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[发明专利]任意曲率球面微结构的可控加工方法-CN202110718333.8有效
发明人：麻皓月;李俊杰;杨海方;全保刚 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：根据一实施例，一种制备任意曲率球面微结构的可控方法可包括：制备光刻胶层；制备曝光版图，所述曝光版图是灰度图，每个像素的灰度值对应于该像素的曝光量；由激光直写曝光设备使用所述曝光版图对所述光刻胶层进行激光直写曝光，其中激光束对光刻胶层上的每个点的曝光量与所述曝光版图上的对应像素点的灰度值相对应；对曝光后的光刻胶层进行显影，以在所述光刻胶层上产生与所述曝光版图对应的球面微结构；以及对所述光刻胶层进行回流处理以消除光束拼接产生的条纹
任意曲率球面微结构可控加工方法

[发明专利]光刻机漏光检测方法及系统-CN201010275918.9有效
发明人：钱志浩 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻机漏光检测方法和使用该方法的系统，属于光刻技术领域。在光刻版上设置用于直接曝光的主管芯区域和用于漏光曝光的副管芯区域，仅透过主管芯区域对涂覆有光刻胶的晶圆曝光；获取晶圆上副管芯区域漏光完全成像时，主管芯区域的临界曝光能量，并计算所用光刻胶生成图形所需的最小能量值与所述临界曝光能量的比值上述测试利用光刻机本身曝光模式，不需要额外的设备，因此测试方法简便。
光刻漏光检测方法系统

[发明专利]光刻设备-CN200510114473.5有效
发明人：吴恒忠 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种光刻设备，适于对于基板进行光刻工艺。此光刻设备包括光刻胶涂布及显影装置、曝光装置以及气浮输送装置，其中基板自光刻胶涂布及显影装置移出时，基板具有第一温度范围。气浮输送装置设置于光刻胶涂布及显影装置与曝光装置之间，而气浮输送装置适于将基板输送至曝光装置。气浮输送装置所喷出的气体具有第二温度范围，其中第二温度范围为第一温度范围之部分。基于上述，本发明之光刻设备所形成的图案的变化量能够缩小。
光刻设备

[发明专利]用于半导体光刻的投射曝光设备中的振动衰减-CN200980136165.9有效
发明人：彼得.克洛希;迈克尔.林格尔;马库斯.韦斯 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2009-09-15 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备(310)的可换组件(1)，该可换组件(1)包括至少一个阻尼元件(2)。此外，本发明还涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备(310)以及一种用于半导体光刻的投射曝光设备的测量组件，该测量组件包括至少一个用于检测投射曝光设备的振动参数的传感器，其中该测量组件实施为能够插入到投射曝光设备
用于半导体光刻投射曝光设备中的振动衰减

[发明专利]无掩模光刻方法和无掩模光刻设备-CN202110645560.2在审
发明人：陈晓西;徐律涵;陈松泽;叶茂 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于光刻技术领域，尤其涉及一种无掩模光刻方法和无掩模光刻设备，所述方法包括以下步骤：S1：获取目标物的待曝光区域；S2：根据所述待曝光区域产生焦点控制信号，所述焦点控制信号用于控制曝光光束聚焦的焦点的移动轨迹；S3：根据所述焦点控制信号控制曝光光束聚焦的焦点在所述目标物的表面移动以使所述待曝光区域曝光。所述设备包括光源，控制器和焦点移动装置。本发明的无掩模光刻方法和设备不需要使用掩模版，因此节约了制作掩模版的时间和成本。
无掩模光刻方法设备

[发明专利]图案的形成方法-CN201710686758.9在审
发明人：王忠诚;陈俊光;赵家峥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种应用于微电子技术领域的图案的形成方法，包括：通过能量束对设置在晶圆上的光刻胶层进行曝光，使用曝光后烘烤设备对具有曝光后光刻胶层的晶圆实施曝光后烘烤，在曝光后烘烤之后，对曝光后光刻胶层进行显影，藉此形成光刻胶图案，曝光后烘烤设备包含烘烤盘，当晶圆的温度在预定温度范围时，将晶圆放置在烘烤盘上以进行曝光后烘烤。
曝光晶圆光刻胶层烘烤烘烤设备烘烤盘图案微电子技术领域光刻胶图案能量束显影应用

[发明专利]一种光刻设备曝光一致性的标定补偿方法及系统-CN201811418223.4在审
发明人：高天;董帅 -专利权人：合肥芯碁微电子装备有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻设备曝光一致性的标定补偿方法及系统，将光刻设备生产线中的一台光刻设备作为基准机台，其余光刻设备作为待校准的标定机台，校准标定机台与基准机台之间的曝光机差，得到标定机台与基准机台之间的曝光补偿参数，标定机台以所述基准机台为基准，根据所述标定机台与所述基准机台之间的曝光补偿参数，对该标定机台所需处理的GDS图形进行矢量运算，得到新的图形数据，所述通过曝光补偿参数校准标定机台与基准机台的曝光一致性，将新的图形数据作为该标定机台的曝光数据；简单易于实现，满足在自动线中曝光图形规格一致性的需求，而且提高自动线产品的曝光质量，为不同机台相互对位提供数据支撑。
机台标定光刻设备曝光补偿曝光标定补偿图形数据校准参数校准曝光数据曝光图形矢量运算数据支撑曝光机对位

[实用新型]一种曝光设备-CN201020250227.9有效
发明人：郝金刚;董云 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种曝光设备，属于光刻技术领域，其可解决现有的曝光设备容易产生重复缺陷的问题。本实用新型的曝光设备包括光源、基板支持部件、与竖直方向的夹角a为0度或为锐角的掩模板，曝光光线透过掩模板的透光区后照射到所述待曝光的基板上形成曝光图形。本实用新型的曝光设备可用于半导体光刻过程中。
一种曝光设备

[发明专利]光刻曝光设备及光刻曝光方法-CN201810418147.0有效
发明人：刘必秋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻曝光设备，涉及集成电路制造技术，该光刻曝光设备包括光源、掩膜版及晶圆，所述掩膜版位于所述光源与所述晶圆之间，所述光源用于发出光束照射所述掩膜版，其中，所述光源发出至少两种带宽的光束；以使光刻曝光设备针对掩膜版的不同区域的工艺窗口最大化，进而提高光刻工艺的整体工艺窗口。
光刻曝光设备方法

[发明专利]确定光刻工艺窗口的方法、装置、存储介质及电子设备-CN202311222006.9在审
发明人：马春雨;陈冠中;聂方园 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种确定光刻工艺窗口的方法、装置、存储介质及电子设备。该方法包括：根据焦距能量矩阵和目标光刻图案的关键尺寸确定目标曝光条件；根据目标曝光条件和预设步进量确定多个第一曝光条件和多个第二曝光条件，以使得曝光设备根据目标曝光条件和多个第一曝光条件对第一晶圆进行曝光，以及根据目标曝光条件和多个第二曝光条件对第二晶圆进行曝光；获取第一晶圆在曝光过程中的多个第一目标焦距和第二晶圆在曝光过程中的多个第二目标焦距；根据目标曝光条件的目标曝光能量和多个第一目标焦距确定第一晶圆的第一光刻工艺窗口，并根据目标曝光条件的目标曝光能量和多个第二目标焦距确定第二晶圆的第二光刻工艺窗口。
确定光刻工艺窗口方法装置存储介质电子设备

[实用新型]一种用于LDI设备的内层对准的标记结构-CN202122863072.7有效
发明人：肖燕青;符祥震;程珂 -专利权人：江苏影速集成电路装备股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于LDI设备的内层对准的标记结构，属于电路板生产技术领域。根据本实用新型的标记结构包括：DMD(1)，光刻物镜(2)和对准标记模块；其中，DMD(1)和光刻物镜(2)为LDI设备的结构，对准标记模块与LDI设备上的载物台(8)连接；载物台(8)用于承载待曝光PCB板(7)；所述DMD(1)和所述光刻物镜(2)用于通过所述对准标记模块在所述待曝光PCB板(7)的B面曝光出靶标。本实用新型的所述标记结构通过LDI设备机台上的DMD和光刻物镜来曝光靶标，简化了LDI设备机台结构；并且，通过DMD和光学成像来曝光出靶标，既能够生成不同形状的靶标，并且曝光形成的靶标精度更高。
一种用于 ldi 设备内层对准标记结构

[发明专利]一种倒置接触式光学曝光光刻设备及曝光方法-CN202010319602.9在审
发明人：李亮;殷诗淇;陈家旺 -专利权人：安徽大学
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及接触式曝光光刻设备技术领域，提供一种倒置接触式光学曝光光刻设备及曝光方法，能够达到出光均匀且效率高、基板高度可调、曝光时间可控的实验效果，并降低了对光刻版磨损，包括水平设置的基板，所述基板的下端边缘通过多个可拆卸式安装的杆架连接有光学平台，光学平台上设有电源、紫外光源装置和时间继电器；所述紫外光源装置与电源、时间继电器通过导线相连接；所述基板的顶端中部开设有自上而下依次向内收缩的放置槽；所述光学平台水平设置，用于保持光刻设备水平放置并固定光刻设备的位置；所述时间继电器用于根据不同条件控制曝光时间。本发明可根据不同条件调节基板高度和曝光时间，达到需要的实验效果。
一种倒置接触光学曝光光刻设备方法

[发明专利]重工方法及重工系统-CN201610618116.0有效
发明人：曹中林;臧鹏程;刘庭良;李挺;陈中龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种重工方法及重工系统，其重工方法包括：光刻胶去除步骤，用于去除待重工基板上的光刻胶；光刻胶检测步骤，用于检测待重工基板是否残留有光刻胶；若是，则返回光刻胶去除步骤；若否，则进行曝光步骤；曝光步骤，用于对待重工基板进行曝光工艺。本发明提供的重工方法，其可以有效防止残留有光刻胶的待重工的基板进入曝光步骤，从而可以避免设备停机和产品不良等一系列重大经济损失。
重工方法系统

[发明专利]晶圆的处理方法-CN202010276304.6在审
发明人：张成根;林锺吉;金在植;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆的处理方法，通过涂布显影设备实现；所述方法包括：在晶圆的表面涂布光刻胶；将所述晶圆划分为中心区域和边缘区域，所述边缘区域包围所述中心区域；进行边缘曝光工艺，以曝光位于所述晶圆的边缘区域的光刻胶；对曝光后的所述光刻胶进行显影。本申请提供的晶圆的处理方法，只通过一台涂布显影设备即可实现对晶圆边缘的光刻胶涂布、曝光和显影，工艺流程简单易操作，提供了工作效率，不需要再使用扫描曝光机或步进光刻机，节省了成本和空间。
处理方法

[发明专利]形成沟槽的方法、形成金属连线的方法、光刻方法及设备-CN200910085436.4有效
发明人：符雅丽;张海洋;孙武 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成沟槽的方法、形成金属连线的方法、光刻方法及设备，所述形成沟槽的方法包括步骤：测试曝光、显影后的光刻胶掩模图形的沟槽侧壁是否垂直于半导体基底，如果否，则调整曝光的能量，并利用调整后的能量作为目标能量透过掩模板对所述光刻胶层曝光，对曝光后的光刻胶层进行显影，形成具有沟槽的光刻胶掩模图形，然后循环执行该步骤；利用调整后的能量作为目标能量透过掩模板对所述光刻胶层曝光；对曝光后的光刻胶层进行显影，形成具有开口结构的光刻胶掩模图形；对具有所述光刻胶掩模图形的半导体基底进行刻蚀
形成沟槽方法金属连线光刻设备