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[发明专利]阻变存储器及降低其形成电压的方法-CN201110230867.2无效
发明人：刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳;王明;张康玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及降低其形成(Forming)电压的方法，该阻变存储器包括上电极、下电极，以及形成于该上电极与该下电极之间的阻变存储层，且该阻变存储层由氧化物存储材料构成，当采用溅射或者原子层淀积的工艺生长氧化物存储材料时，通过对提供氧元素的反应源的控制来减少氧化物中氧元素的含量，使氧化物材料中存在大量的氧空位，有利于导电细丝的形成，从而降低阻变存储器第一次由高阻态向低阻态转变时所需要的Forming电压。
存储器降低形成电压方法

[发明专利]一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器及其制备方法-CN202211362106.7在审
发明人：王琳;宋雪芬;葛飞翔;刘子聪;顾恒硕 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器，属于微电子制造及存储技术领域。所述自整流忆阻器是一种包括上电极、钙钛矿层、下电极的三层器件，在负电压扫描范围呈现出高、低两个阻态，而在正电压扫描范围始终保持在高阻态。所述忆阻器是依靠钙钛矿/金属界面瞬时形成的金属卤化物，钙钛矿可以与该卤化物形成p‑n结，反向p‑n结形成阻挡层，助推实现类二极管效应的自整流忆阻器。本发明首次基于钙钛矿材料体系实现了自整流忆阻器，丰富了钙钛矿忆阻器的功能特征，拓展了自整流忆阻器的材料选择范围，是一种低成本设计，可以满足高集成十字交叉阵列中存储单元的信息准确读取需求。
一种基于卤素杂化钙钛矿整流忆阻器及其制备方法

[发明专利]长效防腐物理性降阻剂-CN201010109273.1有效
发明人：付佳 -专利权人：昆明宇恬科技工程有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种长效防腐物理性降阻剂，旨在解决解决了传统膨润土在干旱及冻土地质条件下不能应用的问题，本发明的长效防腐物理性降阻剂各种组分及重量百分比为：吸水树脂凝胶5％-50％，导电性材料石墨15％-60％，活性炭5％-30％、钠基膨润土10％-60％，导电水泥15％-50％.本发明长效防腐物理性降阻剂达到下列技术指标：降阻剂电阻率(干态)≤0.95Ω·m、降阻剂电阻率(湿态)≤0.35Ω·m、pH值7.5～9.5、吸水率≥50％、纯降阻剂圆钢腐蚀≤0.019mm/a、纯降阻剂扁钢腐蚀≤0.016mm/a。本发明的长效防腐物理性降阻剂可在常温常压下生产，原材料价廉易得，具有降阻性能优越、长时效、成本低、防腐蚀、无毒、无污染、综合技术经济效益好等优点。
长效防腐物理性降阻剂

[发明专利]一种降低阻变存储器电铸电压的方法-CN201410222652.X有效
发明人：龙世兵;王国明;张美芸;李阳;王明;许晓欣;刘红涛;孙鹏霄;吕杭炳;刘琦;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低阻变存储器电铸电压的方法，该方法是在对阻变存储器进行电铸操作之前，通过阻变存储器的上电极向阻变存储器的阻变功能层施加恒定的小电流，在阻变存储器的阻变功能层中形成部分导电细丝，使阻变存储器处于中间态之后对阻变存储器的电铸过程，可以发现电铸电压明显降低。本发明操作方法简单，降低成本低，有利于本发明的广泛推广与应用。
一种降低存储器电铸电压方法

[发明专利]获取阻变器件导电通道分布的方法-CN202310263816.2在审
发明人：吴华强;孙雯;高滨;唐建石 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请公开了获取阻变器件导电通道分布的方法，该方法包括提供阻变器件，该器件具有多个阵列排布的阻变器件单元；调控阻变器件的外界电压，剥离第一阵列电极层和/或第二阵列电极层暴露阻变层，获得不同阻态的待测阻变器件单元；扫描不同阻态的待测阻变器件单元的阻变层的表面信息，以获得不同阻态的待测阻变器件单元的电流分布；对阻变层进行平面取样，获得待测平面；令待测平面沿轴向旋转，扫描待测平面多个不同角度的结构信，对结构信息二维数据集进行三维重构，获得不同阻态的待测阻变器件单元的微观结构三维分布。由此，可以获得阵列级别阻变器件导电通道的电流分布与导电通道的微观结构的三维分布之间的对应关系。
获取器件导电通道分布方法

[发明专利]同时具备存储与运算功能的高分子忆阻器及其制法和应用-CN201910229224.2在审
发明人：张斌;樊菲;侯杰;陈彧 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明属于有机/高分子信息存储器件领域，具体提供一种同时具备信息存储和数据处理能力的高分子忆阻器及其制备方法和应用。通过对该器件施加不同的电压，其电流电压曲线表现出不同的特性：在低导态可以实现多态存储、在高导态能实现算术运算和逻辑运算功能。此外，器件可以实现高导态和低导态间的自由切换。通过高分子的分子设计和电学性能调控将多态存储和运算功能集成到单个忆阻器中，得到高性能的电子器件，是一种满足当今日益增长的数据存储和处理需求的有效手段。
忆阻器多态存储高导制备方法和应用电流电压曲线逻辑运算功能数据处理能力信息存储器件三明治结构处理需求电学性能电子器件分子设计功能集成聚芴材料器件结构数据存储算术运算信息存储氧化还原有效手段自由切换二茂铁和运算活性层三苯胺与运算侧链制法薄膜存储施加调控应用表现

[发明专利]一种预拌流态固化土用分散剂及其制备方法和应用-CN202210825685.8有效
发明人：肖尊群;王慧;司建涛;许彩云;王福琦;吕振滔;常燕斌;石银磊;罗科奇;林健;耿星月;舒志鹏;王先亚;钟鸣 -专利权人：武汉工程大学;河南省地质矿产勘查开发局第二地质矿产调查院
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C04B24/16 文献下载
摘要：本发明公开一种预拌流态固化土用分散剂及其制备方法和应用。该预拌流态固化土用分散剂，由以下重量份的原料组成：阻粘减水剂5‑15份、稳定剂0.5‑0.8份、水85‑95份；其中，阻粘减水剂为无机分散剂与氨基磺酸系减水剂复配而成，且无机分散剂为水玻璃、六偏磷酸钠、本发明在提高淤泥质黏性土浆液的流动性前提下，通过阻粘减水剂的减水作用，调节流态固化土各龄期的强度，并且实现了淤泥质黏性土浆液的快速分散，为非干燥条件下原状土制备预拌流态固化土的施工工艺提供了关键的技术支撑本发明的分散剂具有分散速度快、腐蚀性低、减水、稳定性好、掺量少的特点。
一种预拌流态固化分散剂及其制备方法应用

[发明专利]减小阻变存储器转变电流的方法-CN201110435890.5有效
发明人：高滨;康晋锋;刘力锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小阻变存储器转变电流的方法，涉及微电子半导体技术领域，在对存储阵列中所有阻变存储器加热的条件下完成电形成过程。本发明的方法显著减小了阻变存储器的转变电流，从而降低功耗，提高器件的可靠性。还可以有效地控制低阻态电阻值，从而提高器件阻值的均一性。
减小存储器转变电流方法

[发明专利]一种多阻态非易失存储器件及其布尔逻辑实现方法-CN202210167285.2在审
发明人：郑加;蔡道林;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多阻态非易失存储器件及其布尔逻辑实现方法，阻态非易失存储器件包括多阻态存储单元、选通单元、字线和位线，所述选通单元包括漏端、源端和栅端，所述选通单元的栅端和字线连接、源端接地，所述多阻态存储单元的一端和选通单元的漏端连接、另一端和位线连接；所述位线用于输入控制信号B来决定多阻态存储单元执行与、或、异或逻辑运算，所述字线用于输入二值信号W来控制选通单元的打开或关闭。本发明无需预先配置多阻态存储单元状态，具有多级输入、可并行以及可级联操作的特点，有望用于神经形态器件突触的权值更新和高通量存储器存内计算的实现。
一种多阻态非易失存储器件及其布尔逻辑实现方法

[发明专利]一种用于RS-485收发器的高阻态控制电路-CN202110249715.0有效
发明人：顾永兴 -专利权人：苏州灵天微半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于RS‑485收发器的高阻态控制电路，包括RS‑485输出驱动模块和高阻态控制模块；所述RS‑485输出驱动模块的总线输出级电性连接有NPN三极管和PNP三极管，所述高阻态控制模块用于在RS‑485输出驱动模块使能关闭时，使得NPN三极管和PNP三极管均截止；本发明所述的一种用于RS‑485收发器的高阻态控制电路，采用三极管作为总线输出级和高阻态控制模块，在A/B共模电平‑7v～12v范围内，控制RS‑485收发器在使能关闭时，其输出呈现高阻态，大幅度提升了总线A/B两个输出端口的ESD电压，满足了绝大部分场合应用。
一种用于 rs 485 收发高阻态控制电路

[发明专利]一种支持非易失“与非”逻辑的三端忆阻器及实现方法-CN201710174064.7有效
发明人：杨玉超;殷明慧;张腾;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种支持非易失“与非”逻辑的三端忆阻器及实现方法。本发明采用底电极、阻变层和顶电极形成MIM纳米堆垛结构，再覆盖绝缘调制层，在绝缘调制层上形成调制电极；只有在调制电极和顶电极同时施加高电压时，两个叠加电场共同作用，阻变层中的离子发生输运，形成局域的导电通道，导致电阻降低，由高阻态转变为低阻态，逻辑运算的结果通过电阻状态以非易失的形式存储在三端忆阻器当中，从而实现非易失“与非”逻辑功能；本发明中的非易失“与非”逻辑门实现仅需单个三端忆阻器，有利于提高非易失电路集成密度此外，本发明涉及的三端忆阻器制备工艺与传统CMOS工艺相兼容。
一种支持非易失逻辑三端忆阻器实现方法

[发明专利]阻变存储器的操作方法及阻变存储器装置-CN201610045713.9在审
发明人：王晨;吴华强;钱鹤;高滨 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种阻变存储器的操作方法及阻变存储器装置。该方法包括如下步骤：对阻变存储器阵列中的存储单元施加初始重置电压；进行读校验操作，以获取所述存储单元的阻值；判断所述存储单元的所述阻值是否达到预设的目标阻值；如果所述存储单元的阻值大于等于所述目标阻值，则结束所述方法；如果所述存储单元的阻值小于所述目标阻值，则向所述存储单元施加置位电压，以将所述存储单元置位到在低阻态的目标阻值，然后对所述存储单元再次施加幅值升高的重置电压，并重复所述读校验操作及之后的步骤采用本发明的方法，可有效缓解阻变存储器的高阻态快速弛豫现象。
存储器操作方法装置

[发明专利]阻变存储器的阻态读取电路及阻变存储器-CN201610670930.7在审
发明人：孙海涛;刘璟;吕杭炳;刘琦;龙世兵;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器的阻态读取电路及阻变存储器。所述电路包括：存储单元、参考单元阵列、第一门控管、第二门控管和灵敏放大器，参考单元采用阵列形式取代了现有采用单个存储单元的形式，增加灵敏放大器用于判断存储单元所处的阻态。本发明能够提高阻变存储器阻态读取的稳定性和可靠性。
存储器读取电路

[发明专利]使用硅锗的可编程熔丝-CN200680037947.3有效
发明人： A·B·霍夫勒;M·K·奥罗斯基 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-10-04 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：在一个实例中，导电层(107)用作可编程材料，其处于低阻态中，电连接导电结构(119和117)。编程电流施加到可编程材料以修改可编程材料，从而将熔丝置于高阻态。
使用可编程

[发明专利]一种模拟生物神经元和神经突触的单元、装置及方法-CN201310001461.6有效
发明人：缪向水;李祎;钟应鹏;许磊;孙华军 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-01-04 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：模拟神经元时，器件接受一个或多个电脉冲刺激，功能材料层的电阻从高阻态转变为低阻态，模拟神经元从一个静息态转变到激发态，实现阈值激发和能量累积激发功能。
一种模拟生物神经元神经突触单元装置方法