[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110591903.1 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113363327A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 詹益旺;赖惠先;童宇诚;刘安淇;林刚毅 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括衬底、栅极线和应力层。所述衬底具有从所述衬底突出的多个第一鳍片。所述栅极线设置在所述衬底上，跨过所述第一鳍片，以进一步包括栅极电极层和栅极电介质层，其中所述栅极电介质层设置在所述栅极电极层和所述第一鳍片之间。所述应力层仅设置在所述第一鳍片的侧表面上和所述衬底的最顶表面上，其中所述应力层的材料不同于所述第一鳍片的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省晋华集成电路有限公司，未经福建省晋华集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110591903.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
