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[发明专利]用以感测一存储单元阻态的电路及其方法-CN200710000116.5有效
发明人：廖忠志;邓端理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-01-05 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用以感测一存储单元阻态的电路及其方法，一存储单元具有高阻态及低阻态。一高参考单元位于高阻态，及一低参考单元位于低阻态。该高参考单元的高阻态电阻值，与该存储单元位于高阻态时的电阻值之间，具有一第一差异幅度。该低参考单元的低阻态电阻值，与该存储单元位于低阻态时的电阻值之间，具有一第二差异幅度。差动放大器耦接该存储单元、该高参考单元及该低参考单元，提供一数字输出以表示该存储单元的阻态。本发明所述的用以感测一存储单元阻态的电路及其方法，能可靠地感测MRAM装置中存储单元的阻态，及改进读取MRAM数据的速度。
用以感测一存储单元电路及其方法

[发明专利]一种磁存储器及其写状态检测方法-CN201811045302.5有效
发明人：戴瑾;叶力;夏文斌 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器及其写状态检测方法，该磁存储器包括：高阻态写参考单元，用于提供判断存储单元是否处于高阻态的参考信号；低阻态写参考单元，用于提供判断存储单元是否处于低阻态的参考信号；写入状态检测单元，用于接收高阻态写参考单元和低阻态写参考单元的输出信号以及各存储单元写入回路中的相应检测信号；当进行置为高阻态的写入操作时，写入状态检测单元将存储单元的检测信号与高阻态写参考单元提供的信号进行比较，当判定存储单元已处于高阻态时，发出终止写信号；当进行置为低阻态的写入操作时，写入状态检测单元将存储单元的检测信号与低阻态写参考单元提供的信号进行比较，当判定存储单元已处于低阻态时，发出终止写信号。
一种磁存储器及其状态检测方法

[发明专利]无肓区电接点水位计-CN200810051573.1无效
发明人：周淑芳 -专利权人：周淑芳
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G01F23/24 文献下载
摘要：由于本发明的无肓区电接点水位计的电极具有高阻态、中阻态和低阻态的三态性。当中阻环(12)未接触到水位时为高阻态；当中阻环(12)接触到水位时为中阻态；当低阻环(11)接触到水位时为低阻态。本发明的无肓区电接点水位计的稳定状态为中阻态，当水位上升出现低阻态，就会通过控制器(21)传动系统及随动系统使电极向上运动，使电极低阻环(11)离水面恢复到中阻态；反之，也是一样，从而实现了水位的跟踪测量
无肓区电接点水位计

[实用新型]无盲区电接点水位计-CN200820072891.1无效
发明人：周淑芳 -专利权人：周淑芳
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G01F23/24 文献下载
摘要：由于本实用新型的无盲区电接点水位计的电极具有高阻态、中阻态和低阻态的三态性。当中阻环(12)未接触到水位时为高阻态；当中阻环(12)接触到水位时为中阻态；当低阻环(11)接触到水位时为低阻态。本实用新型的无盲区电接点水位计的稳定状态为中阻态，当水位上升出现低阻态，就会通过控制器(21)传动系统及随动系统使电极向上运动，使电极低阻环(11)离水面恢复到中阻态；反之，也是一样，从而实现了水位的跟踪测量
盲区接点水位计

[发明专利]一种多值阻变存储器及其制备方法-CN201210564552.6无效
发明人：黄如;陈诚;蔡一茂;张耀凯 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多值阻变存储器及其制备方法。一种多值阻变存储器，包括位于衬底上的下电极，位于所述下电极上的中间层，以及位于所述中间层上的上电极，其中，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态本发明实施例中的多值RRAM通过设置多层阻变层，并使这多层阻变层在外加电压作用下可以依次由低阻态转变为高阻态，实现了该RRAM的多阻值存储，而且，由于各阻变层在不同的阻态之间的转变比较好控制，某一阻变层由低阻态转变为高阻态时也不会影响其他阻变层的阻态
一种多值阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法-CN201510349432.8有效
发明人：赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民;陈博昊 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法。该存储器由初始态为低阻态的阻变存储器与初始态为高阻态的阻变存储器串联而成，器件结构由底部至顶端依次为底电极、初始低阻态存储功能层、中间电极、初始高阻态存储功能层和顶电极。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底；(2)采用物理气相沉积法形成底电极；(3)采用磁控溅射法沉积初始低阻态存储功能层；(4)采用物理气相沉积法形成中间电极；(5)采用原子层沉积法形成初始高阻态存储功能层本发明的阻变存储器具有免电激活特性，适用于具有交叉阵列结构的3维高密度集成的阻变存储器件。
一种激活互补存储器及其制备方法

[发明专利]多层阻变存储器的温度分布测试方法-CN201811342284.7有效
发明人：雷登云;黄云;王力纬;侯波;恩云飞 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层阻变存储器的温度分布测试方法，包括：选定目标层；选定目标层上的多个目标单元；将选定的多个目标单元构成目标集合；对目标集合中的各目标单元进行N次读写，得到各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合；根据各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合分别计算出各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数；根据各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数，获得各目标单元的温度数据集合本发明能够有效地分析阻变存储器内部的温度，提高了温度分布分析的可靠性。
多层存储器温度分布测试方法

[发明专利]一种阻变器件多级稳定阻态实现方法及电子设备-CN201810688986.4在审
发明人：刘力锋;丁向向;朱懂斌;冯玉林;黄鹏;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变器件多级稳定阻态实现方法及电子设备，所述方法包括：对于待处理的阻变器件，通过调节所述阻变器件set过程与reset过程的激励信号条件，获取多个set与reset激励信号条件匹配对，所述多个set与reset激励信号条件匹配对分别对应多个稳定且相互能够区分的阻态；所述多个稳定且相互能够区分的阻态是指多个阻态中每个阻态的相对标准差小于预设标准差阈值，且多个阻态中每两个相邻的阻态之间的高低电阻比值大于预设电阻比阈值；set过程是指所述阻变器件由高阻状态HRS到低阻状态LRS的过程；reset过程是指所述阻变器由低阻状态LRS到高阻状态HRS的过程。本发明提供的阻变器件多级稳定阻态实现方法，能够得到多个稳定且相互能够区分的阻态。
阻态阻变器件激励信号条件低阻状态电子设备高阻状态匹配对高低电阻预设标准标准差电阻比变器预设

[发明专利]一种减小阻变存储器阻值离散性的方法-CN201010163100.8有效
发明人：康晋锋;高滨;陈冰;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法，该方法包括：S1、在Forming过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态；S2、在SET过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低阻态；S3、在RESET过程中施加一个反向电压脉冲，使阻变存储器的阻变材料从低阻态转为高阻态。本发明提出的电流电压控制方法可以显著的减小器件阻值的离散性，并同时可以提高低阻态的阻值，从而减小器件的工作电流，降低功耗。
一种减小存储器阻值离散方法

[发明专利]一种氧化物薄膜阻变存储器多级阻态的电压调控方法-CN202010378172.8在审
发明人：李岚;杨鹏城;徐建萍;石少波;刘丁;许江华 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物薄膜阻变存储器多级阻态的电压调控方法，该方法包括如下步骤：(1)在高阻态下对器件施加置位电压Vset，使器件由高阻态转变为低阻态；(2)之后再对器件施加与置位电压Vset方向相反的扫描电压，当扫描电压达到复位电压Vreset，使器件由低阻态回到高阻态；(3)之后继续施加与置位电压在电压大于复位电压Vreset后，器件转变为中间电阻；(4)继续施加与置位电压Vset方向相反的电压，使器件回到第一低阻态；或者继续施加与置位电压Vset方向相同的电压，使器件回到高阻态。本发所述电压调控方法可以实现多阻变存储器，在电压调控下表现出多级阻态行为。
一种氧化物薄膜存储器多级电压调控方法

[发明专利]逻辑单元、加法器以及乘法器-CN202011505468.8有效
发明人：纪志罡;柳春阳 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：一种逻辑单元，该逻辑单元包括多个多阻态器件。所述的多阻态器件是指在被施加不同电压或电流情况下，具有多个阻值的器件。所述的多个多阻态器件通过并联、串联或者串并联组合，组成具有输入端和输入端的逻辑运算单元电路。所述的多阻态器件是忆阻器，该忆阻器包括高阻态和低阻态。
逻辑单元加法器以及乘法器

[发明专利]阻变存储单元的编程方法-CN201110220576.5无效
发明人：刘明;连文泰;龙世兵;吕杭炳;刘琦;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储单元的编程方法。该方法包括：施加置位信号于阻变存储单元，在阻变存储单元上电极和下电极之间形成导电细丝，阻变存储单元转变为低阻态；施加复位信号于阻变存储单元，使导电细丝部分溶解，阻变存储单元由低阻态转变为高阻态；再次施加置位信号于阻变存储单元，部分溶解的导电细丝在置位信号的作用下，继续生长，直至重新连接阻变存储单元的上电极和下电极，阻变存储单元由高阻态转变为低阻态。本发明的阻变存储单元的编程方法具有下列有益效果：1、可以提高阻变存储单元电阻转变性能参数均一性；2、可以提高阻变存储单元的编程速度。
存储单元编程方法

[发明专利]一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法-CN201510602812.8有效
发明人：李小丽;贾娟;李洁;李燕春;许小红 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法，包括基片和沉积于基片上的颗粒膜阻变功能层和顶电极构成，所述的基片为Pt/Ti/SiO2/Si基片，所述的沉积于基片上的颗粒膜阻变功能层为ZnO/ZnO‑Co本发明的有益效果在于本发明设计并制备了ZnO/ZnO‑Co复合阻变功能膜，并在以此为基础的Pt/ZnO/ZnO‑Co/Pt器件中同时发现了电致阻变效应和磁电阻效应两种重要性质。当在顶电极上加一定正电压时，器件由高阻态转变为低阻态，继而在顶电极上加一定负电压时，器件由低阻态变为高阻态。不论该器件处于高阻态还是低阻态，其在外加磁场下，均显示室温MR效应，因此，通过电场和磁场的共同调控可以实现四个电阻态，该器件可用于多态存储器。
一种电场磁场共同调控多阻态忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种测量阻变存储器激活能的方法-CN201410144275.2有效
发明人：卢年端;李泠;刘明;孙鹏霄;王明;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量阻变存储器激活能的方法，包括：测量阻变存储器的I-V曲线，并从该I-V曲线来确定阻变存储器的低阻态电流值及高阻态电流值；计算在低阻态及高阻态下阻变存储器导电细丝中的电流；计算阻变存储器高阻态下导电细丝的外加电场；计算高低阻态下载流子跃迁的激活能。利用本发明，通过简单的方法可以测量出阻变存储器的激活能，大大减少了测量误差，并能够区分出电子运动、离子扩散等载流子运动时各自的激活能，为研究阻变存储器的微观物理机制提供理论指导。
一种测量存储器激活方法

[发明专利]基于阻变器件的全加器-CN202310306171.6在审
发明人：刘力锋;蒋知辰;伊亚玎;韩德栋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F7/501 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，提供一种基于阻变器件的全加器，基于阻变器件的全加器包括全加器电路，全加器电路包括多个阻变器件和正极总线；全加器电路中，每一个阻变器件的一端均与正极总线连接，每一个阻变器件的另一端与其负极字线连接，用于以二进制方式将每一个阻变器件的器件阻态表示为高阻态或低阻态。本发明实施例提供的基于阻变器件的全加器将全加器电路中所有阻变器件的器件阻态以二进制方式表示，即将全加器电路中所有阻变器件的器件阻态为高阻态的表示为真值1，所有阻变器件的器件阻态为低阻态的表示为真值0，实现了断掉后数据不丢失，重启后数据即可获取恢复，从而通过使用阻变器件实现了计算器中的计算单元具有非挥发性。
基于器件全加器

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