专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有不规则发射图案的激光器布置结构-CN201980015007.1有效
  • S·格罗嫩博恩;H·J·门希;R·E·T·古德 - 通快光电器件有限公司
  • 2019-01-24 - 2023-08-08 - H01S5/02
  • 本发明描述一种激光器布置结构(100),所述激光器布置结构(100)包括激光器阵列(110)和用于在限定视场中提供限定照射图案的光学装置(140)。光学装置(140)包括多个局部光学结构(145)。每个局部光学结构(145)与至少一个激光器(130)相关联。每个局部光学结构(145)被布置为能够重新定向通过被激光器阵列(110)所包括的至少一个激光器(130)发射的激光(10),使得通过每个激光器(130)发射的激光(10)看起来是从激光器阵列(110)的至少一个视在位置(130‑1a、130‑1b)发射的。局部光学结构(145)被布置为使得通过激光器中的至少一个激光器发射的激光(10)看起来是从激光器阵列的至少两个视在位置发射的。光学装置(140)被布置为使得视在位置(130‑1a、130‑1b)以不规则图案分布。本发明还描述一种包括这样的激光器布置结构(100)的照明装置、一种相机(200)和一种包括这样的发光装置的光学密钥以及一种制造激光器布置结构(100)的方法。
  • 具有不规则发射图案激光器布置结构
  • [发明专利]具有集成光电二极管的垂直腔面发射激光器装置-CN201980016943.4有效
  • P·H·格拉赫 - 通快光电器件有限公司
  • 2019-01-09 - 2023-07-25 - H01S5/026
  • 本发明描述一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)装置、包括VCSEL装置的光学传感器以及制造这样的VCSEL装置的方法。VCSEL装置包括第一电接触体(105)、第三电接触体(130)、第四电接触体(150)和光学谐振器。光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、光电二极管、第二分布式布拉格反射器和用于发光的有源层(120)。有源层(120)被布置在第一分布式布拉格反射器(115)与第二分布式布拉格反射器之间。第二分布式布拉格反射器包括第一部分(125)、第二部分(135)和第三部分(145)。第一部分(125)包括具有不同折射率的至少一对成对层。所述至少一对成对层的特征在于是第二导电类型的。第二部分(135)包括具有不同折射率的至少一对成对层。所述至少一对成对层的特征在于是与第二导电类型不同的第一导电类型的。第三部分包括具有不同折射率的至少一对成对层,其中,所述至少一对成对层的特征在于是第二导电类型的。光电二极管的光吸收结构(140)被布置在第二部分(135)与第三部分(145)之间。第一电接触体(105)和另一电接触体被布置为能够提供电驱动电流,以电泵浦光学谐振器。光吸收结构(140)被布置在电驱动电流的电流路径之外。第三电接触体(130)和第四电接触体(150)被布置为能够电接触光电二极管。
  • 具有集成光电二极管垂直发射激光器装置
  • [发明专利]垂直腔面发射激光器-CN201880079276.X有效
  • P·H·格拉赫;R·米查尔齐克;S·巴德尔 - 通快光电器件有限公司
  • 2018-11-22 - 2023-06-27 - H01S5/06
  • 本发明描述一种垂直腔面发射激光器和制造这种垂直腔面发射激光器的方法。垂直腔面发射激光器包括第一电触点(105)、第二电触点(135)和光学谐振器,所述光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、有源层(120)、分布式异质结双极光电晶体管(125)、第二分布式布拉格反射器(130)和光学引导结构(137),所述分布式异质结双极光电晶体管(125)包括集电极层(125a)、光敏层(125c)、基极层(125e)和发射极层,其中,分布式异质结双极光电晶体管(125)布置成使得有源层(120)与分布式异质结双极光电晶体管(125)之间存在光学耦合,以用于借助于分布式异质结双极光电晶体管(125)提供有源载流子限制,其中,光学引导结构(137)设置为能够在垂直腔面发射激光器的操作期间引导垂直腔面发射激光器的光学谐振器内的光学模式,其中,光学引导结构(137)布置在能够在垂直腔面发射激光器的操作期间借助于第一电触点(105)和第二电耦合(135)提供的电流之外,其中,光学引导结构(137)在垂直腔面发射激光器的竖直方向上布置在第一电触点(105)与第二电触点(135)之间的层序列之外。本发明还涉及一种包括这种VCSEL的光学传感器(210)和一种包括这种光学传感器(210)的移动通信装置(200)。
  • 垂直发射激光器
  • [发明专利]节能激光器布置结构-CN201980014280.2有效
  • S·格罗嫩博恩;H·J·门希 - 通快光电器件有限公司
  • 2019-01-03 - 2023-06-27 - H01S5/02
  • 本发明描述一种激光器布置结构(100),所述激光器布置结构(100)包括激光器阵列(110)和用于在限定视场中提供限定照射图案的光学结构(140),其中,光学结构(140)包括扩散器(144),扩散器(144)被布置为能够改变通过被激光器阵列(110)所包括的激光器(130)发射的激光(10)的分布,其中,每个激光器(130)的特征在于具有发射锥体,其中,光学结构(140)被布置为能够将激光(10)变换为变换后激光(150),使得与被布置为能够将完全准直激光扩散为视场中的平顶强度轮廓的扩散器相比,被激光器(130)中的至少一组激光器(130)的发射锥体所包括的激光(10)的重叠在视场中增大;其中,光学结构(140)被布置为能够将在发射锥体的大角度处发射的激光(10)重新定向到视场。本发明还描述一种包括这样的激光器布置结构(100)的发光装置、一种包括这样的发光装置的飞行时间相机(200)以及一种制造激光器布置结构(100)的方法。
  • 节能激光器布置结构
  • [发明专利]波长对驱动电流依赖性增加的VCSEL-CN202180026537.3在审
  • U·魏希曼;H·J·门希 - 通快光电器件有限公司
  • 2021-03-31 - 2022-12-02 - H01S5/183
  • 本发明涉及一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)(10),该垂直腔表面发射激光器包括光学谐振器(20),该光学谐振器具有第一分布式布拉格反射器(12)、第二分布式布拉格反射器(16)和布置在第一分布式布拉格反射器(12)与第二分布式布拉格反射器(16)之间的用于激光发射的有源区(14)。VCSEL(10)包括电接触装置(32、34),该电接触装置布置成提供电驱动电流以对光学谐振器(20)供电。布置在光学谐振器(20)中的附加损耗层(18)提供光学损耗和/或电损耗。这些附加损耗增加了VCSEL(10)的波长偏移,该波长偏移对于依赖于自混合干涉的传感器应用来说是重要参数。本发明还涉及一种包括这种VCSEL的光学传感器及其制造方法。
  • 波长驱动电流依赖性增加vcsel
  • [发明专利]形成垂直腔面发射激光器的光学孔径的方法和垂直腔面发射激光器-CN202180022775.7在审
  • R·克尔纳;J·滕佩勒 - 通快光电器件有限公司
  • 2021-03-12 - 2022-11-04 - H01S5/02
  • 本发明涉及一种形成垂直腔面发射激光器(120)的光学孔径(24)的方法,包括:提供半导体层的层堆叠体,这些半导体层包括中间层,其中中间层包括适合于被氧化的半导体材料;将中间层氧化至氧化宽度,以便在所述中间层中形成被氧化的外部区域和未被氧化的中心区域;去除被氧化的外部区域的至少一部分,使得在已经去除被氧化的外部区域或者被氧化的外部区域的一部分的位置处形成空隙;以及将非导电材料沉积在空隙中。非导电材料使用原子层沉积(ALD)进行沉积,其中,非导电材料(90)以比空隙的厚度小的厚度沉积在空隙的壁上。在沉积非导电材料之后,用另外的材料填充空隙的剩余空间。还描述了一种具有光学孔径(24)的垂直腔面发射激光器(120)。
  • 形成垂直发射激光器光学孔径方法
  • [发明专利]控制激光二极管的光输出功率的方法、控制装置以及相关系统-CN202180011735.2在审
  • S·巴德尔;R·沃尔夫 - 通快光电器件有限公司;罗伯特·博世有限公司
  • 2021-01-26 - 2022-10-18 - H01S5/068
  • 本发明涉及光学粒子传感领域,特别是涉及一种控制激光二极管(10)的光输出功率的方法。提出了一种控制激光二极管(10)的光输出功率的方法,其中激光二极管与光电二极管(20)相关联,光电二极管将从激光二极管接收的光转换成光电二极管电流,该方法包括以下步骤:获得第一光修整参数,其指示在预定校准条件下激光二极管(10)在高于激光阈值的第一激光二极管电流下的第一光输出功率和激光二极管在不同于第一激光二极管电流的高于激光阈值的第二激光二极管电流下的第二光输出功率;获得第二电修整参数,其指示在预定校准条件下光电二极管电流相对激光二极管电流的光电二极管特性曲线;在低于激光阈值的第三激光二极管电流下测量第一光电二极管电流;在与第三激光二极管电流不同的低于激光阈值的第四激光二极管电流下测量第二光电二极管电流;基于对所述第一光电二极管电流和所述第二光电二极管电流的测量确定光电二极管电流相对激光二极管电流在激光阈值之下的斜率;基于第一光修整参数、第二电修整参数以及光电二极管电流相对激光二极管电流在激光阈值之下的斜率,控制激光二极管(10)在激光阈值之上的输出功率。
  • 控制激光二极管输出功率方法装置以及相关系统

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