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[发明专利]掩模版及使用掩模版调式光刻机套刻精度的匹配方法-CN200710041576.2有效
发明人：朱文渊;杨晓松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于光刻制程的掩模版以及使用该掩模版调式光刻机的套刻精度的匹配方法，涉及半导体领域。本发明提供的掩模版上具有两种或两种以上不同类型的对准标记。使用该掩模版的光刻机具有与掩模版对准标记相匹配的对准系统模块及补正对准系统控制模块，调式套刻精度时，根据测试晶圆的对准标记，启动与晶圆对准标记相匹配的对准系统模块，与掩模版上相匹配的对准标记对齐，进行光刻步骤，对光刻图形进行匹配测试，若套刻精度不符合规格，调整补正对准系统控制模块的数据，循环进行匹配测试，直至套刻精度符合规格。
模版使用调式光刻机套精度匹配方法

[发明专利]图形化方法-CN200710037440.4有效
发明人：王谨恒 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-02-12 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种图形化方法，包括：提供布局图形，所述布局图形带有至少两条交叉矩形线条；将所述交叉矩形线条分解为非交叉矩形线条并形成在不同掩模版上；提供带有光刻胶层的半导体衬底；分别以不同掩模版为掩模，对半导体衬底的光刻胶层分别进行曝光，将布局图形转移至半导体衬底的光刻胶层上。本发明将待曝光的布局图形的关键部分的交叉矩形线条分解为非交叉矩形线条并形成在不同掩模版上，然后分别以不同掩模版为掩模，对半导体衬底的光刻胶层分别进行曝光，从而将待曝光的布局图形转移至半导体衬底的光刻胶层上
图形方法

[发明专利]一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法-CN202211212846.2在审
发明人：苑伟政;周子丹;何洋;燕则翔;许晓慧;欧召阳;周文源;郭泽琦 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法。该方法选用化学活性依次降低的三层掩膜材料设计了特殊的光刻序列，选择了氧化硅、铝和光刻胶的金属和非金属材料的混合掩模顺序组合作为仿沙垄气动减阻分形微纳结构的蚀刻掩模。该掩模材料的选择综合考虑了电感耦合等离子体刻蚀工艺中金属掩模的兼顾性，工艺效果的可控性和精确性，工艺过的复杂性以及工艺的成本。并且区别于传统工艺中光刻一次刻蚀一次的思路，本发明提出采用旋胶光刻工艺将三层混合掩模复合制备完成后，再利用设计的三层混合掩模化学活性依次下降性质，重复刻蚀和去除掩模的循环，完成三层复合微纳结构的制备。
一种基于三层混合三重光刻实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构制造方法

[发明专利]掩模版组件、光刻设备、在光刻过程中的应用及投影两个或更多个像场的方法-CN201210459981.7有效
发明人： P·范德维恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于光刻过程中的掩模版组件，在光刻过程中第一像场和第二像场被投影到衬底上的第一目标部分和第二目标部分上，掩模版组件布置成保持具有第一像场的第一掩模版和具有第二像场的第二掩模版，使得第一像场和第二像场之间的距离对应第一目标部分和第二目标部分之间的距离本发明的多个方面还涉及包括掩模版组件的光刻设备，具有第一像场的第一掩模版和具有第二像场的第二掩模版的掩模板组件在光刻过程中的应用，在该光刻过程中将第一像场和第二像场投影到衬底上的第一目标部分和第二目标部分上
模版组件光刻设备过程中的应用投影两个更多个像场方法

[发明专利]掩模板及其制备方法-CN200810226814.1有效
发明人：郝金刚;彭志龙;朴春培;王威 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩模板及其制备方法。该掩模板包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，部分透光区域由半透明部分和透明部分交替排列形成。本发明将灰色调掩模技术和半色调掩模技术相结合制备出的一种新的掩模板，该掩模板在使用过程中使得部分透光区域下方的光刻胶曝光均匀，有利于形成光刻胶部分保留区域的平整表面，从而有利于TFT沟道刻蚀，提高了阵列基板的良品率，同时，光刻胶部分保留区域边缘的光刻胶倾角增大，有利于在形成TFT沟道过程中进行工艺的精确控制。
模板及其制备方法

[发明专利]无掩模光刻方法和无掩模光刻设备-CN202110645560.2在审
发明人：陈晓西;徐律涵;陈松泽;叶茂 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于光刻技术领域，尤其涉及一种无掩模光刻方法和无掩模光刻设备，所述方法包括以下步骤：S1：获取目标物的待曝光区域；S2：根据所述待曝光区域产生焦点控制信号，所述焦点控制信号用于控制曝光光束聚焦的焦点的移动轨迹本发明的无掩模光刻方法和设备不需要使用掩模版，因此节约了制作掩模版的时间和成本。
无掩模光刻方法设备

[发明专利]一种面向DMD无掩模光刻的MBOPC方法-CN202310283065.0在审
发明人：李春;杨卓俊;兰长勇;朱子成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向DMD无掩模光刻的MBOPC方法，一方面，以夫琅禾费衍射理论为基础建立了光刻成像模型，另一方面利用遗传算法作为掩模优化算法，并通过MATLAB实现两者的有机结合，以完成对初始数字掩模图案的像素级灰度优化，来修正其曝光时在光刻胶上的光强分布，即显著提高了在高微缩比例(微缩比大于10:1)的DMD无掩模光刻系统中小尺寸图案图形化的保真度，又极大地解放了掩模优化过程中所需的人工成本。
一种面向 dmd 无掩模光刻 mbopc 方法

[发明专利]一种利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法-CN200910057684.8有效
发明人：吴鹏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法，步骤包括：1)掩模板上的待测量图形以掩模板中心对称放置；2)硅片先完成第一次曝光后停止在光刻机曝光平台上，不做显影；3)将掩模板从光刻机取出作180度旋转后放回光刻机；4)掩模板完成对准后，硅片进行第二次曝光；5)进行随后的正常光刻流程；6)硅片上形成完整的待测量图形，进行量测。
一种利用双重曝光方法检测模板图形形貌

[发明专利]没有残余物的硬掩模修整-CN200780020952.8有效
发明人：汤姆·A·坎普 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：硬掩模层提供在该多晶硅层之上。光刻胶掩模形成在该硬掩模层之上。通过该光刻胶掩模蚀刻该硬掩模层以形成图案化硬掩模。通过提供包含氧气和含氟化合物的不含碳修整气体来修整该图案化硬掩模，由该修整气体形成等离子，和并且修整该硬掩模。通过该硬掩模将特征蚀刻进该多晶硅层。
没有残余物硬掩模修整

[实用新型]一种掩模版及光刻机能量的监控系统-CN202122953922.2有效
发明人：张龙;王晓龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种掩模版及光刻机能量的监控系统。其中，在掩模版上，具有至少一个掩模图形组，每个所述掩模图形组包括多个形状相同且尺寸不同的掩模图形，用于获取各个掩模图形在基板上得到相同尺寸的图形所对应的多组曝光能量，以得到多个掩模图形的掩模尺寸和多组曝光能量的对应关系，即可以通过掩模版上的多个形状相同且尺寸不同的掩模图形得到不同尺寸间的能量变化范围。从而，在将该掩模版应用于光刻机能量的监控系统中时，即可基于多个掩模图形的掩模尺寸和多组曝光能量的对应关系，通过测量装置自动判断出光刻机的实际能量是否发生偏移，操作便捷、快速，且大大降低了失误风险，有助于保证产品质量
一种模版光刻机能监控系统

[发明专利]一种利用数字掩模制作线宽可调制亚微米光栅的方法-CN202310400345.5在审
发明人：罗宁宁;张静雅;刘越;陈章睿;邓帅;邓嘉庆 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用数字掩模制作线宽可调制亚微米光栅的方法，该方法通过匹配数字光刻系统中两个SLM的错位和光栅光刻掩模子图的设计，依次将预先设计好的光栅光刻掩模子图同时分配给错位配置的SLM1和SLM2显示，通过计算机控制SLM1和SLM2分别按预先设定好的曝光时间依次同时投影光栅光刻掩模子图在涂覆光刻胶的基底上同一位置进行多次叠加曝光，形成不同的错位叠加曝光量，以此实现线宽可调制亚微米光栅的制作；本发明充分利用数字掩模光刻快速
一种利用数字制作线宽可调制微米光栅方法

[发明专利]掩模板面型整形装置-CN201310752194.6有效
发明人：李玲雨;李玉龙 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模板面型整形装置，包括吸盘、吸盘安装框架以及气动控制系统；其中，所述吸盘安装框架设置在掩模台上方，所述吸盘分散安装在所述吸盘安装框架的底部；所述气动控制系统用于控制所述吸盘吸取或释放掩模板本发明的吸盘的设置避开了掩模板上的梯形照明视场，使得光束100%照射到掩模上，提高了曝光效率；掩模板面型整形装置单独设置，不安装在光刻机上，减少了掩模板的重量负荷，且掩模板面型整形装置不与光刻机中的任何部件接触，不会给光刻机带来外部的震动。
模板整形装置

[发明专利]一种光刻辅助图形的设计方法-CN201710928912.9有效
发明人：陈志刚;刘隽瀚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻辅助图形的设计方法，包括以下步骤：S01：在掩模板基体中形成光刻辅助图形，所述光刻辅助图形的上表面和掩模版基体的上表面齐平；S02：在上述掩模板基体含有光刻辅助图形的一侧形成工艺图形，所述工艺图形的位置与光刻辅助图形在垂直方向上不重合。本发明提供的一种光刻辅助图形的设计方法，将光刻辅助图形和工艺图形设置在不同的平面上，从而避免光刻辅助图形和工艺图形位于同一聚焦平面，减少产生鬼影的风险，并且能够更好地控制光刻辅助图形的尺寸，增强散射效果
一种光刻辅助图形设计方法

[发明专利]自对准双重图形化工艺的修正方法及其半导体器件-CN201810882502.X有效
发明人：叶滋婧 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准双重图形化工艺的修正方法及其半导体器件，该方法包括在衬底上形成刻蚀膜层、核心层和光刻胶层；在核心层掩模板增加掩模结构后对光刻胶层进行光刻，形成图形化的光刻胶结构；以图形化的光刻胶结构为基础刻蚀核心层，形成核心图形结构；在核心图形结构上沉积间隔物并蚀刻，在核心图形结构的两侧形成间隔层；去除核心图形结构，保留间隔层；在间隔层上涂布光刻胶；在外围掩模板上，使待刻蚀的外围刻蚀膜结构的位置和不规则形貌的边缘间隔层形成覆盖后，对光刻胶进行光刻，形成外围光刻胶结构；以间隔层和外围光刻胶结构为掩模，对刻蚀膜层进行刻蚀，形成修正后的刻蚀膜结构。
对准双重图形化工修正方法及其半导体器件

[发明专利]一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法-CN201110281242.9无效
发明人：谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法，包括：将硅片制作成掩模；在该掩模正面中心部分形成由多个光刻胶线条构成的第一光刻胶图形；在该第一光刻胶图形的光刻胶线条之间形成金层，并用丙酮去除光刻胶线条，形成第一掩模板；将硅片制作成基底；在该基底上旋涂一层光刻胶，将该第一掩模板倒扣于该基底上，使用X射线进行曝光，在该基底表面中心部分形成由多个光刻胶线条构成的第二光刻胶图形；在该第二光刻胶图形的光刻胶线条之间形成金层
一种制作大高宽射线衍射光栅方法