“深圳市中光工业技术研究院”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果59个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]集成光学耦合开关-CN202210383343.5在审
发明人：林正晃 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02F1/313 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成光学耦合开关，包括两个平行的光波导、两静电吸引的电极和绝缘层。电极包括设置在硅表面与所述光波导相避开的下电极，和设置于所述光波导的上方以微机电的架构形成的上电极，上电极达到预设的电压值时被吸引至与所述光波导表面接触；绝缘层设置于下电极的表面，用于在所述上电极被吸引至与所述光波导表面接触且不与所述下电极直接接触产生短路。如此，下电极和上电极不存在相接触造成电路短路的问题，进而确保集成光学耦合开关工作时性能的稳定性，提高集成光学耦合开关的良率。
集成光学耦合开关

[发明专利]激光光源及激光光源系统-CN202310807529.3在审
发明人：陈彬;陈兴加 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本发明公开一种激光光源，包括激光装置，所述激光装置包括至少一激光器，用于产生至少一沿第一方向及沿第二方向发散角不同的光束；匀光棒，包括入光端面及出光端面，且所述入光端面及出光端面为方形；所述入光端面接收所述至少一沿第一方向及沿第二方向发散角不同的光束，所述出光端面输出经匀光后的光束，所述入光端面的一条对角线与所述第一方向或第二方向平行。从而使出射光束在荧光光源面上强度和颜色分布匀化，并且所需匀光棒尺寸小，达到低损耗、低成本的效果。
激光光源系统

[发明专利]荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置-CN202310682681.3在审
发明人：李乾;简帅;王艳刚 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本申请涉及荧光陶瓷技术领域，具体公开了一种荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置，该荧光陶瓷至少包括：基质；分布于基质内的发光中心、第一散射单元以及第二散射单元；第一散射单元的折射率大于发光中心的折射率；第二散射单元的折射率小于发光中心的折射率；并且第一散射单元与发光中心的折射率的绝对差值为0.01～2.0，第二散射单元与发光中心的折射率的绝对差值为0.01～2.0。通过上述方式，本申请能够提高荧光陶瓷对荧光的散射性能，从而提高了光源系统中的光效利用率。
荧光陶瓷及其制备方法发光装置以及投影

[发明专利]一种半导体激光器巴条的解理方法及激光器巴条-CN202210161949.4在审
发明人：艾佳瑞;丁新琪;郑兆祯 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体激光器巴条的解理方法及激光器巴条，包括：在晶圆上设置若干第一解理线；基于上述第一解理线分离出边缘激光巴条；计算上述边缘激光巴条的第一解理线与实际解理线之间的偏差数据；基于上述偏差数据将上述若干第一解理线均调整为第二解理线；基于上述若干第二解理线分离出中心激光巴条。通过上述方式，本申请能够提升激光巴条的生产良率。
一种半导体激光器解理方法激光器

[发明专利]一种激光芯片及多波长激光器-CN202210161945.6在审
发明人：吴阳烽;丁新琪;王菊;艾佳瑞;焦旺;郑兆祯 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光芯片及多波长激光器，该激光芯片包括上外延层、下外延层以及设置在上外延层与下外延层之间的量子阱层，量子阱层包括至少两个量子阱混合区域，至少两个量子阱混合区域的掺杂浓度呈梯度分布。本申请通过设置至少两个掺杂浓度不同的量子阱混合区域，以使激光芯片同时发出不同波长的激光，从而解决由于一颗单波长半导体激光芯片极易发生相干光干涉的缺陷。
一种激光芯片波长激光器

[发明专利]半导体激光器的制备方法-CN202310722632.8在审
发明人：郑兆祯;陈长安 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体激光器的制备方法，其方法包括：提供一热沉母板，并将热沉母板进行切割形成多个热沉基板，提供一外延片，将多个热沉基板阵列贴合在外延片上，形成多条平行于共振腔方向和垂直于共振腔方向的间隔缝，沿间隔缝对外延片进行分割，获得多个激光器芯片，将多个激光器芯片进行堆叠，并对堆叠的多个激光器芯片进行镀膜以形成多个半导体激光器。通过上述方式，本申请提供的半导体激光器及其制备方法中，利用热沉基板直接就替代了现有技术的支撑条，节省了材料，且减少了在支撑条上进行镀膜后再次分离后与热沉基板的焊接工艺，直接一步形成，简化了工艺且缩减了成本。
半导体激光器制备方法

[发明专利]激光光源及激光光源系统-CN201910807941.9有效
发明人：陈彬;陈兴加 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本发明公开一种激光光源，包括激光装置，所述激光装置包括至少一激光器，用于产生至少一沿第一方向及沿第二方向发散角不同的光束；匀光棒，包括入光端面及出光端面，且所述入光端面及出光端面为方形；所述入光端面接收所述至少一沿第一方向及沿第二方向发散角不同的光束，所述出光端面输出经匀光后的光束，所述入光端面的一条对角线与所述第一方向或第二方向平行。从而使出射光束在荧光光源面上强度和颜色分布匀化，并且所需匀光棒尺寸小，达到低损耗、低成本的效果。
激光光源系统

[发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN201811393151.2有效
发明人：郑兆祯;陈长安 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体激光器及其制备方法，其方法包括：提供一热沉母板，并将热沉母板进行切割形成多个热沉基板，提供一外延片，将多个热沉基板阵列贴合在外延片上，形成多条平行于共振腔方向和垂直于共振腔方向的间隔缝，沿间隔缝对外延片进行分割，获得多个激光器芯片，将多个激光器芯片进行堆叠，并对堆叠的多个激光器芯片进行镀膜以形成多个半导体激光器。通过上述方式，本申请提供的半导体激光器及其制备方法中，利用热沉基板直接就替代了现有技术的支撑条，节省了材料，且减少了在支撑条上进行镀膜后再次分离后与热沉基板的焊接工艺，直接一步形成，简化了工艺且缩减了成本。
半导体激光器及其制备方法

[发明专利]荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置-CN201911175951.1有效
发明人：李乾;简帅;王艳刚 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本申请涉及荧光陶瓷技术领域，具体公开了一种荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置，该荧光陶瓷至少包括：基质；分布于基质内的发光中心、第一散射单元以及第二散射单元；第一散射单元的折射率大于发光中心的折射率；第二散射单元的折射率小于发光中心的折射率。通过上述方式，本申请能够提高荧光陶瓷对荧光的散射性能，从而提高了光源系统中的光效利用率。
荧光陶瓷及其制备方法发光装置以及投影

[发明专利]外延晶片以及半导体激光器-CN202310304148.3在审
发明人：陈长安;郑兆祯 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种外延晶片以及半导体激光器。该外延晶片包括：衬底；功能层，功能层位于衬底上；其中，功能层中的至少部分层体掺杂有Mg；发光层，发光层位于功能层中，功能层用于驱动发光层发光。通过上述方式，本发明能够提高应用本发明外延晶片的激光器的特征温度，进而提高其电光转换效率。
外延晶片以及半导体激光器

[发明专利]外延晶片以及半导体激光器-CN201910009078.2有效
发明人：陈长安;郑兆祯 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种外延晶片以及半导体激光器。该外延晶片包括：衬底；功能层，功能层位于衬底上；其中，功能层中的至少部分层体掺杂有Mg；发光层，发光层位于功能层中，功能层用于驱动发光层发光。通过上述方式，本发明能够提高应用本发明外延晶片的激光器的特征温度，进而提高其电光转换效率。
外延晶片以及半导体激光器

[发明专利]光源系统及照明装置-CN201910814234.2有效
发明人：李乾;陈雨叁;王艳刚 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： F21V9/32 文献下载
摘要：本发明提供一种光源系统，包括：第一激发光源，用于发射第一激发光；波长转换结构，包括用于接收第一激发光并将至少部分第一激发光转换成第一受激光后出射的波长转换材料层，波长转换材料层的与第一激发光的入射面相对的一面定义有透射区和被透射区包围的非透射区；及第二激发光源，设置于波长转换结构的远离第一激发光的入射面一侧，用于发射第二激发光，第二激发光从透射区入射至波长转换材料层，波长转换材料层将至少部分第二激发光转换为第二受激光后出射，并透射未被波长转换材料层吸收的部分第二激发光。本发明还提供一种照明装置。
光源系统照明装置

[发明专利]激光器芯片的制造方法及激光器芯片-CN201811537765.3有效
发明人：陈长安;郑兆祯 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2018-12-15 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明提供一种激光器芯片的制造方法，包括如下步骤：步骤S1，在外延层上形成第一电镀基底；步骤S2，在所述第一电镀基底上形成有机的图案层，所述图案层定义有镂空区域，使部分所述第一电镀基底从所述镂空区域相对于所述图案层裸露；步骤S3，在所述第一电镀基底上形成第一金属镀层，第一金属镀层完全覆盖所述图案层及未被所述图案层覆盖的第一电镀基底；步骤S4，去除所述图案层，以使得所述第一金属镀层与所述第一电镀基底之间形成中空的通道，所述通道具有贯穿所述第一金属镀层的至少一进口和至少一出口。该方法制成的激光器芯片在保证整体体积可控的基础上还有利于提升激光器芯片的散热效果。本发明还提供一种激光器芯片。
激光器芯片制造方法

[发明专利]激光器芯片的制备方法-CN201811537764.9有效
发明人：陈长安;郑兆祯 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2018-12-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种激光器芯片的制备方法，包括：提供一外延层，所述外延层包括一P面；在所述外延层的P面上形成一图案层，所述图案层包括一图案区以及除所述图案区之外的开口区；在所述开口区中形成一表面镀层；移除所述图案层，使所述表面镀层中形成与所述图案区对应的镀层图案，所述镀层图案包括多个图案线路；沿所述图案线路对所述外延层及所述表面镀层进行切割，从而得到多个激光器芯片；本发明实施例通过新型的图案层表面镀层设计，利用表面镀层中的镀层图案可直接对外延层进行劈裂分割，从而得到多个独立的激光器芯片，相较于现有的激光器芯片切割，简化了工艺流程，提高了生产效率，降低生产成本。
激光器芯片制备方法

[发明专利]一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法-CN202110970200.X在审
发明人：焦旺;郑兆祯;吴阳烽;丁新琪;艾佳瑞 -专利权人： 深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本申请提供一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法。该应力调整衬底包括至少一层调整膜，上述至少一层调整膜设置在砷化镓基板上，用于调整上述砷化镓基板的应力。通过上述方式，本申请可以改善半导体激光芯片的性能。
一种砷化镓基板应力调整衬底方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 59 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top