[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 202280017485.8 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN116941044A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | G·罗马诺;L·克诺尔;Y·阿朗戈;S·沃思;A·米哈埃拉 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在至少一个实施例中，功率半导体器件(1)包括：半导体本体(2)；在半导体本体(2)中的至少一个源极区域(21)；在半导体本体(2)处的栅电极(3)；在半导体本体(2)与栅电极(3)之间的栅极绝缘体(4、41、42)；以及在所述至少一个源极区域(21)处和栅极绝缘体(4、41、42)处的至少一个阱区域(22)，其中：栅极绝缘体(4、41、42)具有变化的介电电容，该介电电容在每种情况下都是介电常数与栅极绝缘体(4、41、42)在其特定位置处的几何厚度的商；并且所述至少一个阱区域(22)处的介电电容大于栅极绝缘体(4、42)的其余区域中的介电电容。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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