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[发明专利]转接板、光芯片封装、计算加速器及其制造方法-CN202210369385.3在审
发明人：达迪.塞蒂亚迪;苏湛;吴建华;孙可烨;苏森德兰.贾亚钱德兰;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：南京光智元科技有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种转接板、光芯片封装、计算加速器及其制造方法。该转接板包括：玻璃基板，其包括一个或多个导电通孔，导电通孔包括贯穿玻璃基板的通孔以及通孔内填充的导电材料；以及光波导结构，布置在玻璃基板的第一表面上，其中，光波导结构包括一层或多层光波导以及包覆一层或多层光波导的包覆层，一层或多层光波导用于对封装在转接板上的多个光芯片进行光互连，并且一层或多层光波导的折射率大于包覆层以及玻璃基板的折射率，并且光波导结构还包括贯穿光波导结构的一个或多个第一导电结构，其与一个或多个导电通孔分别电连接。
转接芯片封装计算加速器及其制造方法

[发明专利]封装结构及其制造方法、光子集成电路芯片-CN202210338343.3在审
发明人：达迪·塞蒂亚迪;邹静慧;苏湛;柏艳飞;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供封装结构及其制造方法、光子集成电路芯片。其中，所述制造方法包括提供光子集成结构，所述光子集成结构包括：光栅耦合器，以及反射层，其中，所述反射层与所述光栅耦合器对应；提供第一衬底；以及将所述光子集成结构与所述第一衬底键合，在所述键合之后，所述反射层位于所述光栅耦合器与所述第一衬底之间。本发明可以优化反射层的制造以及封装结构、相关芯片的制造及结构，避免对光子集成结构中光子器件层及其它结构产生不良影，降低了制造成本。
封装结构及其制造方法光子集成电路芯片

[实用新型]一种封装结构-CN202322468569.8有效
发明人： 孟怀宇;沈亦晨;严其新 -专利权人：北京光智元科技有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种封装结构，其包括：第一半导体芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面设置有光耦合区以及非光耦合区，其中，所述光耦合区被所述非光耦合区包围，所述光耦合区内设置有光耦合接口；保护结构，其设置在第一表面的所述光耦合区的外围的非光耦合区上，并且环绕所述光耦合区；塑封层，其覆盖第一表面的非光耦合区并且被保护结构阻隔在光耦合区之外。通过保护结构，使得在第一半导体芯片的非光耦合区上制作塑封层时，令光耦合区的上表面不被塑封层覆盖，保护光耦合区内光耦合接口不被塑封层中的有机物污染的同时，还保证了光耦合区的表面纯净，有利于后续光耦合接口能够与外部光输入维持较高的耦合效率。
一种封装结构

[发明专利]封装结构的制作方法及封装结构-CN202210272339.1有效
发明人： 孟怀宇;沈亦晨;王宏杰 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装结构的制作方法及封装结构，其中，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个第一半导体芯片，该半导体晶片上的多个第一半导体芯片构成一个整体结构，针对每个所述第一半导体芯片，提供与该第一半导体芯片对应的至少一个第二半导体芯片以及至少一个裸硅片，并将所述至少一个第二半导体芯片以及所述至少一个裸硅片分别固定在该第一半导体芯片的第一表面的非光耦合区上，所述至少一个裸硅片环绕光耦合区，实现了无塑封的3D芯片堆叠封装，在防止所述第一半导体芯片发生翘曲的同时，还对光耦合接口界面形成了保护。
封装结构制作方法

[发明专利]芯片仿真验证系统、方法以及电子设备-CN202310808516.8在审
发明人： 孟怀宇;沈亦晨;姜亚华;罗家建;陈章 -专利权人：杭州光智元科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片仿真验证系统、方法以及电子设备，所述系统包括控制模块、模拟器模块以及光子集成电路芯片封装，控制模块用于将与仿真请求相关的数据和指令加载至模拟器模块；模拟器模块通过其提供的接口将需要光子集成电路芯片参与的计算任务转发至光子集成电路芯片封装以及控制光子集成电路芯片执行光子计算操作；光子集成电路芯片封装根据接收到模拟器模块转发的数据和指令以控制光子集成电路芯片执行光子计算操作，并将光子计算操作的计算结果返回至模拟器模块以供控制模块获取，可实现在PIC芯片制造完后，未完成EIC芯片或尚未将PIC芯片及EIC芯片进行集成之前对PIC芯片进行软件开发验证，或其它功能验证。
芯片仿真验证系统方法以及电子设备

[发明专利]光子集成电路及其制造方法、光子计算系统、光子计算芯片-CN202210300326.0在审
发明人：彭博;邹静慧;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，其提供了一种光子集成电路及其制造方法、光子计算系统、光子计算芯片。其中，光子集成电路可包括多个定向耦合器，所述多个定向耦合器包括第一定向耦合器、第二定向耦合器，所述第一定向耦合器、所述第二定向耦合器具有不同的分光比例。第一定向耦合器、第二定向耦合器可分别具有金属半导体化合物材料区域，并且金属半导体化合物材料区域的分布对分光比例具有贡献。
光子集成电路及其制造方法计算系统芯片

[发明专利]数据处理方法及系统-CN202210252872.1在审
发明人：安德鲁·克尼亚泽夫;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明涉及电光混合计算机系统领域，其提供了一种数据处理方法及系统。在一种实施方式中，所述数据处理方法包括以下处理：将输入数据转换为光信号；通过多个光子乘法器，使所述光信号承载的输入数据与权重矩阵进行矩阵向量乘法运算，所述权重矩阵确定了数据处理解决的问题；将经过所述乘法运算后的光信号转换为输出数据。本发明提供的技术方案可以用于解决数据聚类、标记、分类和语义分割问题的系统和算法，其中，最耗时和最耗能量的矩阵向量乘法，使用光子乘法器执行，可以减少计算时间和能量消耗。从而，提高系统的处理速度，降低能耗。
数据处理方法系统

[发明专利]确定引导随机数据采样方法及其系统-CN202210148039.2在审
发明人：安德鲁·克尼亚泽夫;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H04B10/54 文献下载
摘要：本发明涉及计算机技术领域，其提供了一种确定引导随机数据采样方法及其系统。所述确定引导随机数据采样方法包括：S1，通过第一转换模块将输入数据转换为光信号，光信号的平均强度是可变的；S2，通过光子计算模块，根据引导数据将所述光信号转换为引导光信号，引导光信号的平均强度随光信号的平均强度变化而变化；S3，通过第二转换模块将所述引导光信号转换为输出数据并输出；其中，所述第一转换模块、光子计算模块、第二转换模块中的至少一者产生的噪声被加入到输出数据中，以向输出数据添加扰动。本发明在光域和模拟域中产生扰动，不仅可以使输出数据在组合优化问题求解运算中快速收敛到期望的解，并且相对于数字域的扰动可以大大提高速度。
确定引导随机数据采样方法及其系统

[发明专利]光电计算平台-CN202180002830.6有效
发明人： 孟怀宇;卢正观;J.特里;J.邓;M.斯坦曼;G.亨德里;沈亦晨 -专利权人：光子智能股份有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种集成电路中介层包括：半导体基板层；第一金属接触层，其包括第一金属接触区段和第二金属接触区段，第一金属接触区段包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第一半导体晶粒的金属触头，并且第二金属接触区段包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第二半导体晶粒的金属触头。第一图案化层包括单独光掩模图案化的金属路径区段。第二图案化层包括单独光掩模图案化的波导区段，包括跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界的第一波导。第一调制器耦合到第一波导，用于基于第一电信号来调制第一波导中的光波，并且第二调制器耦合到第一波导，用于基于第二电信号来调制光波。
光电计算平台

[发明专利]半导体结构及其制造方法、芯片、光子计算系统-CN202310629413.5在审
发明人： 孟怀宇;朱轩廷;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提出一种半导体结构及其制造方法、芯片、光子计算系统，其中，半导体结构的制造方法包括：提供一多层结构，所述多层结构包括一支撑衬底、设置在所述支撑衬底上的中间层，以及设置在所述中间层上的波导材料层；刻蚀所述波导材料层，以形成波导，其中，在刻蚀过程中，所述中间层形成凹陷；沉积第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖所述中间层的凹陷的侧壁；以及在所述波导侧壁形成第二氧化硅层，包括对所述波导侧壁进行氧化，以形成所述第二氧化硅层。本发明实施例可以优化半导体结构的形成。
半导体结构及其制造方法芯片光子计算系统

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202211099229.6有效
发明人： 孟怀宇;沈亦晨;陈小强;朱云鹏 -专利权人：杭州光智元科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括支撑衬底、埋氧层以及光波导材料层；在光波导材料层上表面沉积硬掩模层；通过三次及以上的光刻刻蚀步骤，在硬掩模层上刻蚀出与目标光波导形貌一致的硬掩模图案，所述硬掩模图案具有预设的三个及以上的不同刻蚀深度；利用硬掩模图案为刻蚀掩模，通过一步刻蚀工艺刻蚀光波导材料层，形成多个光波导，所述多个光波导中具有预设的三个及以上的不同刻蚀深度。采用本发明的制作方法，由于只有一次针对待刻蚀层的刻蚀步骤，每个深度的半导体器件都通过同一刻蚀步骤形成，不会受到额外的等离子轰击而造成刻蚀损耗，极大地提高了器件的稳定性。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]光电探测器的测试结构和方法以及相关芯片和晶圆-CN202310491630.2有效
发明人：吉勇宁;苏湛;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：南京光智元科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，其提供了一种光电探测器的测试结构和方法以及相关芯片和晶圆。所述测试结构包括第一光耦合器、多个分光器、第二光耦合器、以及作为测试对象的光电探测器；其中，在所述第一光耦合器与所述第二光耦合器之间依次连接所述多个分光器，并且所述多个分光器中的一个光分光器的一个输出端口连接所述光电探测器。在测试过程中，获得第一链路损耗；根据所述第一链路损耗计算光电探测器所在链路的损耗；根据所述光电探测器所在链路的损耗计算所述光电探测器的响应度。采用本发明，操作简单，能够提高光电探测器响应度的测试效率和测试精确度。
光电探测器测试结构方法以及相关芯片

[发明专利]光子计算系统-CN202210073444.2在审
发明人：彭博;阿拉什·侯赛因扎德;徐叶龙;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明涉及光子计算领域，其提供了一种光子计算系统，包括:光子计算单元，被配置为接收第一多个光信号，所述第一多个光信号对应表示第一组多个数值；所述光子计算单元包括多个权重模块，所述多个权重模块对应表示多个预设数值，每一个所述权重模块对应一个预设数值；其中，每一个所述权重模块包括：光输入部，所述光输入部被配置为接收所述第一多个光信号中的1个光信号，以及至少一个定向耦合器，其中的每一个定向耦合器被设计为实现预设的分光比，和/或至少一个MMI，其中的每一个MMI被设计为实现预设的分光比，以使得所述权重模块对应一个所述预设数值，从而实现乘法运算。
光子计算系统

[发明专利]封装结构-CN202310162930.6在审
发明人：江卢山;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：杭州光智元科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装结构，其中，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面设置有光耦合区以及围绕所述光耦合区的非光耦合区，所述光耦合区内设置有光耦合接口；至少一个第二半导体芯片，所述至少一个第二半导体芯片固定在所述第一表面的所述非光耦合区上；顶盖板，所述顶盖板被固定在每个所述第二半导体芯片的背离所述第一半导体芯片的一侧表面上，并且覆盖所述至少一个第二半导体芯片；其中，在所述顶盖板上设置有在厚度方向上贯穿所述顶盖板的第一开口，以露出所述光耦合区。实现了无塑封的3D芯片堆叠封装，在防止所述第一半导体芯片发生翘曲的同时，还对光耦合接口界面形成了保护。
封装结构

[发明专利]测试结构及测试方法-CN202211707898.7在审
发明人：吉勇宁;苏湛;沈亦晨;孟怀宇 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，其提供了一种测试结构及测试方法。通过在待验收的晶圆或芯片的局部区域形成测试结构，通过向该测试结构输入光信号并对被测光学器件处理输出的光信号或电信号进行测试，来评估被测光学器件的性能、特性参数，从而完成对晶圆的验收测试。
测试结构方法

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