[发明专利]密集型封装的VCSEL阵列、包括VCSEL阵列的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210553949.9 | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN115377800A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | A·魏格尔;A·普鲁伊姆布姆 | 申请（专利权）人： | 通快光电器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/40;H01S5/42 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本披露内容涉及垂直腔表面发射激光器(VCSEL)领域，并且特别地涉及一种包括垂直腔表面发射激光器VCSEL阵列的半导体器件(1)以及一种用于制造包括垂直腔表面发射激光器VCSEL阵列的半导体器件的方法，其中，所述半导体器件包括：具有第一有源区域的第一VCSEL；具有第二有源区域的第二VCSEL；连接所述第一VCSEL和所述第二VCSEL的桥；其中，所述第一VCSEL的第一有源区域和所述第二VCSEL的第二有源区域沿第一晶轴布置；布置在所述第一VCSEL与所述第二VCSEL之间的阻挡结构，其中，所述阻挡结构适于阻挡缺陷沿所述第一晶轴在所述第一VCSEL与所述第二VCSEL之间传播。 | ||
| 搜索关键词： | 密集型 封装 vcsel 阵列 包括 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明提出了一种具有热电优值控制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述衬底和下限制层之间设置有热电优值控制层；所述热电优值控制层的Si掺杂浓度大于所述衬底和下限制层的Si掺杂浓度，所述热电优值控制层的C杂质浓度小于所述下限制层的C杂质浓度，所述热电优值控制层的H杂质浓度小于或等于所述下限制层的H杂质浓度。本发明提升激光器系统的模式增益、功率因子和斜率效率，斜率效率提升125％，光功率提升37％，限制因子提升50％。
- 一种半导体激光器的制作方法-202111259382.6
- 赵武;徐红;王俊;任习鋆;张立晨;刘恒;赵润 - 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 2021-10-27 - 2023-06-13 - H01S5/30
- 本发明提供了一种半导体激光器的制作方法，包括：在半导体衬底层上形成有源层；在部分有源层背向半导体衬底层的一侧形成第一波导；在有源层的表面、以及第一波导的顶部表面和侧壁表面形成钝化膜；在钝化膜的表面涂覆光刻胶层，光刻胶层的表面高于第一波导的顶部表面的钝化膜；采用湿法刻蚀工艺刻蚀光刻胶层直至光刻胶层的表面暴露出第一波导的顶部表面的钝化膜；之后采用干法等离子体打氧工艺刻蚀部分光刻胶层；之后以光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一波导的顶部表面的钝化膜。本发明在保证去除第一波导的顶部表面的钝化膜的效果较好和第一波导的侧壁保留的钝化膜较多的基础上，提高了工艺效率且降低了成本。
- 具有空穴加速结构的激光器外延结构以及激光器-202310118063.6
- 王国斌;王阳 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
- 2023-02-15 - 2023-06-13 - H01S5/30
- 本发明公开了一种具有空穴加速结构的激光器外延结构以及激光器。所述激光器外延结构包括沿指定方向依次设置的n型限制层、第一波导层、发光层、第二波导层、p型电子阻挡层、p型限制层和p型欧姆接触层；以及，所述外延结构还包括p型空穴加速层，所述p型空穴加速层设置在第二波导层与p型限制层之间；所述p型空穴加速层内的受主杂质浓度低于所述p型限制层和p型电子阻挡层中任一者内的受主杂质浓度；并且，所述p型空穴加速层的势垒低于p型限制层和p型电子阻挡层中任一者的势垒。本发明中的p型GaN空穴加速层可以加速空穴的迁移速率，推动更多的空穴进入量子阱发光层。
- 一种高级联度带间级联半导体激光器有源区结构-202211644627.1
- 黄帅;蒋若梅;谭杨;谢修敏;徐强;孔樊林;李潇;路小龙;宋海智 - 西南技术物理研究所
- 2022-12-20 - 2023-05-26 - H01S5/30
- 本发明提出一种高级联度带间级联半导体激光器有源区结构，该有源区结构采用有载流子再平衡设计和短注入区设计。本发明能够进一步提高有源区中的光学限制因子，有源级联区中的光学限制因子相应提高，增加器件的增益；使得电子和空穴的阈值载流子浓度更加对称，降低内部损耗，抑制俄歇复合，降低阈值电流；级联级数的增加使得阈值电流进一步降低，同时由于级联数的增加，激光器的发射功率也因此成倍数的增加；采用本发明有源区结构设计的带间级联半导体激光器，在室温且低阈值电流的条件下能够实现激射波长7.1μm。
- 一种设有量子自旋电子层的半导体激光元件-202310079263.5
- 李水清;王星河;刘紫涵;蔡鑫;马斯特;张江勇;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一 - 安徽格恩半导体有限公司
- 2023-02-08 - 2023-05-23 - H01S5/30
- 本发明提供了一种设有量子自旋电子层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有量子自旋电子层；量子自旋电子层具有较强的超导性和铁磁性，抑制折射率色散和散射，提升模式增益，同时，量子自旋电子层存在边缘导电通道，产生无损自旋极化电流注入，提升电子和空穴的输动和注入效率，增强有源层电子空穴波函数的交叠几率和电子空穴的对称性匹配性，提升增益均匀性，加速激光元件的受激辐射，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的激射功率和斜率效率。
- 一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器-202223453199.2
- 张保平;徐欢;李青璇;许荣彬;应磊莹;郑志威 - 厦门大学
- 2022-12-22 - 2023-05-12 - H01S5/30
- 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器，包括：支撑基板、第一电极、第一分布布拉格反射镜、透明导电层、外延层、第二分布布拉格反射镜和第二电极，外延层包括P型氮化物、有源区和N型氮化物；第二分布布拉格反射镜设置于N型氮化物的上表面中部，第二电极设置于N型氮化物的上表面两侧；P型氮化物的下方两侧设置有辐照区，由高能粒子辐照形成电流限制层，中部设置有非辐照区，透明导电层设置于非辐照区下表面，第一分布布拉格反射镜设于透明导电层下表面，第一电极包覆于第一分布布拉格反射镜和透明导电层的外表面及电流限制层的下表面，支撑基板设于第一电极下表面。本实用新型工艺简单，散热性好。
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