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[发明专利]一种半导体器件的T型栅及其制备方法-CN202310905373.2有效
发明人：董鹏;边旭明;廖梦雅;徐浩;杨云畅;曹佳;王琦 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的T型栅及其制备方法，所述方法包括：在外延片上设置表面钝化层和牺牲层；在牺牲层的表面涂敷光刻胶，采用i‑line光刻工艺制备出光刻胶线条图形；刻蚀去除未被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层，并侧向刻蚀被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层，获得线宽缩小的牺牲层线条图形；在牺牲层线条图形上设置平坦化层；对平坦化层进行一致性去除，暴露出牺牲层线条图形；刻蚀去除牺牲层线条图形，形成线条图形窗口；利用线条图形窗口作为掩模，对表面钝化层进行刻蚀形成栅脚图形窗口；采用i‑line光刻工艺光刻出栅帽图形窗口，形成T型栅的图形窗口；在T型栅的图形窗口内沉积栅极金属层，形成T型栅。本发明能够降低制备成本，提高制备效率。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种使用正型光刻胶的金属剥离方法-CN202311065455.7在审
发明人：徐浩;边旭明;董鹏;廖梦雅;杨云畅 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用正型光刻胶的金属剥离方法，所述方法包括：在衬底上涂布正型光刻胶；以掩膜版与正型光刻胶相接触的方式，对光刻胶进行曝光，在光刻胶与掩模版接触的表面部分形成倒勾形区域；对光刻胶进行预烤并显影，形成上方为正梯形的光刻胶开口；在光刻胶上和光刻胶开口中蒸镀金属；剥离光刻胶，留下光刻胶开口中的金属，得到金属图形。本发明能够降低制备成本，提高芯片质量，适用于大规模化的产品生产。
一种使用光刻金属剥离方法

[发明专利]一种GaN激光器和GaN HEMT的集成器件及其制备方法-CN202310678490.X在审
发明人： 廖梦雅;董鹏;边旭明;徐浩 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种GaN激光器和GaN HEMT的集成器件及其制备方法。包括基底；形成在基底上的激光器层结构和HEMT层结构，其间设置有隔离槽；覆盖激光器层结构、HEMT层结构和隔离槽的钝化层；形成在钝化层上的平坦化层，激光器层结构包括依次形成的N型GaN接触层、多层InGaN量子阱有源区和P型GaN接触层；HEMT层结构包括依次形成的掺杂的GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；激光器层结构还包括N型GaN接触层形成的台阶，形成在该台阶上的N型电极，形成在P型GaN接触层上的P型电极；HEMT层结构还包括形成在AlGaN势垒层上的漏极和源极，形成在其间的栅极；平坦化层表面通过过孔与激光器的N型电极电连接的N型电极布线、电连接激光器的P型电极和HEMT的源极电极的连接布线。
一种 gan 激光器 hemt 集成器件及其制备方法

[发明专利]一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法-CN202211395786.2在审
发明人： 廖梦雅;董鹏;边旭明;徐浩;曹佳;王琦 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法。在一具体实施方式中，该器件包括硅衬底；形成在衬底上的第一导电类型的第一接触层；形成在第一接触层上的第一电极和耦合腔结构；所述耦合腔结构包括形成在第一接触层上的下波导光限制层和III‑V族量子点有源层，以及形成在量子点有源层上的第一脊型波导和第二脊型波导以及其间的隔离槽，每一脊型波导包括依次形成的上波导光限制层、第二导电类型的第二接触层和第二电极。该实施方式工艺简单，避免了使用传统分布式反馈激光器的布拉格光栅和二次外延技术，可实现较大的激光阵列波长覆盖范围，适用于低成本大规模硅光集成芯片生产。
一种 fp 激光器件集成调谐激光器及其制备方法

[发明专利]一种GaN HEMT器件及其制备方法-CN202211118526.0在审
发明人：窦永铭;边旭明;陈瑞;董鹏;徐浩;廖梦雅;刘满满;杨云畅 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件及其制备方法。在一具体实施方式中，包括缓冲层；在缓冲层上方形成的GaN沟道层；在GaN沟道层上方形成的势垒层；在势垒层上方形成的栅极、源极和漏极；第一钝化层，其形成在栅极和漏极之间的区域以及栅极和源极之间的区域中；以及栅极场板，其电连接到栅极并形成在第一钝化层上方，该栅极场板上形成有图形化开孔。该实施方式通过图形化的场板结构，直接控制场板产生电场的强度大小、强度的均匀性和面积大小，能够平均峰值电场；同时也可以最大面积上抑制虚栅形成，有利于器件更稳定工作；而且可以有效提升场板金属的制程良率，也可以降低贵金属的使用量，降低生产成本。
一种 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于CMOS技术兼容硅衬底的III-V族化合物材料生长方法-CN202010415449.X有效
发明人： 廖梦雅 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于CMOS技术兼容硅衬底的III‑V族化合物材料生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、将无切角硅衬底送入MBE腔内以去除无切角硅衬底表面的氧化层；S2、在去除表面氧化层的无切角硅衬底上生长一层硅外延层并进行MBE腔内退火；S3、在经过退火后的无切角硅衬底上进行III‑V族化合物材料生长以形成III‑V族化合物缓冲层。本发明利用MBE设备在无切角硅衬底上生长了一层硅外延层，然后结合生长在硅外延层上的III‑V族化合物缓冲层将反向畴终结在III‑V族化合物缓冲层中，从而有效避免了反向畴出现在硅基光源的有源区中，解决了III‑V族化合物在外延生长到非极性的硅衬底时所产生大量反向畴的问题。
一种基于 cmos 技术兼容衬底 iii 化合物材料生长方法

[发明专利]一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法-CN202010736420.1有效
发明人： 廖梦雅 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法，所述方法利用高质量硅上III‑V族直接外延技术和量子点技术，通过将激光器与其它主动和被动光电器件在CMOS兼容的SOI衬底上进行单片集成，充分发挥了硅基光子学的优势，从而获得包括激光器、调制器、硅波导和探测器集成的硅基量子点光发射模块，由于本发明中有源器件均使用同一种量子点外延异质结，并采用MBE设备同时生长而成，因而避免了高成本的二次外延生长。本发明通过采用选择性区域褪火与侧面光栅刻蚀技术，既保证了器件的性能又不需要引入二次外延生长，从而大大降低了成本。
一种基于量子光子器件单片集成方法

[发明专利]基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法-CN202011286959.8在审
发明人：陈思铭;唐明初;廖梦雅 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、将硅衬底送入MBE腔中去除其表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层第一外延层并退火；S3、通过步骤S2的退火后进行砷化铟纳米点生长；S4、通过步骤S3的砷化铟纳米点生长后再生长一层第二外延层并再次退火；S5、通过步骤S4的再次退火后并生长一层砷化镓缓冲层，从而获得基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓衬底。本发明通过采用纳米尺寸的空洞极大降低了硅衬底上穿透型位错密度，能够有效避免硅衬底在后续砷化镓生长中因使用过多层数超晶格位错过滤层而导致的微裂缝问题，从而提高了硅基砷化镓衬底上器件的性能。
基于纳米空洞穿透密度硅基砷化镓层生长方法

[发明专利]带指南针的户外水壶-CN201510298917.9在审
发明人： 廖梦雅 -专利权人： 廖梦雅
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： A45F3/16 文献下载
摘要：一种带指南针的户外水壶，包括瓶体，瓶体上设有瓶盖，瓶盖上设有方向指示装置。本发明结构简单，成本低廉，操作方便，在户外活动时不需额外的携带方向指示装置，使用此水壶便能辨别方向，给使用带来了很大的方便。
指南针户外水壶

[实用新型]带指南针的户外水壶-CN201520379048.8有效
发明人： 廖梦雅 -专利权人： 廖梦雅
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： A45F3/16 文献下载
摘要：一种带指南针的户外水壶，包括瓶体，瓶体上设有瓶盖，瓶盖上设有方向指示装置。本实用新型结构简单，成本低廉，操作方便，在户外活动时不需额外的携带方向指示装置，使用此水壶便能辨别方向，给使用带来了很大的方便。
指南针户外水壶

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