩模版的精度到实际硅光子平台的芯片上，并对准和固结，得到高精度的硅光子集成芯片。
虚拟模版装置集成光子芯片方法

[实用新型]一种制作掩模版的装置-CN201220486365.6有效
发明人：胡朝阳;余焘;石章如 -专利权人：胡朝阳;余焘;石章如
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种制作掩模版的装置，结构为照相设备安装在硅光子平台正上方，芯片位置控制台安装在硅光子平台一侧，芯片夹具安装在芯片位置控制台上，计算机分别与照相设备、显像设备、芯片位置控制台相连。利用本实用新型集成硅光子集成芯片的方法为将硅光子平台上的硅衬底照相由计算机制成虚拟掩模版；再将光芯片/光器件或电芯片/光器件的图像和尺寸与硅衬底的虚拟掩模版生成对应的虚拟掩模版；将多个虚拟掩模版进行对准叠加对准和固结，形成叠层虚拟掩模版；转化叠层虚拟掩模版的精度到实际硅光子平台的芯片上并对准和固结，得到高精度硅光子集成芯片。
一种制作模版装置

[发明专利]封装结构及其制造方法-CN202210189637.4在审
发明人：达迪·塞蒂亚迪;吴建华;苏湛;薛志全;罗伯特·帕蒂 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，方法包括：提供光子集成结构，所述光子集成结构包括：第一开孔，以及设置于所述第一开孔中的导电材料；提供第一衬底，所述第一衬底包括：第二开孔，以及设置于所述第二开孔中的导电材料；将所述光子集成结构与所述第一衬底键合，以使得所述第一开孔与所述第二开孔对准，并且所述第一开孔中的所述导电材料与对应的所述第二开孔中的所述导电材料电性连接。本发明还提供了一种光子集成电路芯片。
封装结构及其制造方法

[发明专利]具有光纤附接能力的光学管芯最后晶片级扇出封装-CN202180091159.7在审
发明人：西达尔特·拉维钱德兰;布雷特·P·威尔克森;拉胡尔·阿加瓦尔 -专利权人：超威半导体公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：制造具有光纤附接能力的半导体芯片封装包括：通过在正侧面光纤耦合区域中蚀刻V形槽来制备光子集成电路；在有机再分布层上组装光子集成电路；蚀刻有机再分布层；以及将光纤附接到正侧面光纤耦合区域。
具有光纤能力光学管芯最后晶片级扇出封装

[发明专利]一种处理多模光信号的光子集成芯片-CN202110242493.X在审
发明人：林天营;孙旭;汪军平;陈晓刚;胡朝阳 -专利权人：苏州海光芯创光电科技股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理多模光信号的光子集成芯片，包括衬底和设置在衬底上的光波导结构，光波导结构包括依次排列的输入波导、干涉耦合器模块、波导阵列合束器以及输出波导，输入波导为多模波导，输出波导为单模波导，输入波导与干涉耦合器模块的输入端连接所述处理多模光信号的光子集成芯片能够将输入的多模光转换为单根输出的单模光；所述处理多模光信号的光子集成芯片调节灵活性强，且拓展性强，且适合大规模集成。
一种处理多模光信号光子集成芯片

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