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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种低阻抗限流式抗高压保护电路-CN201420386104.6有效
发明人：姚治贡 -专利权人：余姚市劲仪仪表厂
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低阻抗限流式抗高压保护电路，包括串接在输入端和输出端之间的开关管1和开关管2；电流检测反馈电路接在所述开关管1和开关管2之间，用于检测通过的电流并将电流转换成电压信号反馈给限流控制装置；开关管1和开关管2正常工作时以低阻态将输入信号传递到输出端，一旦输出端不慎对地短路或误接高电压，开关管快速转为恒流高阻态并将输入端和输出端之间的电压安全阻断；限流控制装置，用于根据电流检测反馈电路所反馈的电压信号输出控制信号，使开关管1或开关管2处于低阻态或恒流高阻态。采用本实用新型技术方案，正常工作时具有低阻抗特性，误接高压时以恒流高阻态进行高压安全阻断，从而保护输出电路不因外界电压冲击而损坏。
一种阻抗限流高压保护电路

[发明专利]一种可抑制串扰电流的三端阻变存储器及其制备方法-CN202011471922.2有效
发明人：尹奎波;李京仓;熊雨薇;孙立涛 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可抑制串扰电流的三端阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器件包括基电极、置位电极、复位电极、阻变介质、二极管和绝缘介质。其中基电极、置位电极和复位电极，用于阻变存储器件的置位、复位和数据输出。所述阻变介质在置位模式下可形成导电通道，器件由高阻态转变为低阻态；在复位模式下导电通道断开，器件由低阻态转变为高阻态；在输出模式下将器件状态读出。所述二极管可以是PN结二极管、肖特基二极管，利用其整流特性可抑制阻变存储器交叉阵列结构的串扰问题。所述绝缘介质在置位操作中，限制电流过大，在读取操作时，抑制串扰电流。
一种可抑制电流三端阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN202211596050.1在审
发明人：李京波;杨亚妮;霍能杰 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种忆阻器及其制备方法。本发明提供的忆阻器包括衬底，位于衬底表面的第一金属电极和第二金属电极，位于第一金属电极和第二金属电极表面的二维碲纳米片，以及二维碲纳米片表面的氧化铝层。二维碲纳米片的表面被氧化铝包裹，使得忆阻器具有忆阻的特性。忆阻器的高阻态电阻Roff和低阻态电阻Ron的比值可达到106，使得忆阻器能够更好的区分出忆阻器的高阻态和低阻态同时忆阻器具有低功耗，制备过程简单，有利于推动忆阻器以及存储器等领域的进一步发展。
一种忆阻器及其制备方法

[发明专利]用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法-CN201010619500.5有效
发明人：饶峰;任堃;宋志棠;吴良才 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：所述相变材料为在外部能量作用下具有可逆变化的材料；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻态与低阻态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求。
用于相变存储材料调节参数方法

[发明专利]一种用于存储器或存内计算的阵列单元结构及其工作方法-CN202010247625.3有效
发明人：解玉凤;王渝;胡显武;冯佳韵;吴丹青;李东洋 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器或存内计算的阵列单元结构，其特征在于，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及电阻变化特性器件，为在包括电流、电压、磁场的外部作用下其等效阻值可以在高阻和低阻之间变化的特性器件。利用晶体管选用NMOS和PMOS的不同以及连接方式的不同，实现特定电压条件下在存储器低阻态或高阻态时开启或关闭，实现计算位线(CBL)电流的抽取或注入，从而有效解决了低阻态或高阻态的波动问题，同时克服了存内计算中非线性问题
一种用于存储器计算阵列单元结构及其工作方法

[发明专利]一种基于忆阻器的图像降噪实现方法-CN202210253415.4在审
发明人：刘钢 -专利权人：雷麟半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的图像降噪实现方法，涉及硬件实现图像降噪技术领域，包括以下步骤：S1、图像预处理：将图像像素值转换为与忆阻器对应的调控电压范围，选取具有电致电阻转变和非易失性的忆阻器，所述的忆阻器初始阻态为最高阻态，记最高阻态为HRS，在从0V到V1的扫描电压下阻态不会变化，在从V1到V2的扫描电压调控下呈现从高阻态到低阻态的多个阻态变化的趋势，V2电压调控的忆阻器呈现最低阻态，记最低阻态为LRS2，记V1调控的忆阻器阻态为LRS1，其中0V|V1||V2
一种基于忆阻器图像实现方法

[发明专利]一种避免误读的阻变存储器及其制备方法-CN201510228635.1有效
发明人：闫小兵;陈建辉;陈英方 -专利权人：河北大学
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种避免误读的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器的结构是在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜层上依次形成有阻变介质层和Ag电极膜层；所述阻变介质层包括依次所形成的第一层铁酸铋膜层、第二层铁酸铋掺银膜层及第三层铁酸铋膜层。本发明所提供的阻变存储器，呈现出较为稳定的阻值变化，高、低阻态阻值分布非常集中，且高电阻值和低电阻值之间相差较大，因此不容易造成高、低阻值混淆，在数据读取时候不容易造成误读。该阻变存储器具有显著的开关效应，非常有利于存储器的读出。再有，该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异。
一种避免误读存储器及其制备方法

[发明专利]电化学金属化阻变器件及其制备方法-CN202210085522.0在审
发明人：李黄龙;杨逸飞 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种电化学金属化阻变器件，所述阻变器件包括依次堆叠的底电极层、绝缘层和非金属顶电极层，其中所述阻变器件从第一阻态切换至第二阻态的过程中，所述底电极层和所述非金属顶电极层相互作用形成贯穿所述绝缘层的非金属导电细丝；所述阻变器件从所述第二阻态切换至所述第一阻态的过程中，所述非金属导电细丝在预设电流的激励下被熔断形成分散的团簇。采用本申请提供的阻变器件可以在高组态和低阻态之间来回切换，且在大电流下表现为易失、在小电流下表现为非易失的存储特性。
电化学金属化器件及其制备方法

[发明专利]运算存储阵列及其操作方法-CN201510305628.7在审
发明人：康晋锋;李海桐;高滨;刘力锋;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：运算存储阵列可以包括：沿第一方向延伸的多条字线；沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多条位线；分别设置于各位线和各字线的交叉点处且与相应位线和相应字线连接的多个阻变单元，每一阻变单元在高阻态和低阻态之间可切换并因此存储相应的数据；连接到每一条字线的基准单元，基准单元的一端连接到字线，而另一端连接到基准电压，其中基准单元的阻值在阻变单元的高阻态阻值和低阻态阻值之间；以及控制器，用于通过向位线施加电压脉冲序列，对连接到同一条字线的阻变单元中存储的数据进行逻辑运算
运算存储阵列及其操作方法

[发明专利]一种分析阻变存储器电流波动性的方法-CN201410411901.X在审
发明人：卢年端;李泠;刘明;孙鹏霄;王明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种分析阻变存储器电流波动性的方法，该方法包括：制备各种阻变存储器；测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线，并采用0.1V的读电压，从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值，进而确定各种阻变存储器的高阻态和低阻态；分别计算各种阻变存储器在高低阻态下导电细丝中的电流；分别计算各种阻变存储器中导电细丝的外加电场；分别计算不同阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能；分别比较低阻态或高阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能，分析各种阻变存储器的电流波动性。利用本发明，通过阻变存储器的激活能来分析电流波动性，简化了分析过程，提高了分析的精确性。
一种分析存储器电流波动性方法

[发明专利]一种射频接收和发射的转换开关-CN200910312616.1有效
发明人：张丽杰;黄如;王川;石淙寅 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H03K17/78 文献下载
摘要：该T/R转换开关包括两个相互连接的阻变器件，这两个阻变器件在一控制电压的作用下电阻特性相反，即阻变器件R1和阻变器件R2连接同一控制电压端，阻变器件R1的电阻处于高阻态，阻变器件R2的电阻处于低阻态，或阻变器件R1的电阻处于低阻态，阻变器件R2的电阻处于高阻态。本发明利用了阻变器件的双极特性，通过电压控制端的电压极性改变，使开关中两个阻变器件的电阻状态改变，从而实现了射频接收和发射(T/R)转换。
一种射频接收发射转换开关

[发明专利]一种平面阻变存储器及制作方法-CN202310859981.4有效
发明人：李自超;王静茹;杨宇新;崔虎山;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种平面阻变存储器及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底的一侧表面具有多个凸起结构；形成覆盖凸起结构表面的存储单元，存储单元包括：覆盖凸起结构第一电极层，覆盖第一电极层的阻变层，覆盖阻变层的第二电极层；不同凸起结构表面上的第一电极层断路；不同凸起结构表面上的阻变层断路；其中，阻变层能在高阻态和低阻态之间转换。基于该制作方法制作的平面阻变存储器的第一电极层、阻变层和第二电极层依次覆盖在凸起结构的表面，提高了阻变层的表面积，使得其有效使用范围更大。较大面积的阻变层使得存储单元在高阻态和低阻态之间转换时所需能量更小，最终降低了平面阻变存储器的发热，减少能耗。
一种平面存储器制作方法

[发明专利]一种忆阻器的制备方法-CN202210539237.1在审
发明人：郭欣;陈蔓汝;彭雪;吕燕飞;席俊华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器的制备方法，现有技术中不同结构和工艺制备的氧化锌基忆阻器性能差别较大，性能不好。本发明随着电压升高，阻值由低阻向高阻的转变，反向施加电压后，再由高阻态恢复到低阻态，开关电压0.3‑0.4V，功耗低，开光比大，器件稳定性高。
一种忆阻器制备方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN202111457206.3在审
发明人：丁勇;严麒;陈丽霞;任佳莹;胡颖蔚;蔡舒群 -专利权人：杭州国家集成电路设计产业化基地有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，包括：衬底；下电极，下电极和衬底相连接；阻变层，阻变层和下电极相连接；上电极，上电极和阻变层相连接，阻变层设置在下电极和上电极之间，有益效果在于阻变存储器在高阻态与低阻态之间转变时，吸收或者释放大量氧原子，在阻变存储器从低阻态转变为高阻态时，释放出的大量氧原子可以大大促进阻变层中的导电细丝的断开，并且使得导电细丝断开地更为彻底，通过有效加强阻变层中导电细丝通道的断开，使得增大电极之间的电阻，达到增大阻变存储器的存储窗口的效果。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]一种真随机数发生器-CN201610524794.0有效
发明人：黄继攀;王新安;陈红英;郭纪家;江宇宁 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本申请公开了一种真随机数发生器，包括随机源，包括两个阻变开关器件；电压施加单元，用于在各阻变开关器件的两端施加不同的电压，以将各阻变开关器件置为高阻态或低阻态；比较单元，用于当电压施加单元对两个被置为高阻态的阻变开关器件的一端分别施加一不影响阻变开关器件本身电阻的电压时，比较两个阻变开关器件另一端的电压，以输出结果。
一种随机数发生器

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