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[发明专利]功率半导体器件-CN202280017485.8在审
发明人： G·罗马诺;L·克诺尔;Y·阿朗戈;S·沃思;A·米哈埃拉 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在至少一个实施例中，功率半导体器件(1)包括：半导体本体(2)；在半导体本体(2)中的至少一个源极区域(21)；在半导体本体(2)处的栅电极(3)；在半导体本体(2)与栅电极(3)之间的栅极绝缘体(4、41、42)；以及在所述至少一个源极区域(21)处和栅极绝缘体(4、41、42)处的至少一个阱区域(22)，其中：栅极绝缘体(4、41、42)具有变化的介电电容，该介电电容在每种情况下都是介电常数与栅极绝缘体(4、41、42)在其特定位置处的几何厚度的商；并且所述至少一个阱区域(22)处的介电电容大于栅极绝缘体(4、42)的其余区域中的介电电容。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法-CN202180085693.7在审
发明人： S·沃思;L·克诺尔;A·米哈埃拉 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：描述了一种功率半导体器件(1)，包括：第一主电极(3)；第二主电极(4)；栅极电极层(5)，位于第一主电极(3)和第二主电极(4)之间；半导体层堆叠(2)，位于第一主电极(3)和第二主电极(4)之间并与它们电接触，半导体层堆叠(2)包括：不同掺杂的半导体层，其中，至少两个半导体层在它们的导电类型和掺杂浓度中的至少一个方面不同；多个柱状或鳍状分区(20)，延伸穿过栅极电极层(5)并且分别包括布置在第一主电极(3)的、具有第一掺杂浓度和第一导电类型的接触层(21)，其中，每个接触层(21)延伸到栅极电极层(5)的、面向第一主电极(3)的一侧(5A)，相邻的柱状或鳍状分区(20，930)的接触层(21)在栅极电极层(5，94)的、面向第一主电极(3，921)的一侧上合并，使得相邻的柱状或鳍状分区(20，930)的接触层(21)连续布置在栅极电极层(5，94)的、面向第一主电极(3，921)的一侧。
功率半导体器件用于制造方法

[发明专利]绝缘栅结构、具有绝缘栅结构的宽带隙材料功率器件及其制造方法-CN202180019925.9有效
发明人： L·克诺尔;S·沃思;A·米哈埃拉 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了一种绝缘栅结构，其包括：宽带隙材料层(50)，包括第一导电类型的沟道区(53)；栅极绝缘层(100a)，直接布置在沟道区(53)上，该栅极绝缘层(100a)包括直接布置在沟道区(53)上的第一氮化物层；以及导电栅电极层(200)，在栅极绝缘层(100a)上，使得栅电极层(100a)通过栅极绝缘层(100a)与宽带隙材料层(50)间隔开。在与碳化硅层(50)和第一氮化物层之间的界面(151)距离3nm的距离处，栅极绝缘层(100a)中的碳原子浓度小于1018个原子/cm‑3。第一氮化物层(102)包括化学计量的氮化硅层、氮化铝层、氮化硼层或氮化磷层。
绝缘结构具有宽带材料功率器件及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201980017492.6有效
发明人： L·克诺尔;A·米哈埃拉;L·克兰兹 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，功率半导体器件包括：宽带隙半导体层(1)，宽带隙半导体层沿着横向延伸并且包括有源区域(AR)和围绕有源区域(AR)的终端区域(TR)；第一凹陷部(9)，第一凹陷部在所述终端区域(TR)内从第一主侧(2)凹陷，第一凹陷部围绕有源区域(AR)；场板(5)，场板在宽带隙半导体层(1)的第一主侧(2)上，场板在终端区域(TR)内暴露宽带隙半导体层(1)的第一部分；以及第一凹陷部的侧壁(9e)，侧壁临近有源区域(AR)并与场板(5)的周向边缘(5e)横向地对准。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]垂直碳化硅功率MOSFET和IGBT及其制造方法-CN201980080450.7有效
发明人： S·沃思;A·米哈埃拉;L·克诺尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种垂直碳化硅功率MOSFET，其具有作为漏极的n+型4H‑SiC衬底和外延地生长在4H‑SiC衬底上的充当漂移区的n‑型4H‑SiC外延层、以及注入漂移区中的p++型源极区、p型阱区、p型沟道区和n++型接触区、以及通过栅氧化层与源极和漂移区绝缘的金属栅极。在4H‑SiC外延层与栅氧化层之间的界面处提供垂直厚度在0.1nm至50nm范围内(示例性地在0.5nm至10nm范围内)的高迁移率层。
垂直碳化硅功率 mosfet igbt 及其制造方法