[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

申请号：	202110372849.1	申请日：	2021-04-07
公开（公告）号：	CN113380621B	公开（公告）日：	2023-03-17
发明（设计）人：	陈宇;杨彦涛;李文博;蒋利云;朱新建	申请（专利权）人：	厦门士兰集科微电子有限公司
主分类号：	H01L21/31	分类号：	H01L21/31;H01L21/78
代理公司：	北京成创同维知识产权代理有限公司 11449	代理人：	蔡纯;李镇江
地址：	361012 福***	国省代码：	福建;35
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摘要：	公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；位于衬底上方的第一介质层，第一介质层中设置有第一类接触孔和第二类接触孔，第一类接触孔和第二类接触孔贯穿第一介质层；位于第一介质层上方的元胞区金属电极和终端区金属电极，元胞区金属电极填充第一类接触孔，终端区金属电极填充第二类接触孔；位于所述第一介质层上方的第二介质层，第二介质层填充元胞区金属电极和终端区金属电极间的间隙；位于第二介质层上方的钝化层，钝化层暴露出部分元胞区金属电极和部分第一介质层，部分钝化层或第二介质层位于终端区金属电极的外围。本发明实施例的半导体器件提高了半导体器件的可靠性。
搜索关键词：	半导体器件及其制造方法
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摘要：本公开的课题是提供一种能够切实地抑制真空泵后级的可燃性气体的燃烧的技术。该技术具备：处理室，其对基板进行处理；气体供给系统，其向处理室内供给原料气体；排气管，其与真空泵连接，并对处理室内进行排气；气体浓度测定器，其测定在真空泵前级的排气管内通过的原料气体的浓度；压力测定器，其测定真空泵后级的排气管内的压力；稀释气体供给系统，其向真空泵内或者真空泵前级的排气管内供给稀释气体；以及控制部，其构成为能够以将与所测定的原料气体的浓度和真空泵后级的排气管内的压力对应的流量的稀释气体向真空泵内或者真空泵前级的排气管内供给的方式控制稀释气体供给系统。

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申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/31
摘要：本发明具有通过将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成包含规定元素、氧及氮的膜的工序，所述循环包括：(a)向衬底供给包含规定元素的第1原料的工序；(b)向衬底供给分子结构与第1原料不同、且包含规定元素及氧的第2原料的工序；(c)向衬底供给氧化剂的工序；和(d)向衬底供给氮化剂的工序。

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摘要：即使排气系统转变为规定状态，也能够构建与所期望的处理条件接近的气体环境，从而抑制处理结果的特性恶化。提供一种技术，具有：第1气体供给管路，其对处理室内的衬底供给第1气体；第1排气管路，其将第1气体排出；第1阀，其设于第1排气管路；第2气体供给管路，其对处理室内的上述衬底供给第2气体；第2排气管路，其将第2气体排出；第2阀，其设于第2排气管路；和控制部，其在检测到第1排气管路转变为规定状态这一情况时，能够以进行将第1气体经由第2排气管路排出的第1管路变更处理的方式，控制第1阀及第2阀。

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-202180089164.4
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摘要：具有如下工序：(a)向收纳有基板的处理容器内供给成膜气体，在所述基板上形成膜；(b)向未收纳所述基板的所述处理容器内供给含氟气体，去除附着于所述处理容器内的包含所述膜的堆积物；(c)向未收纳所述基板的所述堆积物去除后的所述处理容器内供给预涂气体，在所述处理容器内形成预涂膜；以及(d)向收纳有基板的所述预涂膜形成后的所述处理容器内供给成膜气体，在所述基板上形成膜，在(c)中，与所述处理容器内的残留氟浓度的分布对应地调整所述预涂膜的膜厚分布。

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摘要：基板处理装置(100)具备：处理容器(20)，其在内部对基板进行处理；排气路(50)，其连接于处理容器(20)与排气装置(60)之间，在中途分支为第1排气管路(52)和第2排气管路(54)；第1阀(58A)，其设于第1排气管路(52)，能够连续地调整开度；第2阀(58B)，其设于第2排气管路(54)，能够连续地调整开度；和压力控制装置，其构成为能够以使压力检测部检测出的压力检测值接近为了对基板进行处理而针对每个时刻设定的处理容器内的压力设定值的方式，根据压力设定值选择第1阀及第2阀中的一方的阀，将第1阀(58A)及第2阀(58B)中的未被选择的另一方的阀的开度设定为固定状态，并且将被选择的一方的阀的开度维持为比零大的值而进行调整。

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摘要：抑制形成于基板的膜的面内均匀性的值发生偏差。具备：包含处理室的处理部；形成为包括具有凹部的底部和壁部，且储存液体原料的储存罐；将液体原料气化而生成原料气体的气化部；向处理室供给原料气体的供给部；探测储存于储存罐的液体原料的液面水平，并且具有配置于凹部的传感器元件的连续传感器；向储存罐补充液体原料的补充部；以及控制部，该控制部控制供给部，向处理室供给原料气体而进行处理基板的基板处理，并且每次进行预先决定的次数的基板处理时，基于连续传感器探测到的液体原料的液面水平，控制补充部，以储存于储存罐的液体原料的液面水平成为预先决定的水平的方式向储存罐补充液体原料。

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摘要：本发明提供包括绝缘层的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：衬底；绝缘层和栅电极的叠层结构，所述绝缘层和栅电极交替地并且重复地堆叠在所述衬底上；以及柱，所述柱穿过所述叠层结构。所述绝缘层包括下绝缘层、设置在所述下绝缘层上的中间绝缘层和设置在所述中间绝缘层上的上绝缘层。所述下绝缘层的硬度小于所述中间绝缘层的硬度，并且所述上绝缘层的硬度大于所述中间绝缘层的硬度。

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-201780086877.9
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摘要：本发明提供能够通过单张处理装置和立式处理装置进行连续处理的处理装置，提高整个处理装置的生产性。该处理装置具备：立式处理炉，其处理保持于基板保持件的N(5≤N≤50)张基板；搬送室，其配置于立式处理炉的下方，且将基板保持件搬送到立式处理炉；多个单张处理炉，其与搬送室相邻，每次处理M(1≤M＜10)张基板，且至少层叠配置有两层以上；以及移载室，其与搬送室及多个单张处理炉相邻，且设置有移载基板的移载机。

成膜方法以及等离子处理方法-202180009204.X
发明人：佐藤清彦 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/31
摘要：为了能形成用于图案的侧壁保护、膜质良好且蚀刻速率低并且侧壁的覆盖范围良好的膜，成膜方法具有：第1工序，在对真空处理室供给气体的同时生成等离子，通过该生成的等离子在被处理基板的表面形成膜；第2工序，在该第1工序后，通过等离子除去卤素元素；和第3工序，在该第2工序后，通过等离子使膜氧化或氮化。

半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置-202080107982.8
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申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/31
摘要：本发明提供一种能够提高膜特性的技术。具有(a)准备具有含有第一金属元素的膜和在含有第一金属元素的膜上形成的含有第十三族元素或第十四族元素的膜的基板的工序、(b)对上述基板供给含有第二金属元素的气体的工序和(c)对上述基板供给第一反应气体的工序，并且具有(d)通过进行(b)和(c)，将在含有上述第一金属元素的膜上形成的含有上述第十三族元素或上述第十四族元素的膜的至少一部分除去，并且对上述基板形成含有第二金属元素的膜的工序。

SiC半导体元件的制造方法及SiC金属氧化物半导体场效应晶体管-202180077343.6
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摘要：SiC半导体元件的制造方法包括：在富Si气氛下，在1000℃～1350℃的温度范围内用H2气体对SiC衬底(1)的表面进行蚀刻的步骤；利用化学气相沉积法在不使SiC衬底(1)氧化的温度下将SiO2膜(2)沉积在SiC衬底(1)上的步骤；以及在1150℃～1350℃的温度范围内，在NO气体气氛下对已沉积有SiO2膜(2)的SiC衬底(1)进行热处理的步骤。

半导体器件的制造方法、衬底装填方法及记录介质-201680083313.5
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申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/31
摘要：课题为提供一种在用分批炉对大表面积衬底进行处理的情况下，能够减轻每1张大表面积衬底的表面积及装填张数的影响，能够得到良好的衬底装填区域间的膜厚均匀性的技术。解决手段具有下述工序：对大表面积衬底进行分散装填的工序，其中，当在衬底的最大装填张数为X张(X≥3)的衬底支承件上装填Y张(Y＜X)大表面积衬底时，以大表面积衬底的最大连续装填张数成为Z张(Z＜Y)的方式，将大表面积衬底分散并装填于衬底支承件，并且以使得下述(a)、(b)、(c)的值各自变得小于Z＝Y时的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值的方式，对Z的值进行调节，其中，衬底支承件是具备具有多个插槽的衬底装填区域并且将多个衬底装填于插槽并进行支承的衬底支承件，大表面积衬底为在上表面上形成有相对于半径r而言上表面的表面积成为3πr2以上这样的图案的大表面积衬底，(a)在25≤X≤200的情况下，各插槽及各插槽的相邻10个插槽这总计11个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值，(b)在11≤X≤24的情况下，各插槽及各插槽的相邻4个插槽这总计5个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值，(c)在5≤X≤10的情况下，各插槽及各插槽的相邻2个插槽这总计3个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值；和将分散装填有大表面积衬底的衬底支承件收容在处理室中，对大表面积衬底进行处理的工序。

后段制造工艺的钝化层结构及其制造方法-202011356145.7
发明人：林宛瑶;陈旷举;杨炯仕 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/31
摘要：一种后段制造工艺的钝化层结构及其制造方法。所述钝化层结构包括具有多条导线结构的半导体芯片、第一氧化层、旋涂式玻璃层、第二氧化层以及氮化物层。这些导线结构之间具有大于1.5的深宽比。第一氧化层则共形地沉积于导线结构的表面与半导体芯片的表面。旋涂式玻璃层位于每两条导线结构之间的第一氧化层上，且旋涂式玻璃层具有U型截面与0.3～0.8的第二深宽比。第二氧化层共形地沉积于第一氧化层的表面与旋涂式玻璃层的表面，氮化物层则位于第二氧化层上。

薄膜的制造方法-202180077618.6
发明人：西田章浩;畑濑雅子;吉野智晴;大江佳毅;满井千瑛 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/31
摘要：本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有锆原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的锆化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在240℃以上450℃以下的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有锆原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基，但不包括R1和R2两者均为氢原子的锆化合物。)

保护板、衬底处理装置及半导体器件的制造方法-201880044181.4
发明人：西堂周平;吉田秀成;冈嶋优作 -专利权人：株式会社国际电气
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摘要：公开了一种抑制副产物向反应管的炉口部附着的保护板。该保护板设在将下端开放的圆筒状的反应管的开口气密地封堵的盖部上，构成为，具备：大致圆盘状的圆板部，其以至少下表面的一部分与上述盖部的上表面接触的方式设置；侧壁部，其从该圆板部的外周端垂直地延伸；环状的槽，其形成于上述下表面；和层差部，其形成于上述下表面的比上述槽靠外周侧的位置，且在与上述盖部的上表面之间产生规定间隙，从形成于上述盖部的气体供给口供给到上述槽的气体从上述盖部与上述层差部之间通过而向上述侧壁部的整个外侧供给。

氧化膜形成装置-201980078450.3
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申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/31
摘要：提供了一种氧化膜形成装置(1)，它包括炉壳体(6a)和炉盖(6b)，上面要形成膜的工件(8)布置在该炉壳体中。混合气体扩散部件(6c)经由屏蔽板(12)布置在炉盖(6b)的内侧。混合气体缓冲空间(21)形成在混合气体扩散部件(6c)中。喷头板(13)形成在混合气体扩散部件(6c)上。臭氧气体缓冲空间(17)形成在炉盖(6b)中并且臭氧气体缓冲空间(17)具有气流扩散板(20)。喷头板(13)中形成有臭氧气体流过的孔(13a)和混合气体流过的孔(13b)。孔(13a、13b)布置成矩形网格图案。在相邻孔13a之间(以及在相邻孔13b之间)的距离为1‑100mm并且孔(13a、13b)的孔径为0.1‑10mm。

暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及多重外周刃刀片-201780036879.7
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申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/31
摘要：本发明提供一种暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及该方法中使用的多重外周刃刀片，该暴露面积增大石英玻璃构件与表面平坦的石英玻璃构件相比相对于成膜处理气体的暴露面积增大，并且增大暴露面积被控制为向表面的吸附量恒定。该暴露面积增大石英玻璃构件为在半导体基板的成膜处理中与被成膜处理的所述半导体基板一起载置于反应室内并暴露于成膜处理气体的成膜处理气体暴露用的石英玻璃构件，具有石英玻璃构件主体、在所述石英玻璃构件主体的表面形成的多个凹凸部，该暴露面积增大石英玻璃构件的相对于成膜处理气体的暴露面积被控制而增大。

一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法-202310300874.8
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申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/31
摘要：本发明公开了一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法，包括热氧第一次生长、先减薄后CMP抛光，热氧第二次生长、湿法刻蚀、减薄、激光退火，热氧第三次生长、减薄，热氧第四次生长、湿法刻蚀、减薄和激光退火。本发明将采用4种不同类型二氧化硅进行多次热氧生长，并采用热氧生长、湿法刻蚀、CMP抛光以及激光退火等相结合方式消除晶圆在热氧生长中的内应力，在保证热氧生长厚度的同时采用湿法刻蚀、CMP抛光以及激光退火方式等消除晶圆内应力。本发明防止内应力聚集出现的晶圆翘曲进而避免晶圆在键合时产生空洞现象，对后续的进一步减薄制程产生影响；这样保证后续的减薄等制程的稳定性，提升生产制造良率。

簇射头及真空处理装置-201780020497.5
发明人：神保洋介;山本良明;茶谷宏纪;西方靖;菊池亨 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/31
摘要：本发明实现等离子体密度的面内偏差的均匀化。本发明的一方式的簇射头具有头主体和簇射板。上述头主体具有内部空间。上述簇射板具有与上述内部空间连通的多个气体喷射口、从上述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、配置在上述气体喷射面的多个孔部。在上述簇射板中的构成方式为，上述多个孔部的表面积从上述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大。

基板配置数据的显示方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置和程序-202180063598.7
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申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/31
摘要：基板配置数据的显示方法具有：设定工序，分别设定决定向基板保持件装填的预定的至少基板的配置的移载参数和收纳向所述基板保持件装填的预定的所述基板的载体信息；制作工序，根据该设定的所述移载参数、所述载体信息，制作在使所述基板向所述基板保持件装填的情况下的基板配置数据；显示工序，在显示所述基板配置数据时，至少显示表示所述基板被装填于所述基板保持件的状态下的所述基板的配置的数据。

金属氧化物膜、半导体装置以及其制造方法-202180054530.2
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摘要：提供一种具有优异铁电性的材料。金属氧化物膜包括第一层以及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧彼此键合，第二氧与锆键合。

基板处理装置、温度控制程序、半导体器件的制造方法以及温度控制方法-202080105438.X
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摘要：构成为具有冷却控制部，该冷却控制部分别获取加热部的温度、以及处理室的温度中的至少某一个温度、冷却阀的开度、排气扇的信息，以使按照预测模型算出的预测温度列与利用在从当前的目标温度变化至最终目标温度时的变化的比率算出的目标温度列之间的误差成为最小的方式对冷却阀的开度进行调节。

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申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/31
摘要：本发明提供下述技术，其具有：(a)通过在不含氧的气氛下向处理室内的衬底供给含有第1元素的气体，从而在衬底上形成含有第1元素的膜的工序；和(b)通过向衬底供给含氧气体，从而使含有第1元素的膜氧化而形成氧化膜的工序，在(b)中，根据含有第1元素的膜的厚度来选择不同的衬底温度。

基板处理装置、等离子体发光装置、半导体装置的制造方法以及程序-202080104569.6
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摘要：提供一种技术，该技术具有：处理室，其对基板进行处理；以及等离子体生成部，其具有供给第一气体的第一气体供给管、被施加高频电力的施加电极、通过接地而被赋予基准电位的基准电极以及使所述第一气体光激发的发光管。

原子层生长装置及原子层生长方法-201780035099.0
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摘要：一种原子层生长装置，具有：成膜容器(11)，其进行成膜处理；载物台(14)，其保持基板(100)并可上下移动；基座(50)，其被保持在载物台(14)上，并且保持基板(100)；载物台停止器(17)，其使载物台(14)的上升停止，并且通过与基座(50)的接触而划分出进行上述成膜处理的成膜空间(S)与进行上述基板(100)的搬送的搬送空间。而且，基座50具有：上部基座基板保持部(52B)，其保持基板(100)；上部基座周边部(52A)，其配置在上部基座基板保持部(52B)的周围；在上部基座周边部(52A)上设置有基座防附着材料(15)。

金属氧化物的制造方法-202180057428.8
发明人：山崎舜平;惠木勇司;神保安弘;樱田勇二郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/31
摘要：提供一种膜厚度均匀性良好的金属氧化物。本发明的一个方式是一种在SIMS分析中氢浓度得到降低的金属氧化物的制造方法，包括：导入前驱物及载体吹扫气体的第一工序；停止导入前驱物并排出前驱物的第二工序；导入氧化性气体的第三工序；停止导入氧化性气体并排出氧化性气体的第四工序。第一工序至第四工序都在210℃以上且300℃以下的温度范围内进行。

半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序-202080104258.X
发明人：花岛建夫;石桥清久 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/31
摘要：本发明具有通过将非同时地进行(a)向在表面设有凹部的衬底供给原料气体的工序、和(b)向衬底供给反应气体的工序的循环执行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序，在(a)中，分多次向衬底供给原料气体，将最初供给原料气体时的处理条件设为与在第2次以后供给原料气体时的处理条件相比能够抑制原料气体的自分解的处理条件。

基板处理装置、温度测定单元及半导体器件的制造方法-201780015489.1
发明人：油谷幸则;桧山真 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/31
摘要：提供一种无论基板的成膜状态如何均能够简便地提高基板的温度测定精度的技术。提供一种基板处理装置，具备：基板载置部，其具有载置面且在该载置面上载置基板；加热部，其对载置于载置面的基板进行加热；和能够弹性的温度传感器，其顶端构成温度检测部，温度传感器从载置面之下延伸至载置面之上，顶端从载置面突出。另外，提供一种半导体器件的制造方法，具备：将基板载置于基板载置部的载置面并使突出到载置面上的温度传感器的顶端与基板背面接触、以顶端与载置面相比被下压到下方的方式使温度传感器弹性变形的工序；对基板进行加热的工序；和使用温度传感器对基板的温度进行测定的工序。

基板处理装置、基板处理方法及程序-202080104516.4
发明人：三部诚;平野敦士;阿部贤卓 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/31
摘要：基板处理装置具有：筒状的外管，其上端被封堵且下端开口；内管，其设在外管的内部，形成为上端被封堵且下端开口的筒状，能够在内部对基板进行处理；形成为筒状的歧管，其与外管的下端和内管的下端连接，且与内管的处理室连通，具备相对于内管与外管之间的环状空间隔离的排气空间；处理气体喷管，其向内管的内部供给进行基板处理的处理气体；吹扫气体喷管，其向环状空间供给吹扫气体；以及流导可变部，其设在环状空间与排气空间之间，使气体能够从环状空间与排气空间之间通过。

半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序-202080103195.6
发明人：立野秀人;冈岛优作;今井义则;八田启希 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/31
摘要：为了改善在基板上的形成图案形成的膜的台阶覆盖而执行以下工序：将基板保持件收纳于处理室的工序，该基板保持件具有支撑基板的基板支撑件和支撑上部分隔板的分隔板支撑件，该上部分隔板配置于被该基板支撑件支撑的基板的上部；使基板与上部分隔板的距离成为第一间隔，并从气体供给口向基板供给第一气体的第一气体供给工序；以及使基板与上部分隔板的距离成为第二间隔，并从气体供给口向基板供给第二气体的第二气体供给工序。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

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