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[发明专利]一种基于铁磁材料的忆阻器件-CN201810051734.0在审
发明人：游龙;张帅;李若凡;洪正敏 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁磁材料的忆阻器件，具有多层薄膜结构，并且包括一个铁磁层，或者包括一个由第一铁磁层、非磁性层以及第二铁磁层构成的MTJ或自旋阀结构；基于SOT效应或者STT效应，通过向忆阻器件施加电流可以使得铁磁层或者MTJ或自旋阀结构中的第一铁磁层的磁畴状态发生改变，从而实现器件的阻值在高阻态和低阻态之间的连续变化，进而实现信息的存储、运算、神经网络和人工智能。本发明提供的忆阻器件使用铁磁材料，并且基于SOT效应或者STT效应，利用铁磁材料的磁畴状态的改变实现信息的存储，一方面具有较好的读写性能，另一方面具有较好的耐久性；同时，本发明提出的忆阻器件的结构为多层薄膜结构
铁磁层铁磁材料多层薄膜结构自旋阀结构磁畴存储人工智能读写性能非磁性层器件使用神经网络施加电流集成度低阻态高阻态运算

[发明专利]一种基于量子电导效应的忆阻器及其制备调制方法及应用-CN201611102484.6在审
发明人：孙华军;何维凡;钟姝婧;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于量子电导效应的忆阻器及其制备调制方法及应用，忆阻器包括上电极、功能层和下电极，为MIM的crossbar结构；通过调控氩气和氧气的比例，制得具有不同厚度和氧空位的功能层材料；在调制中采用电压扫描或脉冲扫描的方法精确调控功能层的导电丝形态，将导电丝的尺寸控制到原子级，得到单位电导值整数倍的不连续电导行为，实现忆阻器电导量子化；通过提取出忆阻器的各量子态，把不同的量子态对应的阻值作为器件存储的不同阻态，实现多值存储；并可应用忆阻器模拟神经元突触的功能；该忆阻器以整数倍变化的电导克服了电导态的离散变化导致的阻值漂移对器件应用的影响，实现了工作电流更小，存储密度更大，读取速度更快，掉电不丢失的量子存储器件。
一种基于量子电导效应忆阻器及其制备调制方法应用

[实用新型]一种双重阻燃阻水型数字通信用电缆-CN202120116730.3有效
发明人：郝国良 -专利权人：苏州威尔特线缆科技有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01B7/295 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双重阻燃阻水型数字通信用电缆，涉及通信电缆技术领域。包括线芯导体、绝缘层、屏蔽层、第一阻水层、内护套、耐高温涂层、氢氧化铝填料、绕包层、第二阻水层及硅橡胶外皮层。该双重阻燃阻水型数字通信用电缆，耐高温涂层和硅橡胶外皮层中含有陶瓷态阻燃功能粉，原则不与各种金属及无机物等发生化学反应，但是可与有机物自由基发生反应成不燃物，熔融封接成玻璃态膜壁结构耐温层，吸热熔融成膜壁结构绝氧层，降温形成共晶玻璃态或陶瓷态绝滴硬壳层，终成硬质绝缘致密或不透水的玻璃态稳定物，形成单层或多层绝氧的、耐火的膜壁结构层，在阻水结构的共同作用下保障了其高阻燃性和阻水性。
一种双重阻燃阻水型数字通信用电

[发明专利]RRAM写入-CN201780084177.6有效
发明人：布伦特·豪克内斯;吕志超 -专利权人：合肥睿科微电子有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：公开了一种用于对施加至阻变式随机存取存储器(RRAM)阵列的源极线或位线上的电流进行限制或者对施加至该源极线或位线上的电压进行斜变的RRAM电路和相关方法。其中，控制电路在设置操作过程中将RRAM单元设置为低阻态，以及在重置操作过程中将该RRAM单元重置为高阻态。
rram 写入

[发明专利]一种彩膜基板及显示面板、显示装置-CN201510700717.1有效
发明人：陈少云;刘晓莉;周婷;李俊谊 -专利权人：厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：一种彩膜基板，包括：色阻层和多个分散分布的支撑隔垫物；所述色阻层包括色阻阵列，所述色阻阵列包括多个呈阵列排布的色阻，所述色阻包括红色色阻、绿色色阻及蓝色色阻；所述支撑隔垫物设置在所述色阻之间的区域，包括第一支撑隔垫物、第二支撑隔垫物及第三支撑隔垫物；距离所述第一支撑隔垫物最近的色阻为红色色阻，距离所述第二支撑隔垫物最近的色阻为绿色色阻，距离所述第三支撑隔垫物最近的色阻为蓝色色阻，所述第一支撑隔垫物的数量大于所述第二支撑隔垫物的数量这就降低了暗态亮度，达到了提升对比度的目的；同时减弱了暗态偏红的现象，使得人眼不易察觉，提高了暗态画面品位。
一种彩膜基板显示面板显示装置

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN202310736503.4在审
发明人：史小波 -专利权人：河南财政金融学院
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，具体是一种基于二维银团簇的阻变存储器，二维银团簇阻变层为2D波浪面网状结构，横向分布的Ag离子能够提供Ag细丝的形成通道，增加导细丝数量降低低阻态电阻，纵向分布的Ag离子能够作为导电细丝通路形成的中继，促进了导电细丝的形成，二维银团簇层2D波浪面网状结构，提供部分Ag离子接触底电极和银顶电极，提高了阻变存储器的耐受性。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]一种超快阻变存储器及其阻态控制方法-CN201910689807.3在审
发明人：陈志伟;马超;殷月伟;李晓光 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种超快阻变存储器及其阻态控制方法，其中，超快阻变存储器的阻变介质层为过渡金属氧化物介质层，通过对阻变存储器施加电激励，可调控阻变介质层中的氧空位，导致过渡金属元素价态变化，使得超快阻变存储器呈现出不同的电阻状态，进而提高超快阻变存储器的存储密度。另外，通过实验分析发现，超快阻变存储器的高低阻态转换时间可以快至亚纳秒量级，且在高温条件下也有很好的适用性。进一步的，超快阻变存储器的基底为导电硅基底，在承担基底的功能的基础上，还作为超快阻变存储器的底电极存在，可以与传统硅基工艺相兼容。
阻变存储器基底阻态阻变介质层过渡金属氧化物过渡金属元素亚纳秒量级电阻状态高温条件硅基工艺价态变化实验分析导电硅底电极电激励介质层可调控氧空位存储兼容施加转换发现

[实用新型]用于流量检测系统的激励信号数量控制电路-CN201420633657.7有效
发明人：姜跃炜 -专利权人：姜跃炜
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： G01F1/66 文献下载
摘要：本实用新型属于超声波流量表设计技术领域，特别涉及一种用于流量检测系统的激励信号数量控制电路，包括两个三态门U1、U2，所述三态门U1、U2的输入端均与主控模块相连用于接收主控模块输出的激励信号，三态门U1、U2的门控端均与主控模块相连用于接收主控模块输出的控制信号，三态门U1、U2的输出端与激励信号调理电路相连。通过两个三态门，实现连续激励信号的周期控制，该电路简单、成本低，且三态门的高电平、低电平以及高阻态均满足后续电路使用需求。
用于流量检测系统激励信号数量控制电路

[发明专利]一种基于AZO薄膜的阻变存储器及其制备方法-CN202111076668.0在审
发明人：卢晓玲;郭晓斌;苏枫超;苏峥;邱文海 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，公开了一种基于氧化锌掺铝(AZO)薄膜的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器为叠层结构，包括依次排列的阻变层和衬底，其中所述阻变层上设置有顶电极：所述衬底设置有底电极；其中，所述衬底为p‑Si基片，所述阻变层为AZO薄膜。利用磁控溅射方法制备而成，其制备工艺简单，成本低。对其阻变特性进行测试，得到I‑V曲线，阻变存储器的开关性能良好，能达到两个数量级，高低阻态的阻值之比可以达到20，且在100次循环测试下仍保持良好的阻变特性。
一种基于 azo 薄膜存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于忆阻器的逻辑非门电路-CN201410359201.0有效
发明人：陈进才;余国生;周功业;缪向水;卢萍 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的逻辑非门电路；包括：第六忆阻器、第七忆阻器、三态门、第三电阻；所述第六忆阻器的输入端作为所述非门电路的输入端；所述第七忆阻器的输入端连接电源电压；所述三态门的使能端连接至所述第六忆阻器的输出端，所述三态门的输入端连接至所述第七忆阻器的输出端，所述三态门的输出端通过所述第三电阻接地；所述第七忆阻器的输出端作为所述非门电路的输出端。
一种基于忆阻器逻辑非门电路

[发明专利]一种概率计算器件及随机数据生成方法-CN202111452112.7在审
发明人：殷加亮;王海宇;马祥跃;曹凯华;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种概率计算器件及随机数据生成方法，涉及概率计算领域，该概率计算器件包括：底端电极、磁隧道结、磁性功能层以及顶端电极，任意一个磁性功能层用于接收调控信号，响应于调控信号，调控磁隧道结的阻态，或者对所在磁隧道结施加漏磁场以调控磁隧道结的阻态，电路系统可以对一段时间内磁隧道结的阻态变化次数进行统计，得出磁隧道结阻态翻转概率，并以概率翻转的结果作为生成的随机数据。并且概率计算器件单元设定至少三处端口进行调控信号通入，以此实现对磁隧道结阻态的调控，提高了翻转概率的可控性。过程中调控大电流不通过势垒层，减轻了势垒层的磨损，进而提升了磁隧道结的使用寿命。
一种概率计算器件随机数据生成方法

[发明专利]基于单阻变器件的27种三值单变量函数实现方法-CN201910561075.X有效
发明人：陈鑫辉;张跃军;李憬 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单阻变器件的27种三值单变量函数实现方法，该方法采用一个忆阻器，根据忆阻器的阻值设定忆阻器的三个阻态，定义忆阻器的初始化的逻辑参数、忆阻器的输入和输出以及写操作后忆阻器的输出，并采用半导体参数分析测试仪中分别对忆阻器施加正向扫描电压和负向扫描电压获取忆阻器阻态转换的两个阈值电压，基于该阈值电压确定忆阻器的输入的脉宽100微秒的脉冲电压的幅值大小以及恒定直流电压，然后根据要实现的三值单变量函数初始化忆阻器到相应阻态后，对忆阻器进行一步或者两步写操作，就能实现该三值单变量函数了；
基于单阻变器件 27 种三值单变量函数实现方法

[发明专利]一种包含低阻线路的透明电路层制造方法-CN202310050385.1在审
发明人：沈奕;高嘉桐;欧建平;余荣;吕岳敏;张汉焱 -专利权人：汕头超声显示器技术有限公司;汕头超声显示器（二厂）有限公司;汕头超声显示器有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H05K3/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含低阻线路的透明电路层制造方法，包括如下步骤：(1)在透明基板的表面上形成低阻铜膜，再对低阻铜膜进行图形化而形成铜电路；(3)在透明基板表面上沉积覆盖低阻铜膜的透明导电膜；其特征在于：在所述步骤（1）之后还进行步骤（2），通过对所述铜电路的表面进行轻度氧化，在铜电路表面形成薄氧化层；所述步骤(3)中，所形成的透明导电膜为至少底层为缺氧态的透明导电膜；在所述步骤(3)之后还进行步骤（4），使透明导电膜底层与薄氧化层发生反应
一种包含线路透明电路制造方法

[发明专利]一种基于忆阻器的完备非易失布尔逻辑电路及操作方法-CN202110664754.7有效
发明人：王兴晟;吴绮雯;宋玉洁;王成旭;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的完备非易失布尔逻辑电路及操作方法，用于对输入的逻辑值P和/或输入的逻辑值Q进行逻辑运算；其中，电路包括控制器、忆阻器M1、忆阻器M2和电阻；控制器用于在逻辑运算之前，将忆阻器M2置为高阻态；进行逻辑运算时，对忆阻器M1施加电压A，对忆阻器M2施加电压B，对电阻施加电压C，并读取忆阻器M2的阻态，即逻辑运算结果；且当对逻辑值P和逻辑值Q进行逻辑运算或仅对逻辑值Q进行逻辑运算时，控制器还用于在逻辑运算之前，将忆阻器M1置为逻辑值Q所对应的阻态；本发明通过对忆阻器进行置态以及对忆阻器和电阻进行加压两步操作即可实现完备的布尔逻辑功能
一种基于忆阻器完备非易失布尔逻辑电路操作方法

[发明专利]一种双极性双稳态忆阻器及其制备方法-CN201810122783.9有效
发明人：姜超;余延涛;黄小忠;王春齐;岳建岭;杜作娟;蒋礼 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的目的是公开一种双极性双稳态忆阻器，其包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成。本发明的阻态转变层是由二氧化钛纳米线和二氧化钛薄膜构成，二氧化钛纳米线具有高密度特性，制备成为忆阻器，可实现忆阻器的高密度存储，提高忆阻器的响应速度，降低忆阻器的功耗；在二氧化钛纳米线涂布一层二氧化钛薄膜，可避免纳米线参差不齐，与金属上电极接触不充分而引起的漏电流，从而提高忆阻器稳定性。
忆阻器二氧化钛纳米线二氧化钛薄膜阻态转变双极性双稳态电极制备二氧化钛纳米线阵列高密度存储金属上电极纳米线阵列密度特性漏电流纳米线下电极功耗响应