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[发明专利]一种用于晶圆的光刻胶涂布系统及方法-CN202111182086.0在审
发明人：张成根;林锺吉;金在植 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆的光刻胶涂布系统及方法，该系统包括压力泵单元，压力泵单元包括光刻胶过滤器和压力泵；光刻胶过滤器的进口接入光刻胶供给单元，光刻胶过滤器的出口连接压力泵的入口，通过光刻胶过滤器实现对光刻胶供给单元输入的光刻胶进行过滤处理；压力泵的第一出口接出至喷涂旋转单元，通过第一出口输出恒定喷涂量的光刻胶实现对晶圆进行一次光刻胶喷涂；压力泵的第二出口连接光刻胶过滤器的进口，完成一次喷涂后光刻胶的余量通过第二出口循环输出至光刻胶过滤器进行处理后，固定量的光刻胶被送至压力泵进行下一次的光刻胶喷涂，使每一次喷涂时压力泵内存储有固定量的光刻胶，进而对不同晶圆实现恒定压力的光刻胶喷涂。
一种用于光刻胶涂布系统方法

[发明专利]减少光刻胶使用量的方法及其应用-CN202211618295.X在审
发明人：余亮;高晓义 -专利权人：上海飞凯材料科技股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少光刻胶使用量的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成第一光刻胶湿膜；加热所述第一光刻胶湿膜，得到第一光刻胶层；通过第一印刷网版在所述第一光刻胶层上印刷，得到第二光刻胶湿膜；加热所述第二光刻胶湿膜，得到第二光刻胶层，其中，所述第二光刻胶层具有开孔；以及对所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层的叠加区域通过光掩膜版进行对准曝光，然后显影，以使显影后的所述第二光刻胶层和显影后的所述第一光刻胶层共同形成图形化光刻胶层，其中，所述图形化光刻胶层具有孔隙。本发明能够减少光刻胶的使用量。本发明还提供了一种所述的减少光刻胶使用量的方法在半导体先进封装制程中的应用。
减少光刻使用方法及其应用

[发明专利]一种光刻胶供给装置-CN202010098934.9有效
发明人：董必志 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光刻胶供给装置。该光刻胶供给装置包括：清洗结构和存储结构；清洗结构包括第一光刻胶入口和第一光刻胶出口；存储结构包括第二光刻胶入口和第二光刻胶出口；第一光刻胶出口与第二光刻胶入口连接；清洗结构中设置有超声波发生器；超声波发生器用于产生超声波，将清洗结构中的光刻胶溶液中气泡从光刻胶溶液中脱离，以及将光刻胶溶液中的杂质颗粒聚集；存储结构用于存储经过超声波处理后的光刻胶溶液。本发明实施例提供的光刻胶供给装置，以实现减少输出的光刻胶中的气泡以及杂质颗粒的效果。
一种光刻供给装置

[发明专利]曝光方法-CN202210826955.7在审
发明人：刘志成 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种曝光方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层，第一光刻胶层包含第一比例的光致酸产生剂；在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，第二光刻胶层包含第二比例的光致酸产生剂；在第二光刻胶层上形成第三光刻胶层，第三光刻胶层包含第三比例的光致酸产生剂，第一比例和第三比例的值均大于第二比例的值；以掩模板为掩膜，使用光源产生的光一次性曝光第三光刻胶层、第二光刻胶层和第一光刻胶层，形成位于第三光刻胶层、第二光刻胶层和第一光刻胶层内的沟槽可以降低第二光刻胶层与光的反应，加快第一光刻胶层和第三光刻胶层与光的反应，从而平均三个光刻胶层与光的反应，使得最后形成的沟槽的侧壁是笔直的。
曝光方法

[实用新型]光刻胶涂布装置-CN201821257336.6有效
发明人：张海陆;颜廷彪;叶日铨;黄志凯 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光刻胶涂布装置，包括晶圆承载台及光刻胶供给系统；光刻胶供给系统位于晶圆承载台的一侧，包括光刻胶供应管路、光刻胶喷嘴、流量调节阀、第一流量检测器及第二流量检测器；光刻胶供应管路一端与一光刻胶供应源相连接；光刻胶喷嘴与光刻胶供应管路远离光刻胶供应源的一端相连接；流量调节阀位于光刻胶供应管路上；第一流量检测器位于流量调节阀和光刻胶喷嘴之间的光刻胶供应管路上；第二流量检测器位于光刻胶喷嘴和第一流量检测器之间的光刻胶供应管路上本实用新型的光刻胶涂布装置，能够及时发现因光刻胶供应管路破裂导致的光刻胶涂布量减少引发的工艺不良，提高生产良率。
光刻胶流量检测器光刻胶喷嘴供应管路光刻胶涂布装置流量调节阀供应管本实用新型晶圆承载台供给系统供应源光刻胶涂布良率破裂发现生产

[发明专利]一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置-CN201510617500.4有效
发明人：隆清德;康玉龙;梁元;张智勇;樊利伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置，涉及显示技术领域，可形成窄线宽的黑矩阵，提高显示装置的透过率和开口率。该方法包括：在衬底基板上涂覆负性光刻胶形成第一光刻胶层，并在第一光刻胶层上涂覆正性光刻胶，形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光，经第一次显影后，去除第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及第一光刻胶层中第二区域的负性光刻胶，得到第二光刻胶层中保留的第一光刻胶图案和第一光刻胶层中保留的第二光刻胶图案；对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除第一光刻胶图案，保留第二光刻胶图案。
一种光刻图案制作方法彩色滤光显示装置

[发明专利]光刻胶处理方法-CN201711323254.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶处理方法，所述光刻胶处理方法包括：在半导体衬底表面依次形成第一光刻胶和第二光刻胶，其中所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶；采用第一掩膜板对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行第一次曝光处理，其中被所述第一掩膜板覆盖的区域为第一掩膜区域；采用第二掩膜板并通过所述第二光刻胶对所述第一光刻胶进行第二次曝光处理，以在所述第一掩膜区域的第一光刻胶边缘形成曝光开口区域；对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行显影处理，形成倒梯形的光刻胶结构。
光刻胶掩膜板曝光处理掩膜区域半导体衬底表面光刻胶边缘光刻胶结构曝光开口显影处理倒梯形覆盖

[发明专利]一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用-CN202011396352.5在审
发明人：许箭;秦龙;耿文练;花雷 -专利权人：儒芯微电子材料（上海）有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用，所述金属剥离胶组合物作为碱溶牺牲层应用在金属剥离工艺中，其上层可兼容光刻胶，所述光刻胶选自G线、I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶、极紫外光刻胶、纳米压印光刻胶或电子束光刻胶。
一种金属剥离组合光刻工艺中的应用

[发明专利]光刻胶图案的形成方法和光刻胶结构-CN202111515560.7在审
发明人：曹堪宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种光刻胶图案的形成方法和光刻胶结构，光刻胶图案的形成方法包括，在目标层上形成光刻胶结构，光刻胶结构包括设置在目标层上的光刻胶层、以及设置在光刻胶层上的光波传输层；在第一介质中对光刻胶结构进行曝光处理，在光刻胶层形成曝光图像，光波传输层用于提升光刻胶层的光刻分辨率。在本公开中的光刻胶图案的形成方法，通过光波传输层提高曝光图像的分辨率，提高光刻胶图案的精度。
光刻图案形成方法胶结

[发明专利]光刻胶输送系统-CN202011091893.7有效
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶输送系统，该光刻胶输送系统包括光刻胶供给瓶、缓冲罐和排液胶泵，其中，缓冲罐的顶部设置有进液口和排液口，进液口与光刻胶供给瓶通过进液管路连通，以使光刻胶流入；缓冲罐的底部设置有光刻胶出口，光刻胶出口用于与光刻胶喷嘴连通，以使光刻胶流入光刻胶喷嘴中；排液胶泵与排液口通过排液管路连通，以抽取缓冲罐中的空气。本发明中排液胶泵通过抽取的方式促使光刻胶进入缓冲罐，降低或避免了光刻胶中产生气泡的可能性；而且排液口设置在缓冲罐的顶部，能够将缓冲罐中的空气以及含有气泡的光刻胶抽取出去，不仅避免了浪费大量光刻胶，而且避免了后续光刻胶涂布时由于气泡造成的晶圆缺陷
光刻输送系统

[发明专利]光刻胶涂布方法-CN201810270413.X在审
发明人：王耀增;罗丁硕;杨然富;赵弘文;蔡孟霖 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶涂布方法，包括步骤：步骤一、提供一具有沟槽式结构的衬底；步骤二、将衬底放置在涂胶机台上，根据在衬底上所需要涂布的总光刻胶层的厚度计算出整个光刻胶涂布所需要的光刻胶总喷量；将光刻胶总喷量分解成两次以上的光刻胶喷量；步骤三、根据计算的光刻胶喷量依次进行对应次的光刻胶的涂布并由各次涂布的光刻胶叠加形成总光刻胶层。本发明能提高光刻胶涂布的平坦化效果，节省光刻胶的使用量以及节省工艺时间。
光刻胶光刻胶涂布衬底刻胶层总光沟槽式结构厚度计算平坦化涂胶机叠加分解

[发明专利]混合光刻胶、金属电极的制备方法-CN202310176660.4在审
发明人：孙铮 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2023-02-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本申请提供一种混合光刻胶、金属电极的制备方法，涉及发光技术领域。该混合光刻胶的原料包括负性光刻胶和消光光刻胶，两者体积比为(2.5‑3.5)：1。金属电极的制备方法包括：在设定结构表面使用负性光刻胶进行第一涂覆，得到第一光刻胶层；继续使用混合光刻胶进行第二涂覆，得到第二光刻胶层；对双层光刻胶层进行曝光，得到具有设定图案的双层光刻胶层；在具有设定图案的第二光刻胶层上设置金属层；对金属层下的双层光刻胶层进行剥离，得到金属电极。
混合光刻金属电极制备方法

[发明专利]一种使用正型光刻胶的金属剥离方法-CN202311065455.7在审
发明人：徐浩;边旭明;董鹏;廖梦雅;杨云畅 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用正型光刻胶的金属剥离方法，所述方法包括：在衬底上涂布正型光刻胶；以掩膜版与正型光刻胶相接触的方式，对光刻胶进行曝光，在光刻胶与掩模版接触的表面部分形成倒勾形区域；对光刻胶进行预烤并显影，形成上方为正梯形的光刻胶开口；在光刻胶上和光刻胶开口中蒸镀金属；剥离光刻胶，留下光刻胶开口中的金属，得到金属图形。
一种使用光刻金属剥离方法

[实用新型]一种光刻胶涂布头及涂布装置-CN201220610368.6有效
发明人：李伟;王建峰;刘富军;魏崇喜 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光刻胶涂布头及涂布装置，以解决现有技术中需要在玻璃基板整面涂布光刻胶，造成光刻胶浪费的问题。本实用新型中提供的光刻胶涂布头具有依次间隔排列的若干光刻胶出口。利用本实用新型中具有间隔排列的若干光刻胶出口进行光刻胶涂布，能够避免在玻璃基板的整面涂布光刻胶，减少光刻胶用量，降低成本。
一种光刻布头装置

[实用新型]一种光刻胶补给暂存装置-CN202221378099.5有效
发明人：黄宗友 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本申请提供一种光刻胶补给暂存装置，该装置涉及光刻制造工艺领域。该光刻胶补给暂存装置包括：暂存罐，包括光刻胶入口、光刻胶出口和排气口；抽真空组件，与所述排气口连通；补给通道，其一端与所述光刻胶入口连通，所述补给通道的另一端与光刻胶容器连通并没入所述光刻胶容器中的光刻胶液体中本申请可实现高粘度的光刻胶自动补给。
一种光刻补给暂存装置