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[发明专利]封装结构及其制造方法、光子集成电路芯片-CN202210338343.3在审
发明人：达迪·塞蒂亚迪;邹静慧;苏湛;柏艳飞;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供封装结构及其制造方法、光子集成电路芯片。其中，所述制造方法包括提供光子集成结构，所述光子集成结构包括：光栅耦合器，以及反射层，其中，所述反射层与所述光栅耦合器对应；提供第一衬底；以及将所述光子集成结构与所述第一衬底键合，在所述键合之后，所述反射层位于所述光栅耦合器与所述第一衬底之间。本发明可以优化反射层的制造以及封装结构、相关芯片的制造及结构，避免对光子集成结构中光子器件层及其它结构产生不良影，降低了制造成本。
封装结构及其制造方法光子集成电路芯片

[发明专利]封装结构的制作方法及封装结构-CN202210272339.1有效
发明人：孟怀宇;沈亦晨;王宏杰 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装结构的制作方法及封装结构，其中，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个第一半导体芯片，该半导体晶片上的多个第一半导体芯片构成一个整体结构，针对每个所述第一半导体芯片，提供与该第一半导体芯片对应的至少一个第二半导体芯片以及至少一个裸硅片，并将所述至少一个第二半导体芯片以及所述至少一个裸硅片分别固定在该第一半导体芯片的第一表面的非光耦合区上，所述至少一个裸硅片环绕光耦合区，实现了无塑封的3D芯片堆叠封装，在防止所述第一半导体芯片发生翘曲的同时，还对光耦合接口界面形成了保护。
封装结构制作方法

[发明专利]光子集成电路及其制造方法、光子计算系统、光子计算芯片-CN202210300326.0在审
发明人：彭博;邹静慧;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，其提供了一种光子集成电路及其制造方法、光子计算系统、光子计算芯片。其中，光子集成电路可包括多个定向耦合器，所述多个定向耦合器包括第一定向耦合器、第二定向耦合器，所述第一定向耦合器、所述第二定向耦合器具有不同的分光比例。第一定向耦合器、第二定向耦合器可分别具有金属半导体化合物材料区域，并且金属半导体化合物材料区域的分布对分光比例具有贡献。
光子集成电路及其制造方法计算系统芯片

[发明专利]数据处理方法及系统-CN202210252872.1在审
发明人：安德鲁·克尼亚泽夫;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明涉及电光混合计算机系统领域，其提供了一种数据处理方法及系统。在一种实施方式中，所述数据处理方法包括以下处理：将输入数据转换为光信号；通过多个光子乘法器，使所述光信号承载的输入数据与权重矩阵进行矩阵向量乘法运算，所述权重矩阵确定了数据处理解决的问题；将经过所述乘法运算后的光信号转换为输出数据。本发明提供的技术方案可以用于解决数据聚类、标记、分类和语义分割问题的系统和算法，其中，最耗时和最耗能量的矩阵向量乘法，使用光子乘法器执行，可以减少计算时间和能量消耗。从而，提高系统的处理速度，降低能耗。
数据处理方法系统

[发明专利]封装结构及其制造方法-CN202210189637.4在审
发明人：达迪·塞蒂亚迪;吴建华;苏湛;薛志全;罗伯特·帕蒂 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，方法包括：提供光子集成结构，所述光子集成结构包括：第一开孔，以及设置于所述第一开孔中的导电材料；提供第一衬底，所述第一衬底包括：第二开孔，以及设置于所述第二开孔中的导电材料；将所述光子集成结构与所述第一衬底键合，以使得所述第一开孔与所述第二开孔对准，并且所述第一开孔中的所述导电材料与对应的所述第二开孔中的所述导电材料电性连接。本发明还提供了一种光子集成电路芯片。
封装结构及其制造方法

[发明专利]确定引导随机数据采样方法及其系统-CN202210148039.2在审
发明人：安德鲁·克尼亚泽夫;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H04B10/54 文献下载
摘要：本发明涉及计算机技术领域，其提供了一种确定引导随机数据采样方法及其系统。所述确定引导随机数据采样方法包括：S1，通过第一转换模块将输入数据转换为光信号，光信号的平均强度是可变的；S2，通过光子计算模块，根据引导数据将所述光信号转换为引导光信号，引导光信号的平均强度随光信号的平均强度变化而变化；S3，通过第二转换模块将所述引导光信号转换为输出数据并输出；其中，所述第一转换模块、光子计算模块、第二转换模块中的至少一者产生的噪声被加入到输出数据中，以向输出数据添加扰动。本发明在光域和模拟域中产生扰动，不仅可以使输出数据在组合优化问题求解运算中快速收敛到期望的解，并且相对于数字域的扰动可以大大提高速度。
确定引导随机数据采样方法及其系统

[发明专利]半导体结构及其制造方法、芯片、光子计算系统-CN202310629413.5在审
发明人：孟怀宇;朱轩廷;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提出一种半导体结构及其制造方法、芯片、光子计算系统，其中，半导体结构的制造方法包括：提供一多层结构，所述多层结构包括一支撑衬底、设置在所述支撑衬底上的中间层，以及设置在所述中间层上的波导材料层；刻蚀所述波导材料层，以形成波导，其中，在刻蚀过程中，所述中间层形成凹陷；沉积第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖所述中间层的凹陷的侧壁；以及在所述波导侧壁形成第二氧化硅层，包括对所述波导侧壁进行氧化，以形成所述第二氧化硅层。本发明实施例可以优化半导体结构的形成。
半导体结构及其制造方法芯片光子计算系统

[发明专利]光子计算系统-CN202210073444.2在审
发明人：彭博;阿拉什·侯赛因扎德;徐叶龙;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明涉及光子计算领域，其提供了一种光子计算系统，包括:光子计算单元，被配置为接收第一多个光信号，所述第一多个光信号对应表示第一组多个数值；所述光子计算单元包括多个权重模块，所述多个权重模块对应表示多个预设数值，每一个所述权重模块对应一个预设数值；其中，每一个所述权重模块包括：光输入部，所述光输入部被配置为接收所述第一多个光信号中的1个光信号，以及至少一个定向耦合器，其中的每一个定向耦合器被设计为实现预设的分光比，和/或至少一个MMI，其中的每一个MMI被设计为实现预设的分光比，以使得所述权重模块对应一个所述预设数值，从而实现乘法运算。
光子计算系统

[发明专利]测试结构及测试方法-CN202211707898.7在审
发明人：吉勇宁;苏湛;沈亦晨;孟怀宇 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，其提供了一种测试结构及测试方法。通过在待验收的晶圆或芯片的局部区域形成测试结构，通过向该测试结构输入光信号并对被测光学器件处理输出的光信号或电信号进行测试，来评估被测光学器件的性能、特性参数，从而完成对晶圆的验收测试。
测试结构方法

[实用新型]3dB带宽测试装置-CN202220755316.1有效
发明人：张尚璐;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H04B10/077 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种3dB带宽测试装置，包括光发射器，与所述光发射器连接的待测调制组件，与所述待测调制组件连接的散射参数测试组件，所述散射参数测试组件包括射频信号源；其中，所述光发射器发射光信号至所述待测调制组件；所述散射参数测试组件发射射频信号至所述待测调制组件；所述待测调制组件基于所述射频信号，对所述光信号进行调制，并将调制后的光信号发射至所述散射参数测试组件；所述散射参数测试组件对所述调制后的光信号进行测试，获得所述待测调制组件的散射参数中的正向传输系数。本申请的技术方案提高了3dB带宽的测试效率及测试精度。
db 带宽测试装置

[发明专利]封装及其制造方法、光纤组件的制造方法、光子计算设备-CN202310315274.9在审
发明人：陈俊杰;薛志全;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种封装及其制造方法、光纤组件的制造方法、光子计算设备。光子计算设备包括封装，以及光子集成电路芯片；其中，所述封装中的所述光纤包括第一端以及第二端，所述第一端被配置为接收来自所述封装中的所述光源的光，所述第二端被配置为耦合至所述光子集成电路芯片。
封装及其制造方法光纤组件光子计算设备

[发明专利]封装结构及其封装方法-CN202310190041.0在审
发明人：陈俊杰;吴建华;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装结构及其封装方法，所述封装结构包括：第一基板，其具有承载面；电子集成电路，其设置于所述承载面上；光子集成电路，其具有第一表面和第二表面，所述光子集成电路的第一表面朝向所述第一基板，所述光子集成电路设置于所述电子集成电路远离所述第一基板的一侧；其中，所述电子集成电路上设置有通孔；所述通孔内设置有连接体；并且所述连接体用于将所述光子集成电路与所述第一基板电性连接。本发明提供了一种封装结构及其封装方法，其能降低电压压降、且为光学元件和电学元件的布置及其电性连接布置方式提供更丰富的封装方式，进而使得封装结构更加灵活、体积更小。
封装结构及其方法

[发明专利]光互连装置及其制造方法、计算装置-CN202111527948.9在审
发明人：徐叶龙;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，提供了一种光互连装置及其制造方法、计算装置。该光互连装置包括：多个数字电芯片，包括第一数字电芯片和第二数字电芯片；多个模拟电芯片，包括第一模拟电芯片和第二模拟电芯片；光互连件；第一数字电芯片与第一模拟电芯片通信连接，第二数字电芯片与第二模拟电芯片通信连接，第一模拟电芯片与第二模拟电芯片通过光互连件实现通信连接；第一数字电芯片到第二数字电芯片的信息传输路径包括信息先后经过第一数字电芯片、第一模拟电芯片、光互连件的光波导、第二模拟电芯片、以及第二数字电芯片。本发明可以优化芯片之间的互连，并且针对不同类型的芯片进行单独升级/更换，优化了封装。
互连装置及其制造方法计算

[发明专利]光互连装置及其制造方法-CN202111529427.7在审
发明人：徐叶龙;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，提供了一种光互连装置及其制造方法。其中，所述光互连装置包括：多个电芯片，其包括第一电芯片和第二电芯片；第一光互连件，其具有多个光波导；其中，所述第一电芯片和所述第二电芯片通过所述第一光互连件的光波导实现通信连接。根据本发明的实施方式，多个电芯片通过光互连可以实现例如混合立方体网络通信互连拓扑结构或其它复杂的互连拓扑，同时对信息进行并行处理，芯片间具有紧密的信息互连，能够更好地满足人工智能算法对计算能力和带宽的要求。对比电互连，光互连带宽大、时延低、功耗小、集成度高和抗电磁干扰能力强。
互连装置及其制造方法

[发明专利]波导结构及其制造方法、光子集成电路及其制造方法-CN202111516863.0在审
发明人：苏湛;达迪·塞蒂亚迪;徐叶龙;吴建华;柏艳飞;朱云鹏;邹静慧;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人： 上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种波导结构的制造方法，包括：形成第一材料层；基于所述第一材料层形成第一波导、第二波导，所述第一波导与所述第二波导具有间隔；形成第二材料层；基于所述第二材料层形成波导耦合结构，所述波导耦合结构分别与第一波导、第二波导光学耦合，以使得第一波导与第二波导实现光连接。可以使得波导连接范围不仅局限于一次曝光所限定的区域，将不同曝光区域的波导实现互连，减少波导互连时对准的精度要求，还能够有效避免波导连接时的接合缺陷。
波导结构及其制造方法光子集成电路

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