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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]掩模基版、光掩模版及其制备方法-CN202210807167.3在审
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F1/58 文献下载
摘要：本申请提供一种掩模基版、光掩模版及其制备方法，应用于光刻机技术领域，其中掩模基版包括透明基底和附着于所述透明基底一表面上的上转换层。通过将所述掩模基版应用于光刻机后，光刻机的主光源可以照射于上转换层，并经上转换层进行上转换后，从透明基底相对于上转换层所在表面的另一表面出射混合光，从而可将该混合光作为混合光源用于光刻机的光线曝光中，使得光刻机获得更高的分辨率和对比度
掩模基版模版及其制备方法

[发明专利]光刻胶掩模图形的显影方法-CN200710094405.6有效
发明人：崔彰日 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：一种光刻胶掩模图形的显影方法，包括：一种光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，包括：a)提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；b)将半导体衬底置于刻蚀反应室中；c)采用含有元素周期表中VIIA族原子的第一刻蚀气体对光刻胶进行预刻蚀；d)采用第二刻蚀气体对光刻胶进行刻蚀。本发明的优点在于可以提高掩模图形侧壁的平整度，提高光刻工艺的精确度。
光刻胶掩模图形显影方法

[发明专利]通过源和掩模优化创建理想源光谱的方法-CN201980068272.6在审
发明人： W·E·康利;J·J·索恩斯;段福·史蒂芬·苏;G·A·雷希特斯坦纳 -专利权人： ASML荷兰有限公司;西默有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了用于增加光刻系统的焦深的系统、方法和计算机程序。在一个方面，一种方法包括提供光谱、掩模图案和光瞳设计，光谱、掩模图案和光瞳设计一起被配置成为光刻系统提供焦深。该方法还包括迭代地改变光谱和掩模图案中的辅助特征以提供增加焦深的经修改的光谱和经修改的掩模图案。该方法还包括基于增加焦深的经修改的光谱和经修改的掩模图案来配置光刻系统的部件。
通过优化创建理想光谱方法

[发明专利]Z偏移和不垂直照射产生的掩膜物体的Y移位中的位置校正-CN200410032185.0有效
发明人： E·A·F·范德帕斯;M·H·M·比姆斯;E·R·鲁普斯塔拉;H·J·M·梅杰;D·N·贾勃特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2004-04-02 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在反射光刻投影设备中，由掩膜的图案表面的位置沿着光轴的变化引起的掩模的图案图像在扫描方向中的移位通过在扫描方向中移动掩模和/或衬底的相对位置来校正。图像旋转误差的校正也可以通过围绕光轴旋转掩模和/或衬底的相对位置来实现。当掩模安装到光刻投影设备时，掩模的图案表面沿着光轴的位置变化可以由干涉计来确定。这些变化可以绘制图和存储，以提供对光刻投影设备的控制。
偏移垂直照射产生物体移位中的位置校正

[发明专利]光刻方法及掩模装置-CN200810213774.7有效
发明人：玛丽·K·格特伯雷特;兰博德·纳德;迈克尔·A·帕克;道格拉斯·J·沃纳 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明涉及光刻方法及掩模装置。一种用于在器件上生成多个字符的光刻方法使用包括多个光刻掩模的掩模组，其中每个掩模包括围绕非不透明掩模字符区域的至少一个非不透明掩模字符场区域。顺序利用掩模通过掩模组使光致抗蚀剂曝光于辐射能量密度，从而生成光致抗蚀剂的至少一个字符场区域、及光致抗蚀剂的字符区域。最后，因为光致抗蚀剂的字符区域在每个掩模曝光步骤期间曝光于来自非不透明掩模字符场区域的一些光能量密度，生成字符串的总的光致抗蚀剂曝光时间小于现有技术。
光刻方法装置

[发明专利]混合线条的制造方法-CN201110261526.1有效
发明人：唐波;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合线条的制造方法，包括以下步骤：A、在底层上依次形成材料层和第一硬掩模层；B、对第一硬掩模层光刻/刻蚀形成第一硬掩模图形；C、在材料层和第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；D、对第二硬掩模层光刻/刻蚀形成第二硬掩模图形；E、以第一和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀材料层，形成第一线条和第二线条。同时采用2次硬掩膜方法有效的解决了I线光刻胶和电子束光刻胶相互影响的问题。
混合线条制造方法

[发明专利]一种基于位移补偿提高DMD无掩模光刻分辨率的方法-CN202211686257.8在审
发明人：李春;杨卓俊;林杰;张秋松;兰长勇 -专利权人：电子科技大学;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于位移补偿提高DMD无掩模光刻分辨率的方法，在使用LED紫外光源和低倍率投影物镜(如10×)的背景下，将原数字掩模版图拆分成各个子版图载入到DMD芯片中进行分次曝光，在每相邻子版图的曝光间隔内使用压电纳米位移台进行对应纳米级分辨率的位移补偿，既保证了DMD无掩模光刻系统结构的紧凑型和加工效率，又显著提升了DMD无掩模光刻系统的分辨率；另外，建立了DMD芯片所生成数字掩模图案经投影后在光刻胶上的光强分布模型，能够对上述位移补偿量及投影光刻系统的实际加工效果进行预测和指导
一种基于位移补偿提高 dmd 无掩模光刻分辨率方法

[发明专利]用于EUV光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法-CN202210003300.X在审
发明人：河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及用于EUV光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法。提供了一种用于极紫外光刻的相移掩模和制造该相移掩模的方法。该相移掩模包括基板、反射层、装置图案、框架图案或相移图案。
用于 euv 光刻相移制造方法

[发明专利]活动硬掩模的等离子体刻蚀过程中的原地光刻胶剥离-CN201310072409.X在审
发明人：赵尚俊;汤姆·崔;韩太竣;姜肖恩;波罗跋枷罗·卡帕拉达苏;严必明 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在该硅层上方形成硬掩模层。在该硬掩模层上方形成光刻胶层。打开该硬掩模层。剥离该光刻胶层，通过提供剥离气体；通过提供高频RF能量和低频RF能量用该剥离气体形成等离子体，其中该低频RF能量的功率小于50瓦；以及当剥离该光刻胶层后，停止该剥离气体。该打开该硬掩模层和该剥离该光刻胶层是在同一个室中执行的。
活动硬掩模等离子体刻蚀过程中的原地光刻剥离

[发明专利]决定要引入光刻掩模的基板的一个或多个像素的效应的方法和设备-CN201880095686.3在审
发明人： J.韦尔特;U.斯特恩;K.戈尔哈德;V.德米特里夫 -专利权人：卡尔蔡司SMS有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明关于用以决定要引入光刻掩模(100，300)的基板(110，310)的一个或多个像素的效应的方法，光刻掩模(100，300)具有一个或多个图案元件(120，360)，其中一个或多个像素用以至少部分地校正光刻掩模(100，300)的一个或多个误差(190，390)，所述方法包含：通过决定具有一个或多个图案元件(120，360)的光刻掩模(100，300)的基板(110，310)的双折射变化来决定一个或多个引入像素的效应
决定引入光刻一个像素效应方法设备

[发明专利]活动硬掩模的等离子体刻蚀过程中的原地光刻胶剥离-CN200880017184.5有效
发明人：赵尚俊;汤姆·崔;韩太竣;姜肖恩;波罗跋枷罗·卡帕拉达苏;严必明 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在该硅层上方形成硬掩模层。在该硬掩模层上方形成光刻胶层。打开该硬掩模层。剥离该光刻胶层，通过提供剥离气体；通过提供高频RF能量和低频RF能量用该剥离气体形成等离子体，其中该低频RF能量的功率小于50瓦；以及当剥离该光刻胶层后，停止该剥离气体。该打开该硬掩模层和该剥离该光刻胶层是在同一个室中执行的。
活动硬掩模等离子体刻蚀过程中的原地光刻剥离

[发明专利]一种信息学计算光刻方法-CN202010900725.1有效
发明人：马旭;潘毅华 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种信息学计算光刻方法，首先根据信息理论建立计算光刻的信道模型，然后求解信息理论下最优掩模分布、最优光刻系统参数和工艺参数，最后采用信息理论提高计算光刻算法的收敛精度；由此可见，本发明实质为用信道模型来刻画光刻系统，将光刻成像过程抽象为信道传输过程，将掩模图形与光刻成像视为信道的输入与输出信号，将光刻系统参数和光刻工艺参数等视为影响光刻版图信息传输的信道参数，采用计算光刻对掩模优化相当于对信号的编码过程；也就是说，本发明建立了计算光刻的信息学模型，通过数学方法研究光刻图案信息传输机制与规律，能够获得计算光刻成像精度的理论极限，提高计算光刻算法收敛精度。
一种信息学计算光刻方法

[发明专利]掩模版装载工艺-CN200710041623.3有效
发明人：沈锦华;张方元;杨锋力 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模版装载工艺，属于光刻领域。现有的掩模版装载工艺在运作过程中，存在对准误差大、需要多次重复校准精度、装载效率低等缺点。本发明的掩模版装载工艺，用于将掩模版精确装载至光刻机的掩模版承载台上，所述的光刻机具有掩模传输系统和掩模台系统，所述的掩模台系统包括掩模版承载台和微动台，该掩模版装载工艺包括下列流程：(1)版库取版；(2)粗预对准；(3)掩模版交接；(4)精细预对准。采用本发明可使整个掩模版装载工艺的精度达到：x向±1um，y向±1um，rz向±0.05mrad。
模版装载工艺

[发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置-CN201210508623.0有效
发明人：邓振玉;张沛;李跃松 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明适用于光掩模生产领域，尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置，所述方法包括下述步骤：通过光掩模检测板测量像素图形和扫描带重叠部分的重叠图形精度变化曲线；根据所述精度变化曲线在进行光刻之前对所述扫描带重叠部分进行反补本发明通过对产生光掩模板条纹的原因，在生产光掩模板进行光刻之前对所述扫描带重叠部分图形进行反补，使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况，使得降低光掩模板出现条纹的情况。
降低模板条纹方法装置

[发明专利]制造印刷版的方法-CN201210273572.8有效
发明人：李濬熙;李政训 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B41N1/04 文献下载
摘要：所述制造印刷版的方法包括在基板上形成具有多层结构的掩模薄膜图案和光刻胶图案；形成抗性强化诱导层以覆盖所述光刻胶图案，从而使所述光刻胶图案转化为抗性被强化的光刻胶图案；以及通过使用所述抗性被强化的光刻胶图案以及所述具有多层结构的掩模薄膜图案作为掩模蚀刻所述基板
制造印刷方法

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