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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种激光芯片及多波长激光器-CN202210161945.6在审
发明人： 吴阳烽;丁新琪;王菊;艾佳瑞;焦旺;郑兆祯 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光芯片及多波长激光器，该激光芯片包括上外延层、下外延层以及设置在上外延层与下外延层之间的量子阱层，量子阱层包括至少两个量子阱混合区域，至少两个量子阱混合区域的掺杂浓度呈梯度分布。本申请通过设置至少两个掺杂浓度不同的量子阱混合区域，以使激光芯片同时发出不同波长的激光，从而解决由于一颗单波长半导体激光芯片极易发生相干光干涉的缺陷。
一种激光芯片波长激光器

[发明专利]一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法-CN202110970200.X在审
发明人：焦旺;郑兆祯;吴阳烽;丁新琪;艾佳瑞 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本申请提供一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法。该应力调整衬底包括至少一层调整膜，上述至少一层调整膜设置在砷化镓基板上，用于调整上述砷化镓基板的应力。通过上述方式，本申请可以改善半导体激光芯片的性能。
一种砷化镓基板应力调整衬底方法

[发明专利]晶圆及其下片方法-CN202011027312.3在审
发明人：艾佳瑞;丁新琪;廖桂波;王菊;焦旺;吴阳烽;郑兆祯;涂庆明 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆及其下片方法，下片方法包括：提供一初始晶圆件，所述初始晶圆件包括治具及设置于治具上的第一厚度晶圆，治具和第一厚度晶圆之间设置有连接层；将胶带贴合于所述第一厚度晶圆和所述治具上；以第一预设温度进行加热或添加第一试剂，以使得连接层融化；将下料片从第一厚度晶圆的边缘嵌入到第一厚度晶圆和治具之间；以第二预设温度进行加热或添加第二试剂，使得胶带解胶后后移除胶带，以使得下料片可带动第一厚度晶圆从治具完成下片。通过上述方式，可以降低下片对第一厚度晶圆造成的损害，以提高良品率。
及其下片方法

[发明专利]一种提高半导体晶圆平边精准度的方法及激光器芯片-CN202010978814.8在审
发明人：艾佳瑞;丁新琪;郑兆祯;王菊;廖桂波;焦旺;吴阳烽 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高半导体晶圆平边精准度的方法及激光器芯片，该方法包括：对获取到的外延片进行解理，得到至少一个解理边；测量每个解理边与外延片上相应的光刻线之间的角度，得到偏转角度；多次执行上述步骤，得到多个偏转角度；利用多个偏转角度计算出补偿角度，按照补偿角度对其他外延片进行解理，以使得其他外延片对应的解理边与其他外延片对应的平边和/或光刻线平行。通过上述方式，本申请能够提升激光器芯片的良率。
一种提高半导体晶圆平边精准方法激光器芯片

[发明专利]一种检测芯片及检测系统-CN202010900245.5在审
发明人：郑兆祯;丁新琪;廖桂波;吴阳烽;焦旺;王菊;涂庆明 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种检测芯片，其特征在于，所述检测芯片嵌入半导体晶圆本体，用于进行光致发光测试，所述检测芯片包括：多个周期排布或随机排布的量子阱混杂区域和非量子阱混杂区域，其中所述量子阱混杂区域的粒子掺杂与所述半导体晶圆本体中包含的量子阱掺杂层的粒子掺杂相同。通过多个量子阱混杂区域接收激光光束以发生光致发光反应，多个所述量子阱混杂区域光致发光出射的光线之间发生干涉，使得所述检测芯片出射的波长谱线信号强度增强，利用常规的光谱仪即可测量出检测芯片的波长蓝移情况，快速实现半导体晶圆的抗COD特性判断。
一种检测芯片系统

[发明专利]一种半导体芯片的制作方法及激光器-CN202010441131.9在审
发明人：郑兆祯;吴阳烽;焦旺;王菊;廖桂波;丁新琪;涂庆明 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01S5/02257 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体芯片的制作方法以及激光器，该方法包括：提供一具有初步锌扩散的外延片；在外延片的至少部分表面沉积应变层，以使得半导体芯片的发射光谱发生蓝移，其中，至少部分表面包括窗口区；对外延片与应变层进行加热，以提高锌在窗口区的扩散；其中，在加热后应变层的薄膜应变大于加热前的薄膜应变。通过上述方式，本申请能够加速锌的扩散，提升生产效率，提高抗灾变性光学镜面损伤的能力。
一种半导体芯片制作方法激光器

[发明专利]一种漏光检测方法以及漏光检测装置-CN202010403995.1在审
发明人：王菊;丁新琪;艾佳瑞;吴阳烽;郑兆祯 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种漏光检测方法以及漏光检测装置，该方法应用于漏光检测设备，该方法包括：控制器发送第一控制信号至可编程电源，以使得可编程电源输出恒定的预设电流至待测样品，其中，恒定的预设电流小于待测样品的阈值电流，以使得待测样品在发光二极管模式下工作；控制器发送第二控制信号至信号检测设备，以使得信号检测设备获取待测样品的出光面与高反面的信号强度；控制器判断出光面的信号强度与高反面的信号强度之间的差值是否落在预设信号强度范围内；若差值落在预设信号强度范围内，则确定待测样品的高反面漏光。通过上述方式，本申请能够确定待测样品的高反面是否存在漏光问题，提高检测的速度。
一种漏光检测方法以及装置

[发明专利]激光芯片及其制备方法-CN202010172742.8在审
发明人：郑兆祯;丁新琪;吴阳烽;焦旺;廖桂波;王菊;涂庆明 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开一种激光芯片及其制备方法，该方法包括提供激光外延结构，激光外延结构包括有源层以及依次层叠于有源层上的包覆层和接触层；在接触层上覆盖第一掩膜层，并对第一掩膜层进行开窗以形成第一窗口区；经第一窗口区对接触层进行一次蚀刻，以形成与第一窗口区对应且外露包覆层的第二窗口区；经第一窗口区和第二窗口区对包覆层和有源层进行锌扩散；去除第一掩膜层；在接触层上覆盖第二掩膜层，并对第二掩膜层进行开窗以形成第三窗口区，其中第三窗口区在接触层的投影位于第二窗口区的外围；经第三窗口区对接触层进行二次蚀刻，以将第二窗口区扩大成与第三窗口区对应。通过上述方式，可以有效的提高灾变性光学镜面损伤阈值。
激光芯片及其制备方法

[实用新型]一种晶圆抛光装置-CN201922497434.8有效
发明人：艾佳瑞;廖桂波;丁新琪;焦旺;吴阳烽 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆抛光装置，该晶圆抛光装置包括支撑装置和夹持装置；支撑装置包括支撑基座以及设置于支撑基座上的抛光垫；夹持装置包括配重块、夹持基座及缓冲垫，配重块设置于夹持基座的一面，缓冲垫设置于夹持基座远离配重块的一面；其中，夹持装置用于将晶圆与抛光垫接触，配重块用于调整夹持装置的夹紧力，缓冲垫与晶圆的非抛光面粘接。通过上述方式，本申请能够通过配重块控制抛光的力度，降低对晶圆的伤害，提升产品的质量。
一种抛光装置

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