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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于电流调节、尤其是故障限流器中的电流调节的方法-CN201110219792.8有效
发明人： A·乌苏斯金;H-U·克莱恩 -专利权人：布鲁克HTS有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：一种用于电流调节的方法，包括：通过初级线圈(2)输运初级电流(1)，通过共同磁通量使次级线圈(3)耦合到初级线圈(2)，其中该次级线圈(3)包括能够失超的超导体，失超导致超导体从低阻超导态转变到高阻失超态，及在次级线圈(3)的低阻超导态，在铁磁介质(5a)中引导初级线圈(2)和次级线圈(3)的共同磁通量的主要部分(8)，其特征在于失超时，转换共同磁通量使得共同磁通量的主要部分(17)在超导体的高阻失超态下被引导到铁磁介质
用于电流调节尤其是故障限流中的方法

[发明专利]一种忆阻器阻态数目扩展的结构及相关方法-CN201811391853.7有效
发明人：刘文军;薛晓勇;张朕银;姜婧雯;周鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种忆阻器阻态数目扩展的结构及相关方法，能够在忆阻器交叉阵列中实现阻态数目扩展的结构，包含交叉阵列单元、阻态扩展功能线群、输入线群、输出线群、单元连接线群；其中，阻态扩展功能线群通过多条末端为第一选通器的阻态扩展功能线，连接起交叉阵列单元中每两条相邻的横线或纵线，各个第一选通器根据控制端信号使所在阻态扩展功能线的信号路连通或断开，使接受输入信号的横线或纵线上所接的忆阻器并联，实现阻态扩展。本发明还实现了在忆阻器交叉阵列中实现阻态数目扩展的方法，以及对交叉阵列中忆阻器阻值写入的方法。本发明具有掉电不易失、适应神经网络大量加权求和中对多阻态的需求的特点。
一种忆阻器阻态数目扩展结构相关方法

[实用新型]一种基于忆阻器的直流断路器电路-CN201620498613.7有效
发明人：陈艳峰;谭斌冠;张波 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H02H3/087 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于忆阻器的直流断路器电路，由过电流检测装置、判断装置、基于忆阻器的直流断路器，开关K和负载组成。该基于忆阻器的直流断路器由忆阻器和PI控制器组成。在电路正常运行时，通过开关接入PI控制器，这时忆阻器维持在低阻态；当电路出现过电流时，触发开关切换出PI控制器，这时忆阻器的阻值随着流过的电流而不断增大，在很快的时间内，忆阻器呈现出高阻态，从而限制住电流的增加
一种基于忆阻器直流断路器电路

[实用新型]一种电极结构复用的阻变存储器-CN201920523320.3有效
发明人：魏凌;尹延锋;孙献文 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电极结构复用的阻变存储器,该阻变存储器从上到下依次是多个上电极，热导率低的绝缘介质层，阻变层，多个下电极层；其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜的热击穿电压ET2，阻变层需要施加触发电压ETC将阻变层材料的电阻开关功能触发,使阻变层位于高阻态或低阻值态，其中ETC＜ET2，未触发和疲劳时的阻变层为绝缘介质层，本实用新型得到很小的实际电极，解决了目前的当存储器电极下的阻变材料局部失效时，不能够再次利用该电极的问题。
一种电极结构存储器

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN202210285359.2在审
发明人：普勇;许昕宇;魏陆军 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：base:Sub>2‑xOx的阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括由下至上依次设置的Ti/Au底电极层、MoS2‑xO阻变层间形成了氧富集层，器件从低阻态转变为高阻态。当加反向电压时，氧富集层中的氧回到初始状态，器件从高阻态转变成为低阻态。这种可逆的氧化过程通过控制金属/氧化物界面的离子的含量，可以实现更实用、更有效的阻变效应，在阻变存储器件中具有广阔的应用前景。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]一种自供电读取多级电阻态的阻变存储器及其制备方法-CN201911228673.1在审
发明人：徐海阳;王中强;陶冶;丁文涛;赵晓宁;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自供电读取多级电阻态的阻变存储器及其制备方法，属于微电子器件领域。所述阻变存储器的器件结构包括惰性底电极和顶电极金属钨，以及介于二者之间的自供电层和阻变层。其中，自供电层是经过氧等离子体处理的非晶碳薄膜，薄膜内部含有大量氧官能团；当顶电极金属钨沉积于非晶碳薄膜上时，在界面位置金属钨会与氧官能团结合，自发形成阻变层WOx阻态与低阻态出现的同时伴随着非晶碳薄膜中氧官能团梯度的减小和增加，利用湿度监测自生电压的高值与低值来读取器件的电阻存储状态。
一种供电读取多级电阻存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于忆阻器的数据选择器电路及数据选择方法-CN202211213280.5在审
发明人：王兴晟;张晨宇;宋玉洁;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H03K19/173 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的数据选择器电路及数据选择方法，属于微电子器件技术领域；其中，基于忆阻器的2选1数据选择器用于基于逻辑值s从逻辑值a和逻辑值b中选出一个数据；该数据选择器电路包括三个忆阻器和一个电阻，结构简单，电路的复杂度低，电路面积小，可扩展性强；具体地，逻辑值s以电压的形式定义在忆阻器M1和忆阻器M2的电压输入端，逻辑值a定义为忆阻器M1的阻态，逻辑值b定义为忆阻器M2的阻态，忆阻器M3的阻态作为输出；只需对忆阻器M1和忆阻器M2进行置态以及对忆阻器和电阻进行加压三步操作即可实现数据选择功能，与现有的2
一种基于忆阻器数据选择器电路选择方法

[发明专利]VO2-CN202110354810.7有效
发明人：杨晓磊;徐时清;朱宁宁;白功勋;谢杭清 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：驱动电压小于临界值时响应度较低；驱动电压高于临界值时，信号光照射下探测器由高阻态变为低阻态，电流大幅增大，获得高响应度；通过减小驱动电压至临界值之下，使探测器从低阻态恢复至高阻态；所述临界值由实验确定。本发明在进行红外探测时可实现高响应度，可在红外弱光探测、低亮度图像采集等方面获得应用。
vo base sub

[发明专利]抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法-CN201010113797.8无效
发明人：林殷茵;金钢;张佶;解玉凤 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供的电阻随机存储器包括第一存储电阻、用于选通所述第一存储电阻的第一选通管、第二存储电阻、以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管，第一存储电阻处于高阻态且第二存储电阻处于低阻态时，所述电阻随机存储器存储第一数据状态；第一存储电阻处于低阻态且第二存储电阻处于高阻态时，所述电阻随机存储器存储第二数据状态；所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物，所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。
功耗分析攻击电阻随机存储器电路及其操作方法

[发明专利]基于热退火掺杂工艺的低阻态氮化镓基器件及其制作方法-CN201810188380.4在审
发明人：马晓华;郝跃;康慨;祝杰杰;杨凌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于热退火掺杂工艺的低阻态氮化镓基器件及其制作方法，包括依次设置的衬底层、成核层、缓冲层，还包括势垒层；所述势垒层上设有源电极、漏电极和栅电极，所述势垒层上还设置有半导体薄膜，所述低阻态氮化镓基器件为通过热退火掺杂工艺处理过的氮化镓基器件
氮化镓基器件低阻态热退火势垒层掺杂半导体薄膜工艺处理工艺实现依次设置衬底层成核层缓冲层漏电极源电极栅电极制作生产

[发明专利]一种表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法-CN201110054432.7有效
发明人：江安全;陈闽川;惠文渊;刘骁兵 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于存储器技术领域，具体为基于铁电薄膜的表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法。所述存储器包括电极以及位于所述电极之下的电阻转变存储层，所述电极由金属电极材料制成，所述电阻转变层为铁电薄膜材料。本发明存储器的结构简单，通过铁电薄膜中电畴的极性变化来调制表面电流，利用表面电流在电畴不同极化方向的特异性，使得存储器在较低的操作电压和极高的存储密度下实现高阻态与低阻态之间的转变。
一种表面阻态随电畴变化存储器及其制备方法

[发明专利]相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器-CN201910233385.9有效
发明人：宋志棠;郑龙;宋三年;任堃;朱敏;宋文雄 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的相变薄膜结构在升温过程中能够连续发生两次相变，在升温初期所述GexTe100‑x层由非晶态到多晶态相变，并伴随产生可逆的高阻态与低阻态的转变Te100‑x层取代所述GexTe100‑x层中的部分Ge元素，并伴随可逆的低阻态到高阻态的转变；温度继续升高则能够回到高阻态的GexTe100‑x非晶态。
相变薄膜结构存储单元及其制备方法存储器

[发明专利]具有改进的读写容限的电流驱动切换磁性存储单元及采用该单元的磁性存储器-CN200680040118.0无效
发明人：陈友君 -专利权人：弘世科技公司
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：各磁性存储单元包括磁性元件，其被编程为：由被驱动在第一方向通过磁性元件的第一写电流形成高阻态，由被驱动在第二方向通过磁性元件的第二写电流形成低阻态。位线和源线设置成驱动第一写电流在第一方向通过磁性元件，驱动第二写电流在第二方向通过磁性元件，并驱动至少一个读电流在不会破坏低阻态稳定的第三方向通过磁性元件。
具有改进读写容限电流驱动切换磁性存储单元采用存储器

[发明专利]磁性存储装置-CN200610169475.9有效
发明人：伊藤显知;高桥宏昌;河原尊之;竹村理一郎;蒂博·德沃尔代;保罗·克罗扎;约－冯·基姆;克洛德·沙佩尔 -专利权人：株式会社日立制作所;国家科学研究中心;巴黎第十一大学
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：MTJ(37)可在第一相对高的阻态和第二相对低的阻态之间转换。辅助电流线(33)沿着铁磁层的难磁化轴施加磁场，其不依赖于流过MTJ(37)的电流而辅助MTJ(37)在第一态和第二态之间转换。
磁性存储装置

[发明专利]集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元-CN201010617144.3有效
发明人：张海鹏;许生根;陈波;李浩 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅栅，第一低阻多晶硅栅与轻掺杂漂移区之间设置有纵向栅氧化层。在轻掺杂漂移区顶部设置有阱区和槽氧区，阱区内设置有两个源极和欧姆接触区，槽氧区内嵌入第二低阻多晶硅栅。器件上部设置有三个场氧化层以及金属层。本发明在阱区与漂移区间引入浅槽栅，增加一条纵向导电沟道，提高了器件的跨导和通态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，改善了器件的耐高温特性和耐压性能，提高了器件的可靠性。
集成纵向沟道 soi ldmos 器件单元

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