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[发明专利]曝光方法和半导体器件的制造方法-CN201410682296.X有效
发明人：丁刘胜;王旭洪;徐元俊 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种曝光方法和半导体器件的制造方法，所述曝光方法包括：在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光，其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明根据本申请的实施例，在光刻胶表面沉积介质层，能够防止在曝光过程中光刻板与光刻胶接触，避免光刻胶对光刻板的粘污，使得清洗光刻板所需的时间和成本减少。
曝光方法半导体器件制造

[发明专利]光刻设备-CN201780060159.4在审
发明人： F·范德梅尤伦;E·J·阿勒马克;H·H·M·考克斯;M·A·W·丘珀斯;J·德胡戈;G·C·德维雷斯;P·C·H·德威特;S·C·R·德克斯;R·C·G·吉杰曾;D·V·P·赫姆舒特;C·A·霍根达姆;A·H·凯沃特斯;R·W·L·拉法雷;A·L·C·勒鲁克斯;P·W·P·里姆彭斯;J·V·奥弗坎普;C·L·瓦伦丁;K·范伯克尔;S·H·范德莫伦;J·C·G·范德桑登;H·K·范德舒特;D·F·弗勒斯;E·A·R·威斯特豪斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻设备，包括被配置为投射图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统，光刻设备进一步包括用于冷却衬底的冷却设备，其中冷却设备包括位于衬底台上方并且邻近于曝光区域的冷却元件，冷却元件被配置为从衬底去除热量
衬底光刻设备冷却设备冷却元件曝光区域衬底去除投射图案投影系统辐射束配置冷却邻近

[发明专利]一种光刻机曝光控制方法以及光刻机、控制装置、存储介质-CN202310821998.0在审
发明人：陈超;涂先勤;林垂真;王鹏;蔡自立;零萍;敦士军 -专利权人：中山新诺科技股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻机曝光控制方法以及光刻机、控制装置、存储介质，根据线路轨迹信息控制光刻发射模组偏摆，通过调节所述光刻发射模组的光线出射方向在晶圆表面曝光出线路图案层；所述通过调节所述光刻发射模组的光线出射方向在晶圆表面曝光出线路图案层包括：计算当前所述光线出射方向与基准方向之间的当前偏向角度θ，其中，所述基准方向为所述光刻发射模组正对所述晶圆表面的方向；根据当前偏向角度处理出当前曝光时间；控制所述光刻发射模组对当前照射位置进行曝光处理，并且曝光处理的时间为当前曝光时间；本设计能够均衡晶圆表面各个位置的曝光效果，提高芯片的成品质量。
一种光刻曝光控制方法以及装置存储介质

[发明专利]一种光刻版以及光刻方法-CN201510919531.5在审
发明人：胡骏 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻版以及光刻方法。所述方法包括步骤S1提供待光刻硅片，所述待光刻硅片表面由下至上有待图形化材料层和光刻胶层；步骤S2提供光刻版，并确定所述光刻版的透光率；步骤S3根据光刻版的透光率的大小调整光刻版的曝光区域，以控制所述光刻版的透光率在目标值以内，然后对选定的所述曝光区域进行曝光；步骤S4以光刻胶层为掩膜进行所述待图形化材料层的图形化处理；其中，在所述步骤S3中当所述光刻版中选择曝光的区域为部分区域时，则重复所述步骤S3和S4对未曝光的区域进行曝光，直至完成所述光刻版的全部区域的曝光，最终在所述待蚀刻材料层中形成目标图形。
一种光刻以及方法

[发明专利]光刻设备、气浴装置及其气浴发生器-CN202210068296.5在审
发明人：王魁波;吴晓斌;韩晓泉;罗艳;沙鹏飞;李慧;孙家政;谢婉露;马赫;谭芳蕊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻设备、气浴装置及其气浴发生器，其中气浴发生器包括封闭环体，所述封闭环体围绕工作区域设置，且所述封闭环体的内部形成环形流道，所述封闭环体上还设置有与所述环形流道连通的周向分布的出气口，所述出气口产生围绕所述工作区域分布的封闭气流层本发明提供的气浴发生器能够用于光刻设备，并沿周向围绕光刻设备曝光区域设置，在曝光区域的周边形成一圈与外界隔离的封闭气流层，解决了如何降低光刻设备内位于曝光区域的硅片微环境的气体污染和颗粒污染的问题。
光刻设备装置及其发生器

[发明专利]一种拼接光波导结构及其制备方法-CN201810100492.X在审
发明人：李冰;陈东石 -专利权人：李冰
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种拼接光刻方法，包括：确定第一拼接曝光图形和第二拼接曝光图形，所述第一拼接曝光图形和第二拼接曝光图形具有重叠区域和拼接对准监控标记；进行所述第一拼接曝光图形的光刻曝光；利用拼接对准监控标记进行所述第二拼接曝光图形的光刻曝光通过本发明公开的拼接光刻方法，可以有效地降低拼接光波导拼接处的插入损耗。
拼接曝光图形光刻曝光监控标记光刻对准光波导结构插入损耗重叠区域光波导拼接处有效地显影制备

[发明专利]一种检测与校正晶圆边缘曝光的方法和涂胶显影机-CN202011434990.1在审
发明人：李其衡;丁明正;刘强;贺哓彬;王桂磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测与校正晶圆边缘曝光的方法和涂胶显影机。校正晶圆边缘曝光的方法包括如下步骤：在晶圆上旋涂光刻胶；使用LED光源对所述晶圆进行边缘曝光；在显影后，对所述晶圆进行检测，获取曝光后的光刻胶信息；根据获取的所述光刻胶信息校正所述边缘曝光的参数。在显影后对晶圆进行检测，获取曝光后的光刻胶信息，并根据光刻胶信息校正所述边缘曝光的参数，能够随时调整边缘曝光的工艺参数，灵活性强，能够提高对边缘残留的光刻胶的处理效果。
一种检测校正边缘曝光方法涂胶显影

[发明专利]用以改进利用两次曝光的数字光刻的工艺窗及分辨率的方法-CN202180063539.X在审
发明人：蔡启铭 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文描述的实施方式涉及在光刻环境中印刷双重曝光图案的方法。所述方法包括在光刻工艺中利用第一曝光图案确定要曝光的第二曝光图案。第二曝光图案由基于规则的处理流程或光刻模型处理流程确定。
用以改进利用两次曝光数字光刻工艺分辨率方法

[发明专利]无掩模光刻设备的同步脉冲曝光方法和数字激光直写系统-CN201510278066.1在审
发明人：曲鲁杰;梅文辉;杜卫冲;宋素霜 -专利权人：中山新诺科技股份有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提出一种无掩模光刻设备的同步脉冲曝光方法，所述的无掩模光刻设备采用由UV激光或UV LED光源、DMD微反射镜器件和光学透镜组成的曝光成像系统，其特征在于：产生系列的脉冲同步信号，触发所述DMD微反射镜器件与所述UV激光或UV LED光源同步工作，所述脉冲同步信号的脉冲间隔取决于DMD微反射镜器件对图形的更换或刷新周期；一种数字式激光直写系统，包括上位机，负责向曝光成像系统输出数字点阵图案，以及系列的脉冲同步信号；一个或多个并排的曝光成像系统。本发明解决光刻设备各部分的同步控制问题，便于设计更为高效、合理的曝光和刷新时间，克服传统曝光机产能低、系统适应性弱的缺点。
无掩模光刻设备同步脉冲曝光方法数字激光系统

[发明专利]高通量光刻胶配胶曝光一体化设备及光刻工艺-CN202110673445.6在审
发明人：李卫民;施胜华;黄嘉晔;俞文杰 -专利权人：上海集成电路材料研究院有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高通量光刻胶配胶曝光一体化设备及光刻工艺。设备包括配胶系统、涂胶腔室、传送腔室及曝光腔室；配胶系统包括2套以上配胶装置，各配胶装置均包括配胶釜、压滤机和精滤釜，光刻胶原料在配胶釜中完成混合调配后被输送至压滤机过滤，之后转入精滤釜进行超净过滤以得到光刻胶；涂胶腔室包括涂胶腔体、载台及喷嘴，载台及喷嘴均位于涂胶腔体内，喷嘴一端经双极泵与各配胶装置的精滤釜相连接，另一端延伸到载台上方；传送腔室连接于涂胶腔室和曝光腔室之间，传送腔室包括传送腔体及位于传送腔体内的传送装置本发明可实现光刻胶的自动加料和自动配置，且配方高通量，曝光高通量，可降低光刻成本和提高光刻良率。
通量光刻胶配胶曝光一体化设备工艺

[发明专利]一种多光束控制的多电子束光刻设备和光刻方法-CN202011592175.8在审
发明人：尹正茂;梅文辉;杜芳林 -专利权人：中山新诺科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种多光束控制的多电子束光刻设备和光刻方法，该光刻设备包括多激光束阵列器件和多电子束阵列器件，其中，所述多激光束阵列器件包括激光光源、激光平行扩束镜和数字微反射镜阵列，所述多电子束阵列器件包括阴极采用本发明提供的多光束控制的多电子束光刻设备和方法，能够大幅增加可控电子束的数量，增加有效曝光点数量，减少总曝光次数，减少电子束光刻写入时间，大幅提升电子束光刻的效率和吞吐量，有望使多电子束光刻设备超越以光为媒介的传统光刻设备的光刻效率和分辨率，推动多电子束光刻设备成为具有强竞争力的实用光刻设备。
一种光束控制电子束光刻设备光刻方法

[发明专利]一种多电子束的光刻设备和光刻方法-CN202011595497.8在审
发明人：尹正茂;梅文辉;杜芳林 -专利权人：中山新诺科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种多电子束的光刻设备和光刻方法，该光刻设备包括多激光束阵列器件和多电子束阵列器件，其中，所述多激光束阵列器件包括激光光源、激光平行扩束镜和液晶开关阵列，所述多电子束阵列器件包括阴极、光‑电子转换发射阵列采用本发明提供的多电子束的光刻设备和方法，能够大幅增加可控电子束的数量，增加有效曝光点数量，减少总曝光次数，减少电子束光刻写入时间，大幅提升电子束光刻的效率和吞吐量，有望使多电子束光刻设备超越以光为媒介的传统光刻设备的光刻效率和分辨率，推动多电子束光刻设备成为具有强竞争力的实用光刻设备。
一种电子束光刻设备方法

[发明专利]一种局部减薄制造方法-CN202110389503.2在审
发明人：杨健;朱庆芳 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种局部减薄制造方法，首先量测晶片表面待减薄层每个对应曝光区域的点的前值厚度；然后使晶片上覆盖一层光刻胶，采用步进式曝光机的渐进曝光模式，每一区域的曝光能量与焦距由该点的厚度的量测结果而定，之后进行显影，形成表面平齐的光刻胶厚度补偿层；接着选用对光刻胶和待减薄层具有相同蚀刻速率的蚀刻剂进行刻蚀；蚀刻完成后，去除光刻胶。本发明以传统的黄光工艺即可得到局部减薄的效果，获得更佳的厚度均匀度以满足性能的需求；本发明所使用的设备均为晶片制造业所具有的传统设备，达到节省制造成本的目标。
一种局部制造方法

[发明专利]衬底曝光方法和光刻投影设备-CN200410079133.9有效
发明人： J·M·芬德什;J·M·D·斯托伊德赖杰;J·W·德克勒克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种把掩模(MA)图案的图像曝光到涂有抗蚀剂层的衬底(W)的方法，其中，在开始曝光后及曝光完成前，控制器(100)通过在曝光时改变衬底承载台位置(WT)而在抗蚀剂层的图像中引入受控数量的对比度损失对比度损失影响光刻投影设备分辨率的间距依赖性，因而把对它的控制用于匹配不同光刻投影设备之间分辨率的间距依赖性。
衬底曝光方法光刻投影设备

[发明专利]在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法-CN201310061485.0有效
发明人：杨海方;尹红星;顾长志;刘哲;夏晓翔 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法，其步骤包括：在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对其进行烘烤；根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版；利用紫外光刻设备，采用欠曝光对样品进行曝光并显影；选择合适的温度对曝光后的样品进行热流处理，形成类球形形状的光刻胶结构样品；将光刻胶结构样品用感应耦合等离子体刻蚀设备进行刻蚀，从而将光刻胶形状转移到GaP表面；用丙酮溶液或者去胶机去除样品表面的残胶即得到增强
algainp led gap 表面制备球形结构方法

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