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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板支承件-CN202310247462.2在审
发明人： 寿崎健一;池田优真 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板支承件，在使用蚀刻气体除去堆积物时，提高堆积物的除去效率，减少由堆积物的残渣引起的颗粒等的产生。基板处理装置具备：基板支承柱，其支承基板；隔热部，其设置在基板支承柱的基板支承区域的下方；以及处理容器，其收纳基板支承柱和隔热部，隔热部具有：筒状的侧壁部，其与处理容器的内壁对置；以及上端部，其面向基板支承区域而封闭侧壁部的上端，上端部中的与基板支承区域对置的面的至少一部分由上表面部构成，该上表面部由热导率比形成侧壁部的上端和基板支承柱的第二材料大的第一材料形成。
处理装置半导体制造方法以及支承

[发明专利]基板处理装置、液体原料补充系统、半导体装置的制造方法、存储介质-CN201780036974.7有效
发明人：矶边纪之;寿崎健一;葛西健;河原喜隆;岛田真一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：抑制形成于基板的膜的面内均匀性的值发生偏差。具备：包含处理室的处理部；形成为包括具有凹部的底部和壁部，且储存液体原料的储存罐；将液体原料气化而生成原料气体的气化部；向处理室供给原料气体的供给部；探测储存于储存罐的液体原料的液面水平，并且具有配置于凹部的传感器元件的连续传感器；向储存罐补充液体原料的补充部；以及控制部，该控制部控制供给部，向处理室供给原料气体而进行处理基板的基板处理，并且每次进行预先决定的次数的基板处理时，基于连续传感器探测到的液体原料的液面水平，控制补充部，以储存于储存罐的液体原料的液面水平成为预先决定的水平的方式向储存罐补充液体原料。
处理装置液体原料补充系统半导体制造方法存储介质

[发明专利]基板处理装置、液体原料补充系统、半导体装置的制造方法及程序-CN202080107745.1在审
发明人： 寿崎健一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：提供一种技术，具有：气化容器，其使液体原料在内部气化；液体原料补充管线，其一端与气化容器连接，另一端与液体原料的供给源连接；第一阀，其设置于液体原料补充管线；第二阀，其设置于液体原料补充管线的比第一阀靠上游侧的位置；液体原料贮存部，其形成于第一阀与所述第二阀之间；以及控制部，其控制第一阀和第二阀的开闭，以便通过在关闭了第一阀的状态下开放第二阀而向液体原料贮存部填充了液体原料之后，关闭第二阀而开放第一阀而将填充于液体原料贮存部的液体原料向气化容器内排出的填充排出处理，来向气化容器内供给液体原料。
处理装置液体原料补充系统半导体制造方法程序

[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202211565850.7在审
发明人：池田优真;野野村一树;寿崎健一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明能够在短时间内且抑制对处理室内的构件的损伤的情况下减少进行了清洁处理后的处理室内残留的卤元素的量。其具有：(a)对在被加热至第1温度的状态下被供给了包含卤元素的清洁气体后的处理室内一边进行真空排气，一边从第1温度降低至第2温度的工序，该第2温度是在处理室内进行衬底处理的温度以下的温度；和(b)在(a)之后，一边对处理室内进行真空排气，一边向处理室内供给含有水蒸气的气体，使处理室内残留的卤元素与水蒸气反应的工序。
清洁方法半导体器件制造衬底处理装置记录介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、清洁方法、基板处理装置和记录介质-CN201880017674.9有效
发明人：李根;山崎裕久;野野村一树;寿崎健一;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种清洁技术，能够将由含氟气体难以蚀刻的高介电常数氧化膜等膜高效地除去。解决手段是进行以下工序来将所述高介电常数氧化膜除去：(a)以第一压力向附着了高介电常数氧化膜的处理室供给氯系气体的工序，(b)从所述处理室排气的工序，(c)向所述处理室供给含氧气体的工序，(d)从所述处理室排气的工序，(e)以比所述第一压力低的第二压力向所述处理室供给所述氯系气体的工序，(f)从所述处理室排气的工序，和(g)向所述处理室供给还原气体来进行后处理的工序。
半导体装置制造方法清洁处理记录介质

[发明专利]基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202210935921.1在审
发明人： 寿崎健一;池田优真 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够防止清洁气体与含有金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀及变质的产生。该基板处理装置具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向反应容器内供给清洁气体；盖，其构成为能够封闭反应容器的开口，且由金属材料构成；保护部件，其设置于盖的面向反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成；内部空间，其形成于盖和保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在开口被盖封闭的状态下，向内部空间供给惰性气体。
处理装置清洁方法半导体制造以及存储介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质-CN202210873723.7在审
发明人：永富佳将;山崎裕久;寿崎健一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。其课题在于提高形成于衬底上的膜的质量。所述半导体器件的制造方法具有通过将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成包含第1元素及氧的膜的工序，所述循环包括：(a)向衬底供给改性剂，在衬底上形成包含物理吸附于衬底的表面的改性剂的吸附层的工序；(b)向衬底供给包含第1元素的原料，使原料与衬底的表面反应，在衬底上形成包含第1元素的第1层的工序；和(c)向衬底供给氧化剂，使氧化剂与第1层反应，将第1层改性为包含第1元素及氧的第2层的工序，其中，通过吸附层来抑制第1层的形成时产生的副产物吸附于第1层及衬底的表面中的至少任一者。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理装置、排气装置、半导体装置的制造方法和程序-CN202180010068.6在审
发明人：山崎裕久;寿崎健一;永冨佳将 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有处理基板的处理室、向处理室内供给含金属气体的第一气体供给部、从处理室供给第一含氧气体的第二气体供给部和将含有含金属气体成分的排气气体从处理室内排气的排气部，排气部具有气体排气管、对处理室内进行排气的泵、对泵进行辅助的辅助泵以及设置在泵与辅助泵之间的用于通过等离子体来捕集含金属气体成分的捕获部。
处理装置排气装置半导体制造方法程序

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质-CN202111096352.8在审
发明人：野野村一树;寿崎健一;永富佳将 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。对在表面形成有图案的衬底上形成的膜的面内膜厚分布进行控制。通过将下述(a)和(b)非同时地执行规定次数从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：(a)针对在表面形成有图案的衬底，通过从衬底的外周向衬底的面内供给包含规定元素的原料气体，从而在表面形成包含规定元素的第1层的工序；(b)针对衬底，通过从衬底的外周向衬底的面内供给氧化气体，从而将第1层氧化，在表面形成包含规定元素的氧化层的工序，在(b)中，选择向衬底供给氧化气体的供给时间，以使氧化膜在衬底面内的厚度分布成为规定分布。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]气化装置、衬底处理装置、清洁方法及半导体器件的制造方法-CN202110294265.7在审
发明人：李根;山崎裕久;寿崎健一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及气化装置、衬底处理装置、清洁方法及半导体器件的制造方法。提供能够使气化气体的供给流量稳定化的技术。气化装置具有：液体容器，其贮存液体原料；第1加热部，其浸渍在贮存于液体容器的液体原料中，对液体原料进行加热；第2加热部，其对液体容器进行加热；第1温度传感器，其浸渍在贮存于液体容器的液体原料内，对液体原料的温度进行测定；第2温度传感器，其对液体容器的温度进行测定；以及控制部，其构成为能够基于由第1温度传感器测定的液体原料的温度对第1加热部进行控制，并基于由第2温度传感器测定的温度对第2加热部进行控制。
气化装置衬底处理清洁方法半导体器件制造

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序-CN202080016017.X在审
发明人：李根;山崎裕久;寿崎健一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供提高在基板上形成的金属氧化膜的膜厚均匀性的技术。提供一种技术，包括：(a)对于处理室内的基板供给含金属气体的工序，和(b)对于处理室内的基板，将含氧气体的流速设为7.0m/s以上8.5m/s以下、含氧气体的分压设为9.0Pa以上12.0Pa以下来供给含氧气体的工序。
半导体装置制造方法处理程序

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序-CN201980057965.5在审
发明人：竹林雄二;寿崎健一;矶边纪之;中川隆一;平野敦士 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有：对收纳在处理室内的基板供给原料气体的第一气体供给工序；以及对基板供给反应气体的第二气体供给工序，交替地进行第一气体供给工序和第二气体供给工序而在基板上形成膜，在第二气体供给工序中，从供给反应气体的反应气体供给系统对基板供给反应气体，并且以反应气体容易到达基板的中心部的方式，从与反应气体供给系统不同的供给系统对基板供给惰性气体。
半导体装置制造方法处理程序

[发明专利]清扫方法、半导体装置的制造方法、程序和基板处理装置-CN201980057139.0在审
发明人：李根;山崎裕久;寿崎健一;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供能够将难以被含氟气体蚀刻的氧化膜等膜有效率地除去的清扫技术。将(a)向附着有氧化膜的处理容器内在第一压力下供给含氯气体的工序、(b)对处理容器内进行排气的工序、(c)向处理容器内供给含氧气体的工序、(d)对处理容器内进行排气的工序，(e)向处理容器内在比第一压力低的第二压力下供给含氯气体的工序、(f)对处理容器内进行排气的工序、(g)向处理容器内供给含氧气体的工序和(h)对处理容器内进行排气的工序分别进行1次以上，并且使得(c)中的含氧气体的供给量与(g)中的含氧气体的供给量不同，将在容器内附着的氧化膜除去。
清扫方法半导体装置制造程序处理

[发明专利]气化装置、衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202010964913.0在审
发明人：山崎裕久;中川隆一;寿崎健一;江尻靖则 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及气化装置、衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质。气化装置具有：原料容器，其贮存液体原料；第1加热部，其浸渍于所述液体原料中、对液体原料进行加热；第2加热部，其对原料容器进行加热；第1温度传感器，其浸渍于所述液体原料中、对液体原料的温度进行测定；第2温度传感器，其浸渍于液体原料中、对液体原料的温度进行测定；和控制部，其构成为基于由第1温度传感器测定的温度对第1加热部进行控制，并且基于由第2温度传感器测定的温度对第2加热部进行控制。
气化装置衬底处理清洁方法半导体器件制造记录介质

[发明专利]基板处理装置、基板支撑件以及半导体装置的制造方法-CN202010763399.4在审
发明人： 寿崎健一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、基板支撑件以及半导体装置的制造方法。本发明在提高在基板上形成的膜的厚度均匀性的同时，能抑制对基板和在基板上形成的膜的金属污染。本发明提供一种基板处理装置，具备：基板支撑件，该基板支撑件具有由金属构成的支柱和设置于支柱且多段支撑多个基板的多个支撑部，容纳基板支撑件支撑的多个基板的处理室和对容纳在处理室内的多个基板进行加热的加热部，多个支撑部的至少与多个基板接触的接触部由金属氧化物或非金属物的至少任一种构成。
处理装置支撑以及半导体制造方法

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