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[发明专利]液晶显示装置阵列基板的制造方法-CN200710121529.9有效
发明人：宋泳珍 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，包括在基板上依次沉积透明电极层和栅金属层，沉积光刻胶，采用第一掩模板进行掩模、蚀刻后，形成由栅金属层和透明电极层构成的栅线、栅电极和像素电极，去除剩余光刻胶；依次沉积栅绝缘层、非晶硅层和重掺杂非晶硅层，沉积光刻胶，采用第二掩模板进行掩模、蚀刻后，使栅绝缘层覆盖栅线并去掉像素电极上的栅金属层；沉积数据金属层，沉积光刻胶，采用第三掩模板进行掩模、蚀刻后，形成数据线，源漏电极及其间隔区域，去除剩余光刻胶。本发明通过减少掩模板数到3次，使得总工程的容量大大增加，所用的时间缩短，产品成品率提高，从而降低产品成本。
液晶显示装置阵列制造方法

[发明专利]光刻掩模和用于生成光刻掩模的方法-CN200610055091.4无效
发明人： T·亨克尔;R·克勒;C·内尔谢尔;K·伦纳 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：用于在衬底上对抗蚀剂层进行光刻制图的具有第一区域(50、52、54、56)以及第二和第三区域(60、62、64、66、70、72、74、76)的光刻掩模，在第一区域中光刻掩模(14)具有不透明层，第二和第三区域在光刻掩模的光学厚度方面不同且在其中光刻掩模至少是半透明的光刻掩模包括具有交替布置并且被第一区域(50)环绕的多个第二区域(62、64)和多个第三区域(72、74)的第一段(44)，用于以小于预定临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(34、36)。该光刻掩模还包括具有多个第三区域(70、76)的第二段(42、46)，每个第三区域都被第二区域环绕，该第二区域被多重连接的第一区域环绕，用于以大于预定临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(32、38)。
光刻用于生成方法

[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统-CN201210104156.5有效
发明人：李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请涉及半导体学中的集成电路光刻领域，公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，包括：极紫外光源、极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、采集及分析系统。所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上；所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛；所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析系统。本申请利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜，实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。
紫外光刻缺陷检测系统

[发明专利]一种混合线条的制造方法-CN201110460558.4有效
发明人：唐波;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种混合线条的制造方法，该方法包括以下步骤：在底层上依次形成材料层和硬掩模层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层对光学曝光和电子束曝光都敏感，并分别利用光学曝光和电子束曝光对所述光刻胶层进行曝光，显影后形成第一光刻胶图形和电子束曝光胶图形，其中第一光刻胶图形通过光学曝光形成，电子束曝光胶图形通过电子束曝光形成；以所述第一光刻胶图形和电子束曝光胶图形为掩模，对所述硬掩模层刻蚀形成对应的第一硬掩模图形和第二硬掩模图形；以所述第一硬掩模图形和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀所述材料层，形成第一线条和第二线条。本发明将同一层次图形按线条大小进行拆分，大线条用普通光学曝光，小线条用电子束曝光，在不影响图形质量的前提下大幅缩减曝光时间；采用特殊的光刻胶，只需涂布一次光刻胶即可实现普通光学曝光和电子束曝光。
一种混合线条制造方法

[发明专利]精细线条制备方法-CN201210395105.2有效
发明人：孟令款;李春龙;贺晓彬 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种精细线条制备方法，包括：在衬底上形成结构材料层和硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束光刻胶，执行电子束曝光形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀形成硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模依照本发明的方法，采用材质不同的多层硬掩模层并且合理调整刻蚀反应条件，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。
精细线条制备方法

[发明专利]制造光刻用掩模的方法-CN201811258198.8在审
发明人：陈建诚;李信昌;陈嘉仁;沈仓辉;许呈韶;何彦政;张世明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：在一种制造光刻用掩模的方法中，获取电路图案数据；根据电路图案数据计算图案密度，其中图案密度是每预定区域的总图案区域；为图案密度低于临界密度的区域产生虚拟图案数据；根据电路图案数据及虚拟图案数据产生掩模绘图数据；根据掩模绘图数据，以电子束光刻设备的电子束于掩模坯料基板上所形成的光刻胶层上绘制图案；以及以显影液显影经绘图的光刻胶层，当光刻胶层以电子束曝光且经过显影，虚拟图案数据内所包含的多个虚拟图案并不会转印为掩模图案
虚拟图案掩模光刻胶层电路图案数据绘图数据图案光刻显影电子束电子束光刻设备电子束曝光绘制图案获取电路数据产生图案区域图案数据掩模坯料掩模图案预定区域显影液基板转印绘图制造

[发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置-CN201410211477.4有效
发明人：邓振玉;张沛;李跃松 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明适用于光掩模生产领域，尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置，所述方法包括下述步骤按照光刻机设备的光斑大小，光束数量计算图形由于光束能量差异造成的条纹的图形收缩系数；根据所述收缩系数对图形中的所有顶点进行收缩，得到收缩图形；根据所述收缩图形在将收缩图形进行光刻前，在设备上使用相反系数进行反补。本发明通过对产生光掩模板条纹的原因，对光掩模板进行光刻前光刻采用的图形进行反补，使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况，使得降低光掩模板出现条纹的情况。
降低模板条纹方法装置

[发明专利]光刻装置-CN201711315833.7有效
发明人：金度亨;金成洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻装置。该光刻装置包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面，掩模版台用于夹住掩模版；在容纳掩模版和掩模版台的腔室内的保护导体；以及电源，用于供给电压到保护导体
光刻装置

[发明专利]一种掩模版的制备方法-CN202310340788.X在审
发明人：张政 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩模版的制备方法，包括：根据预设掩模版的掩模图案，以逐级放大的方式设计M级掩模图案直至一级掩模图案，M为大于或等于1的整数；采用直写工艺利用一级掩模图案制作一级掩模版；采用光刻工艺，由一级掩模版以逐级缩小的方式制作二级掩模版直至M级掩模版，再由M级掩模版制作预设掩模版，预设掩模版的精度高于直写工艺及光刻工艺的精度。本发明中，通过精度相对较低的直写工艺及光刻工艺制备精度较高的预设掩模版，而且可利用上述过程中的一级至M级掩模版批量制备高精度的预设掩模版，有利于提高制备预设掩模版的生产效率及降低成本。
一种模版制备方法

[发明专利]曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机-CN202210785924.1在审
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括：第一反射式光掩模版，包括第一透光基底和第一反射式掩模图形；第二反射式光掩模版，包括第二透光基底和第二反射式掩模图形；反射装置；曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射的光线同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案本发明可有效提高光刻机的分辨率和对比度，并简化光刻工艺。
曝光成像结构反射式光掩模版投影光刻

[发明专利]曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机-CN202310251679.0在审
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括：第一反射式光掩模版，包括第一透光基底和第一反射式掩模图形；第二反射式光掩模版，包括第二透光基底和第二反射式掩模图形；反射装置；曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射出的光线可界定出同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案本发明可有效提高光刻机的分辨率和对比度，并简化光刻工艺。
曝光成像结构反射式光掩模版投影光刻

[发明专利]改善光刻图形垂直度的方法-CN202011264147.3在审
发明人：李伟峰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善光刻图形垂直度的方法，包括提供掩模版的设计版图，所述设计版图包括第一图形和第二图形，其中，所述第二图形的特征尺寸小于光刻机的分辨率，所述第一图形和所述第二图形之间的距离介于所述光刻机的曝光光线波长λ的二分之一到三分之二之间；根据所述设计版图制作一掩模版，利用所述掩模版对晶圆进行光刻，以改善所述晶圆上形成的光刻图形的垂直度。本发明提供的所述改善光刻图形垂直度的方法通过调整掩模版的设计版图，利用光学临近效应来改善光刻图形的垂直度，防止所述光刻图形的边缘出现白边过大的问题，在保证光刻图形的质量的同时确保光刻工艺的效率。
改善光刻图形垂直方法

[发明专利]一种纳米级硬质掩模的制备方法-CN202310421532.1在审
发明人：陈垚鑫 -专利权人：深圳品微光学科技有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种纳米级硬质掩模的制备方法，包括以下步骤：A1、在基底表面依次涂覆第一光刻胶和第二光刻胶，在全息干涉光路下曝光处理后，进行第一次显影处理，制得带图案化的光刻胶结构的基板；其中，所述第一光刻胶为LOR光刻胶或LOL光刻胶；A2、在所述带图案化的光刻胶结构的基板上沉积硬质掩模层，制得预制模板；A3、对所述预制模板进行光刻胶结构的剥离工艺(lift‑off)，去除所述光刻胶结构及所述光刻胶结构上的硬质掩膜层，获得开口尺寸为1μm以下的纳米级硬质掩模。本发明制备的纳米级硬质掩模边缘十分光滑，且整个工艺过程时间较短，大大提高了生产效率。
一种纳米硬质制备方法

[发明专利]一种多台光刻设备校正方法-CN201210047391.3有效
发明人：戴韫青;王剑;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多台光刻设备校正方法，包括以下步骤：步骤1：将标准掩模板用标准光刻机曝光标准硅片，所述标准掩模板上集成检测图形；步骤2：测量标准掩模板上检测图形的尺寸，并得出标准光刻机的尺寸基准数据；测量标准硅片上缺陷的种类和数量，并得出标准光刻机的缺陷基准数据；步骤3：用标准掩模板在待校正光刻机上曝光待校正硅片；步骤4：测量待校正硅片上检测图形的尺寸数据，并得出待校正光刻机的尺寸数据，测量待校正硅片上缺陷的种类和数量，并得出待校正光刻机的缺陷数据；步骤5：比较标准光刻机和待校正光刻的尺寸基本数据和尺寸数据、缺陷基准数据和缺陷数据，根据数据比较结果调整待校正光刻机。
一种光刻设备校正方法

[发明专利]刻蚀方法、阶梯孔形成方法及圆台孔形成方法-CN202111136616.8在审
发明人：马凤麟;杨晓芳;金兴成;李玉岱;郭崇永;张建 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：所述刻蚀方法包括：获取待刻蚀结构；通过光刻在所述待刻蚀结构上形成露出了刻蚀窗口的光刻胶；在所述刻蚀窗口的侧壁形成掩模增筑结构；以所述光刻胶和掩模增筑结构为刻蚀掩模，对所述待刻蚀结构进行刻蚀。上述刻蚀方法，通过在光刻胶形成的刻蚀窗口侧壁形成掩模增筑结构，使刻蚀窗口的尺寸得到进一步缩小，因此缩小后的刻蚀窗口的尺寸可以小于光刻机光刻的最小线宽，从而得到小于光刻机光刻的最小线宽的半导体结构；同时上述刻蚀方法的工艺流程步骤少
刻蚀方法阶梯形成圆台