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[发明专利]一种顶发射有源OAM激光器阵列结构-CN202211209191.3有效
发明人：李惠;陈钊;赵世龙;梁衍杰;王东旭 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种顶发射有源OAM激光器阵列结构，包括一个衬底层301、N接触层302、N型反射镜304、两个N电极303、以及至少一个功能层311、P型反射镜308、P接触层309、P电极310、微尺寸螺旋相位板312；其中衬底层301、N接触层302、N型反射镜304、功能层311、P型反射镜308、P接触层309依次叠层设置；N接触层302与N电极303连接，P接触层309与P电极310连接；本发明通过设计环形螺旋相位板提高涡旋光质量，同时实现多个相位板在发光孔的放置，获取高质量的OAM叠加态螺旋光束，利用高速激光器阵列实现一系列的OAM螺旋光束输出。
一种发射有源 oam 激光器阵列结构

[发明专利]一种相干耦合PCSEL阵列芯片及制备方法-CN202311019098.0在审
发明人：王智勇;张敬昊;兰天 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种相干耦合PCSEL阵列芯片及制备方法，包括：设置在同一外延结构上的顶发射二维周期性PCSEL阵列芯片和片上光栅耦合层，片上光栅耦合层设置在相邻两PCSEL阵列芯片之间；顶发射二维周期性PCSEL阵列芯片的P型GaAs功能层刻蚀二维光子晶体，P型电极上刻蚀出射窗口；片上光栅耦合层的P型GaAs功能层刻蚀一维光栅，P型电极上未刻蚀出射窗口。本发明通过在片上光栅耦合层的P型GaAs区域刻蚀一维光栅，增强了PCSEL阵列芯片之间的相干耦合，建立了一种PCSEL芯片的复合阵列结构，解决了传统半导体芯片阵列高光束质量和高功率输出不能兼顾的问题，实现了PCSEL阵列芯片高亮度的相干光束输出。
一种相干耦合 pcsel 阵列芯片制备方法

[发明专利]VCSEL晶圆-CN202310816578.3在审
发明人：林珊珊;李念宜;刘赤宇 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL晶圆。所述VCSEL晶圆包括：晶圆主体和在晶圆级别上集成于所述晶圆主体的测试电路结构，所述晶圆主体包括焊盘和多个VCSEL芯片，其中，多个所述VCSEL芯片中至少部分VCSEL芯片为待测点，所述测试电路结构包括电连接于所述待测点与所述焊盘之间多条电连接线。这样，所述VCSEL晶圆无需进行切割、封装等工序即可进行测试，可降低测试难度和测试成本，还可以避免切割、封装等工序对测试结果的准确性的影响，且能够较大程度地缩短测试周期，较快地得到测试结果。进一步地，由于可以在切割之前得到测试结果并确定VCSEL芯片是否存在缺陷，如果存在缺陷则可提前筛选出去，省去切割、封装等工序。
vcsel 晶圆

[发明专利]一种多结级联光子晶体面发射激光器及其制备方法-CN202310854492.X在审
发明人：潘冠中;荀孟;孙昀 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本公开提供了一种多结级联光子晶体面发射激光器及其制备方法，其中，多结级联光子晶体面发射激光器，包括：衬底；依次设置在衬底一侧表面的多个叠层结构，相邻的两个叠层结构之间通过反向偏置的隧道结串联；其中，叠层结构中至少包括相邻的有源层和光子晶体层，以解决传统光子晶体面发射激光器的功率转换效率较低、功耗大，不利于实际应用问题。
一种级联光子晶体发射激光器及其制备方法

[发明专利]具有低寄生电感的LIDARVCSEL激光器模块-CN202211707724.0在审
发明人：法比安·芬克尔迪;卢卡斯·达根巴赫 -专利权人：艾尔默斯半导体欧洲股份公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明涉及用于针对LIDAR应用发射激光脉冲的具有VCSEL激光器阵列的光模块，其中，采用了特殊的结构和连接技术，因此寄生电感很低，从而实现了高开关速度。为此，VCSEL激光器阵列裸片VCSELA和电容器阵列CAP以堆叠裸片布置的方式安装在载体上。
具有寄生电感 lidarvcsel 激光器模块

[发明专利]用于飞行时间和接近度的测量的半导体装置和方法-CN201880073553.6有效
发明人：马丁·闵采尔 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：一种电磁辐射的发射器(12)，该发射器被配置用于提供不同宽度的照明场的运行模式，和光电检测器(11)，该光电检测器被配置用于通过检测由发射器发射并且被反射到光电检测器的电磁辐射来进行飞行时间和接近度的测量。发射器由驱动器(13)操作，该驱动器(13)被配置用于运行模式之间的交替。当照明场窄时执行飞行时间测量，并且当照明场宽时执行接近度或环境光测量。
用于飞行时间接近测量半导体装置方法

[发明专利]基于纳米线轴向异质结的VCSEL阵列及其制备方法-CN202310773740.8在审
发明人：贾志刚;曹玉莲;李钊;石铸;刘建国 -专利权人：山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开基于纳米线轴向异质结的VCSEL阵列及其制备方法，属于半导体光电子技术领域，包括依次设置的第一电极、绝缘掩埋层、掩模层、衬底和第二电极，所述绝缘掩埋层和掩模层中生长有纳米线，每一根纳米线竖直排列形成纳米线阵列，所述纳米线阵列中的每一根纳米线单独构成一个VCSEL结构。利用纳米圆盘的量子效应提高了特征温度；由于纳米线直径小于1μm，天然具有单横模发射的优点；纳米线能够在垂直于生长方向的两个维度释放应力，对应变具有更高的容忍度，能够实现更大范围的材料组分和波长调控；纳米线为外延生长的单晶结构，不存在侧壁损伤问题。
基于纳米线轴异质结 vcsel 阵列及其制备方法

[发明专利]一种VCSEL激光COB模组、激光器及封装方法-CN202310594977.X在审
发明人：屈军毅;秦胜妍;何绍勇 -专利权人：深圳市立洋光电子股份有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种VCSEL激光COB模组、激光器及封装方法；其中，VCSEL激光COB模组通过以金属基板为载体，再通过与透光挡板、保护围框形成密闭腔体，将多个VCSEL芯片设置在密闭腔体中，在接入外部电源后，多个VCSEL芯片发出的激光光线透过透光挡板向外传输，解决了相关技术中，VCSEL激光模组发光功率低、封装结构单一适用的应用场景少的技术问题；提供了一种激光功率满足用户需求，并对传统的VCSEL激光模组封装结构进行改进使得其适用更多应用场景的VCSEL激光COB模组。
一种 vcsel 激光 cob 模组激光器封装方法

[发明专利]用于高电流低脉冲宽度应用的VCSEL-CN202180078496.2在审
发明人：伦道夫·许勒尔;萨拉·罗思韦尔 -专利权人：维克萨股份有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本文公开的系统和方法包括竖直腔面发射激光器(VCSEL)设备，其包括阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的外延层中的一个或多个弯曲孔，一个或多个弯曲孔中的每一个具有孔边缘和一个或多个穿过弯曲孔的氧化桥，氧化桥允许电流在弯曲孔内流动，其中，当电流信号被施加到VCSEL时，阳极和阴极之间的电流沿着一个或多个弯曲孔的孔边缘分布。
用于电流脉冲宽度应用 vcsel

[发明专利]激光发射器阵列、激光发射器电路及3D传感设备-CN202310497901.5在审
发明人：郑晨;张鹏飞;易聪阳秦;饶志龙;韩晓明 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本申请涉及一种激光发射器阵列，包括：衬底和位于衬底上的接触层；形成在接触层上的若干矩形阵列分布的VCSEL单元，每个VCSEL单元包括自下而上依次设置的第一DBR层、有源区和第二DBR层，第二DBR层的顶部设有阳极和阴极；阴极与接触层之间沉积有金属结构；若干阳极通路，每一阳极通路连接对应的同排/列VCSEL单元的阳极；若干阴极通路，每一阴极通路连接对应的同列/排VCSEL单元的阴极。本申请公开的激光发射器阵列在同一个激光发射器芯片上实现TOF与结构光功能的复用，有效降低了芯片使用成本。
激光发射器阵列电路传感设备

[发明专利]一种面发射激光半导体列阵芯片及其制作方法-CN202310521241.X在审
发明人：张星 -专利权人：江苏长光时空光电技术有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明涉及激光半导体领域，尤其涉及一种面发射激光半导体列阵芯片及其制作方法。面发射激光半导体列阵芯片包括衬底组件、第一反射镜组件、有源区组件、阶梯组件和第二反射镜组件，所述第一反射镜组件设置在所述第衬底组件的上表面，所述有源区组件设置在第一反射镜组件的上表面，所述阶梯组件设置在所述有源区组件的上表面，所述阶梯组件的每级台阶上均设置有第二反射镜组件，台阶组件的每级台阶上设置有发光单元，所述发光单元嵌入第二反射镜组件中。本发明通过设计不同的列阵芯片的图形和波长组合，每一批次的列阵芯片均有自己独特的ID，采用本发明作为激光雷达的信号发射光源，可以有效解决不同雷达间的信号相互影响问题。
一种发射激光半导体列阵芯片及其制作方法

[实用新型]一种发光面阵-CN202320546619.7有效
发明人：彭义坤;陈玉光;倪茂森;吴真林 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光面阵，包括：呈阵列排布的若干个基本发光单元，任意的一个基本发光单元中，第二垂直腔面发射半导体发光芯片、第三垂直腔面发射半导体发光芯片和第四垂直腔面发射半导体发光芯片的中心点位于同一个圆上且在圆的周向上依次排布，第一垂直腔面发射半导体发光芯片的中心位于所述圆的圆心；第二垂直腔面发射半导体发光芯片的中心点至第一垂直腔面发射半导体发光芯片的中心点平行于列方向；所述第一垂直腔面发射半导体发光芯片、第二垂直腔面发射半导体发光芯片、第三垂直腔面发射半导体发光芯片和第四垂直腔面发射半导体发光芯片的中心点的连线围成平行四边形。所述发光面阵发光结构功率密度高、加热均匀、占据空间小。
一种光面

[发明专利]一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片-CN202310205481.9在审
发明人：李冲;刘云飞;李官政;于书伟;高昕元;刘芮汐 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片，阵列尺寸为1×2；其包括：相对称的第一激光发射单元和第二激光发射单元；第一激光发射单元和第二激光发射单元均包括自上至下依次设置的第一反射镜、氧化限制层、有源层、第二反射镜和衬底层；第一激光发射单元和第二激光发射单元的氧化限制层的中间设有水滴型通光孔，第一激光发射单元和第二激光发射单元的端面设有水滴型出光孔；两个水滴型通光孔和两个水滴型出光孔均对称排布且孔间距小于激射波长。本发明的两激光在第一反射镜和第二反射镜之间振荡传播，在通光孔内通过倏逝波形式垂直于氧化限制层向表面方向出射，两个激光发射单元发射的倏逝波在水滴尖端附近产生耦合，发出相干光。
一种窄线宽相干光 vcsel 阵列芯片

[实用新型]一种基于VCSEL激光二极管阵列的合束光学系统-CN202320677166.1有效
发明人：唐际勇;左秀梅 -专利权人：北京寅夏科技有限责任公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于VCSEL激光二极管阵列的合束光学系统，至少包括VCSEL激光二极管阵列，其特征在于：所述VCSEL激光二极管阵列的前方依次安装有双凸透镜和复眼透镜，其中双凸透镜与VCSEL激光二极管阵列之间的距离可调，且VCSEL激光二极管阵列的发光中心与双凸透镜、复眼透镜的中心处于同一条水平线上，通过双凸透镜和复眼透镜对VCSEL激光二极管阵列发射的激光进行合束。该合束光学系统通过多个VCSEL激光二极管形成的阵列增加发光功率，同时通过双凸透镜和复眼透镜实现激光光斑的合束，增加出光面的光学功率密度，且能够有效抑制边缘杂散光的产生。
一种基于 vcsel 激光二极管阵列光学系统

[发明专利]一种VCSEL阵列及发光器-CN202310339507.9在审
发明人：黄裕轩;翁玮呈;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种VCSEL阵列及发光器，VCSEL阵列包括传输线、焊盘和多个VCSEL；焊盘与传输线的端部电连接；每一VCSEL均与传输线电连接；VCSEL包括植入材料区欧姆金属层和第二电极；欧姆金属层与第二电极接触；第一VCSEL的植入材料区在衬底上的垂直投影的面积大于或等于第二VCSEL的植入材料区在衬底上的垂直投影的面积，以及第一VCSEL的欧姆金属层在衬底上的垂直投影的面积小于或等于第二VCSEL的欧姆金属层在衬底上的垂直投影的面积。本发明可以减小不同位置处的VCSEL之间的电压的差异，从而减小不同位置处的VCSEL的发光亮度差异，提高VCSEL阵列显示的均匀性。
一种 vcsel 阵列发光

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