[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202110339102.6 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN114078532A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 李熙烈 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/16 分类号: G11C16/16;G11C16/30;G11C16/08;G11C16/24
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括预充电块、选择块、外围电路和控制逻辑。预充电块连接至位线并且包括处于擦除状态的存储器单元。选择块与预充电块共享位线,并且包括处于编程状态的存储器单元。外围电路对选择块执行擦除操作。控制逻辑控制外围电路以在向共同连接至预充电块和选择块的源极线施加擦除电压时,接通连接至预充电块的第一电路,并且向连接至第一电路的全局线施加第一电压。预充电块的存储器单元通过从全局线施加的第一电压导通,并且施加到源极线的擦除电压通过预充电块传送到多条位线。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 及其 操作方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110339102.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 存储器系统及其操作方法-201910909149.4
  • 金辰杓 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-09-25 - 2023-10-27 - G11C16/16
  • 本发明涉及一种存储器系统,该存储器系统包括:存储器装置,存储擦除计数列表,该擦除计数列表记录多个存储块中的每个的第一擦除计数;以及控制器,对每个存储块的第一擦除计数进行计数,更新擦除计数列表以反映第一擦除计数,从存储块中选择牺牲块,检查与每个牺牲块对应的第二擦除计数,更新牺牲块擦除计数列表以反映第二擦除计数,比较与牺牲块之中的目标牺牲块对应的第一擦除计数和第二擦除计数,并且当第一擦除计数等于第二擦除计数时将存储在目标牺牲块中的数据移动到正常块。
  • 存储设备、存储器控制器和实现平衡块损耗均衡的方法-201911223686.X
  • N·杨;S·莎玛;R·塞加尔;P·瑞斯威格 - 西部数据技术公司
  • 2019-12-04 - 2023-10-24 - G11C16/16
  • 本发明涉及存储设备、存储器控制器和实现平衡块损耗均衡的方法。在一个实施方案中,存在一种用于对单级单元(SLC)块和非单级单元(nSLC)块执行操作的存储器控制器,所述存储器控制器被配置为执行以下操作:接收对SLC块池和nSLC块池中的一者的相应块池执行损耗均衡操作的第一请求;确定相应块池中的一个或多个块是否满足块池转换标准;响应于确定相应块池中的一个或多个块满足块池转换标准,将相应块池中的一个或多个块重新分类为SLC块池和nSLC块池二者中的另一者;以及响应于确定相应块池中的一个或多个块不满足块池转换标准,避免将相应块池中的一个或多个块重新分类为SLC块池和nSLC块池二者中的另一者。
  • 存储器装置及其操作方法-202310000989.5
  • 朴澈重 - 爱思开海力士有限公司
  • 2023-01-03 - 2023-09-19 - G11C16/16
  • 本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括:目标存储块;以及外围电路,其被配置为在擦除电压朝向目标电平上升时使联接到目标存储块的局部字线浮置,在擦除电压达到目标电平之后向局部字线施加第一电压,并且在施加第一电压之后向局部字线施加一个或更多个组电压。
  • 一种存储器的控制方法、控制装置和存储介质-202180008043.2
  • 王均保;贾建权 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-11-09 - 2023-09-05 - G11C16/16
  • 本公开实施例公开了一种存储器的控制方法、控制装置和存储介质,存储块中的每个存储串包括顶部具有N型掺杂区的沟道层。在一个存储块中,对选定位线施加位线擦除电压并对未选定位线施加禁止擦除电压,同时对顶部选择栅极施加低于所述位线擦除电压的顶部选择栅极电压,当向所述选定位线和未选定位线对应的存储串所连接的相应字线,施加低于所述位线擦除电压的字线擦除电压时,可以对所述选定位线对应的所述存储串进行擦除操作。
  • 存储器装置和存储器装置的操作方法-201910552946.1
  • 韩龙;李俊赫 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-06-25 - 2023-09-01 - G11C16/16
  • 公开了一种存储器装置和存储器装置的操作方法。该存储器装置包括存储器单元阵列,该存储器单元阵列包括多个存储块。该存储器装置还包括外围电路,该外围电路用于对所述多个存储块当中的所选存储块执行擦除电压施加操作、第一擦除验证操作和第二擦除验证操作。该存储器装置还包括控制逻辑,该控制逻辑用于基于第一擦除验证操作的结果来设定擦除操作的起始擦除电压,并且当确定对所选存储块的第一擦除验证操作已通过时控制外围电路执行第二擦除验证操作。
  • 用于三维NAND闪存中的擦除和复位的方法-202310649370.7
  • 汤强;王礼维 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-12-04 - 2023-08-29 - G11C16/16
  • 提出了用于擦除三维(3D)存储器件的存储数据的方法。3D存储器件包括多个存储块,每个存储块具有多个存储串,所述多个存储串具有垂直地堆叠的存储单元。每个存储单元可通过字线和位线来寻址。可以通过在阵列公共源上施加擦除电压并在选定的存储块的字线上施加第一电压来擦除选定的存储块中的存储数据。在擦除操作期间,未选定的存储块的字线是浮动的,即没有外部偏置。在擦除操作之后,在整个存储器平面的字线上施加第二电压来复位存储单元以改进数据保持。
  • 一种固态硬盘擦写控制方法、装置、电子设备和存储介质-202310583822.6
  • 孙瑞琪;秦文政;郑善龙 - 苏州浪潮智能科技有限公司
  • 2023-05-23 - 2023-08-15 - G11C16/16
  • 本发明实施例提供了一种固态硬盘擦写控制方法、装置、电子设备和存储介质,涉及计算机系统及存储技术领域;包括在检测到针对固态硬盘中开放式闪存块的控制操作触发挂起机制时,获取所述固态硬盘的擦写次数和所述开放式闪存块的挂起次数;依据所述固态硬盘的擦写次数,和/或,所述开放式闪存块的挂起次数,确定所述挂起机制的执行模式;依据所述执行模式设置所述固态硬盘的挂起机制,通过设置后的挂起机制进行擦写控制。通过本发明实施例可以提升了高磨损下未一次写满的开放式闪存块的可靠性,降低坏数据块的新增速率,延长固态硬盘使用寿命。
  • 一种减少闪存擦除时长的方法-202310625378.X
  • 马亮 - 合肥博雅半导体有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-08-11 - G11C16/16
  • 本发明涉及闪存擦除方法。其方法包括:对需要擦除的选中区块进行预编程操作,以使选中区块中的所有存储单元的擦除起点一致,对选中的存储区块进行整体擦除操作,以使存储单元的阈值电压均低于擦除阈值电压,对过擦除的所有存储单元进行过擦除纠正操作,以使所有存储单元的阈值电压均大于零,其中,选中区块的栅极电压依次设置为第一电压值、第二电压值和第三电压值,第一电压值、第二电压值和第三电压值依次等差递增并且相邻两个电压值之间的脉冲宽度均相同,选中区块的漏极电压设置为第四电压值,选中区块的擦除电压由第五电压值阶跃增加至第六电压值。本发明可提高闪存擦除精度同时减少闪存擦除时长。
  • 用于三维NAND闪存中的擦除和复位的方法-202080003886.9
  • 汤强;王礼维 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-12-04 - 2023-07-21 - G11C16/16
  • 提出了用于擦除三维(3D)存储器件的存储数据的方法。3D存储器件包括多个存储块,每个存储块具有多个存储串,所述多个存储串具有垂直地堆叠的存储单元。每个存储单元可通过字线和位线来寻址。可以通过在阵列公共源上施加擦除电压并在选定的存储块的字线上施加第一电压来擦除选定的存储块中的存储数据。在擦除操作期间,未选定的存储块的字线是浮动的,即没有外部偏置。在擦除操作之后,在整个存储器平面的字线上施加第二电压来复位存储单元以改进数据保持。
  • 三维存储器装置-202210063035.4
  • 叶腾豪;吕函庭;徐子轩 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2022-01-19 - 2023-07-11 - G11C16/16
  • 本发明提供一种三维存储器装置,如三维与门快闪存储器(3D AND Flash memory)装置,包括第一页缓冲器、第二页缓冲器、感测放大器、第一路径选择器以及第二路径选择器。第一页缓冲器以及第二页缓冲器分别用以暂存第一写入数据以及第二写入数据。第一路径选择器依据第一控制信号以使感测放大器或第一页缓冲器耦接至第一共用位线。第二路径选择器依据第二控制信号以使感测放大器或第二页缓冲器耦接至第二共用位线。
  • 存储装置-202211626979.4
  • 李庚德;沈荣燮;罗钟声 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-16 - 2023-07-07 - G11C16/16
  • 一种存储装置包括:存储器件,所述存储器件包括多个超级块,其中,每个超级块包括多个非易失性存储器的组中所包括的存储块;以及控制器,所述控制器用于控制所述存储器件,其中,所述控制器进行控制使得所述多个超级块当中的第一超级块被擦除以对从主机接收到的数据进行编程,进行控制以使得所述数据被编程在所述第一超级块中,进行控制使得所述第一超级块被选择为用于垃圾收集操作的受害超级块,并且进行控制使得在数据持续时间大于阈值时所述存储器件被执行介质扫描操作,其中,所述数据持续时间是第一时间点与第二时间点之间的间隔,在所述第一时间点所述第一超级块被擦除,在所述第二时间点所述第一超级块被选择为所述受害超级块。
  • 组读取刷新-201811226821.1
  • P·D·罗斯威戈;G·沙阿;N·N·杨 - 闪迪技术有限公司
  • 2018-10-22 - 2023-06-30 - G11C16/16
  • 本发明题为“组读取刷新”。本发明公开了用于执行组读取刷新的装置、系统、方法和计算机程序产品。装置包括多个存储器组。装置包括操作电路,该操作电路对多个存储器组中所选择的存储器组执行操作。装置包括修正电路,该修正电路响应于对所选择的存储器组的操作而对多个存储器组的未经选择的存储器组执行对策操作。
  • 存储器子系统中的存储器单元的多阶段擦除操作-202211667045.5
  • 卢景煌;Y·董;S·K·瑞特南;T·O·伊瓦萨基 - 美光科技公司
  • 2022-12-22 - 2023-06-27 - G11C16/16
  • 本公开涉及存储器子系统中的存储器单元的多阶段擦除操作。存储器装置中的控制逻辑执行编程操作以将一组存储器单元中的存储器单元编程到编程电平。执行第一擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第一阈值电压电平,所述第一擦除子操作包含将具有第一擦除电压电平的第一擦除脉冲施加到所述存储器单元。执行第二擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第二阈值电压电平,所述第二擦除子操作包含将具有第二擦除电压电平的第二擦除脉冲施加到所述存储器单元,其中所述第一擦除脉冲的所述第一擦除电压电平低于所述第二擦除脉冲的所述第二擦除电压电平。
  • 一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法-202211087583.7
  • 张勇鹏;杨华炜;林仁杰 - 福建福大北斗通信科技有限公司
  • 2022-09-07 - 2023-06-23 - G11C16/16
  • 本发明属于读写方法技术领域,特别涉及一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法,所述读写方法包括有将需要存储的数据,前后加上特定的帧头($)、帧尾(*)以及异或校验,在存储时,先遍历系统设置存储单元,找到值全为0xff的起始地址,从该地址开始写入,如果该地址超过系统设置的存储单元地址,那么擦除整个块,再从头写入等。本发明达到能够最大化的使用flash的块单元,仅在整个块写满后才擦除,达到磨损均衡的效果;即使在写入过程中外部断电,也仅仅丢失当前一次的写入结果,之前的结果仍然保留,达到断电保存的效果;且在系统设置的存储单元大小一定时,能够大幅度的提高使用寿命。
  • 3D NAND闪速存储器的擦除方法-202211100545.0
  • 李昌炫;张超;李海波 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-08-27 - 2023-06-23 - G11C16/16
  • 公开了三维(3D)存储器件的擦除方法的实施方式。3D存储器件包括:垂直地堆叠在衬底之上的多个层级,其中,每个层级包括多个存储器单元。擦除方法包括:检查擦除抑制层级的多个存储器单元的状态,并根据多个存储器单元的状态来准备擦除抑制层级。擦除方法还包括:在阵列公共源极处施加擦除电压,在擦除抑制层级的未选定字线上施加保持‑释放电压,并在目标层级的选定字线上施加低电压。
  • 存储器装置和具有存储器装置的存储器系统-201811364015.0
  • 洪志满;金台勋 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-11-16 - 2023-06-13 - G11C16/16
  • 本发明提供了一种存储器装置和包括该存储器装置的存储器系统。该存储器装置可包括:存储块,包括多个存储器单元;外围电路,对存储器单元执行选择性擦除操作;以及控制逻辑,在选择性擦除操作期间,控制外围电路以将擦除允许电压施加到存储块中的多个字线之中的所选择字线,将擦除电压施加到存储块中的多个串之中的所选择串,并且浮置未选择字线和未选择串。
  • 半导体器件-202211475346.8
  • 徐贤 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-23 - 2023-05-26 - G11C16/16
  • 一种半导体器件包括单元区域和外围电路区域,所述单元区域包括:堆叠在衬底上的多条字线;至少一条接地选择线,其位于所述多条字线与所述衬底之间;和多个通道结构,其穿过所述多条字线和所述至少一条接地选择线,所述外围电路区域包括控制所述单元区域的外围电路。所述外围电路在第一编程时间期间向所述至少一条接地选择线输入第一接地选择偏置电压、以向从所述多条字线中选择的编程字线输入第一编程电压,并且在第二编程时间期间向所述至少一条接地选择线输入大小与所述第一接地选择偏置电压的大小不同的第二接地选择偏置电压以输入第二编程电压,所述第二编程电压与所述第一编程电压不同。
  • 使用多种类型的写入操作清除存储器块-202210053502.5
  • N·德尔加托 - 美光科技公司
  • 2022-01-18 - 2023-05-02 - G11C16/16
  • 本申请案是针对使用多种类型的写入操作清除存储器块。每当接收到写入命令时可使计数器递增。响应于所述计数器达到阈值,所述计数器可重置且旗标可经设置。每当将要发生存储器块的清除时,可检查所述旗标。如果所述旗标经设置,那么可使用第二类型的清除操作清除所述存储器块,所述第二类型的清除操作例如使用强制写入方法的清除操作。否则,可使用第一类型的清除操作清除所述存储器块,所述第一类型的清除操作例如使用正常写入方法的清除操作。一旦经设置,便可在使用所述第二类型的清除操作清除一或多个存储器块之后重置所述旗标。
  • 半导体存储器装置的擦除控制器和半导体存储器装置-201711083163.0
  • 车相彦;柳睿信 - 三星电子株式会社
  • 2017-11-07 - 2023-04-18 - G11C16/16
  • 提供一种半导体存储器装置的擦除控制器和半导体存储器装置。一种半导体存储器装置的擦除控制器包括擦除地址产生器和弱码字地址产生器。擦除地址产生器在第一擦除模式下产生针对多个存储体阵列中的第一存储体阵列中的所有码字的擦除地址。擦除地址与正常擦除操作相关联,并响应于内部擦除信号和擦除命令而改变。弱码字地址产生器在第二擦除模式下产生针对第一存储体阵列中的弱码字的弱码字地址。弱码字地址与弱擦除操作相关联,并响应于内部擦除信号而产生。
  • 执行块编程的半导体设备及其操作方法-202210894480.5
  • 高相圭;刘荣旻 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-27 - 2023-04-04 - G11C16/16
  • 提供了一种半导体设备的操作方法,该半导体设备包括控制器和在控制器的控制下操作的非易失性存储器件。该操作方法包括:由控制器确定非易失性存储器件是否满足块编程条件;基于非易失性存储器件满足块编程条件,多次执行块编程操作;以及基于非易失性存储器件不满足块编程条件,执行擦除操作。
  • 存储器装置的快速可靠性扫描-202210856999.4
  • S·谢里菲·德黑兰尼;V·P·拉亚普鲁 - 美光科技公司
  • 2022-07-20 - 2023-04-04 - G11C16/16
  • 本公开涉及存储器装置的快速可靠性扫描。包含针对不同块类型的块集中的特定块执行快速可靠性扫描的技术。所述块集中的每个块包含物理存储器装置的存储器页。标识所述块的所述页的子集。通过针对折叠条件扫描所述块的所述多个页的所述子集来扫描所述块。确定所述多个页的所述子集中的页具有所述折叠条件。在已扫描所述块集之后,请求对包含已确定为具有所述折叠条件的所述页的所述块进行折叠。
  • 半导体存储装置及数据抹除方法-202210149728.5
  • 大瀬良真一;大槻纯人;东知辉;宗勇树 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-02-18 - 2023-03-24 - G11C16/16
  • 本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及数据抹除方法。实施方式的半导体存储装置具备:多个串,依序包含第1选择晶体管、多个存储单元晶体管、及第2选择晶体管;多个字线,分别连接于所述多个串的同一行的所述存储单元晶体管;位线,共通地连接于所述多个串的端部;源极线,共通地连接于所述多个串的另一端部;及控制电路,进行所述多个存储单元晶体管的擦除动作;且所述控制电路在所述擦除动作中,对所述多个串中的每一个实施使施加到所述第1选择晶体管的栅极的第1电压的施加时间变化的第1处理及使施加到所述第1选择晶体管的栅极的所述第1电压的电压变化的第2处理中的至少一个。
  • 三维存储器器件擦除操作-202180000743.7
  • 夏仕钰;许锋;靳磊;远杰;谢学准;陈文强 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-03-10 - 2023-02-28 - G11C16/16
  • 本公开的实施方式提供了3D存储器器件和用于操作3D存储器器件的方法。在示例中,3D存储器器件包括多个存储器层和在多个存储器层之间的虚设存储器层,以及NAND存储器串,NAND存储器串延伸穿过存储器层和虚设存储器层。NAND存储器串包括源极、漏极以及在与多个存储器层的交叉处并且在源极与漏极之间的多个存储器单元。3D存储器器件还包括外围电路,外围电路被配置为擦除多个存储器单元。为了擦除多个存储器单元,外围电路包括字线驱动电路,字线驱动电路被配置为在虚设存储器层上施加正偏置电压。
  • 顺序写入存储器装置的块分配和擦除技术-202210863822.7
  • A·巴德瓦杰 - 美光科技公司
  • 2022-07-21 - 2023-02-03 - G11C16/16
  • 本申请涉及顺序写入存储器装置的块分配和擦除技术。维持多个区域复位计数器和全局复位计数器。区域复位计数器表示已复位存储器装置的相应区域的次数。所述全局复位计数器表示所述多个区域复位计数器的集中趋势的度量。接收指向所述存储器装置的目标区域的写入命令,且响应于确定所述目标区域的目标部分不开放,将所述目标区域的所述区域复位计数器的值与所述全局复位计数器的值进行比较。如果所述目标区域复位计数器的所述值等于或超过所述全局复位计数器的所述值,那么将来自空闲块列表的部分分配到所述目标区域。所分配部分在空闲块列表中的一或多个部分当中具有最高编程擦除计数。
  • 存储器装置中的部分块擦除操作-202210729702.8
  • V·莫斯基亚诺;S·S·瑞胡那森;陈海欧;W·迪·弗朗西斯可 - 美光科技公司
  • 2022-06-24 - 2022-12-27 - G11C16/16
  • 描述了用于执行部分块擦除操作的系统和方法。一种实例存储器装置包括:存储器阵列,其包括电耦合到多个字线的多个存储器单元;以及控制器,其耦合到所述存储器阵列,所述控制器执行包括以下各项的操作:在存储器装置中识别包括多个存储器单元的块;在所述块中估计具有预定义编程状态的页的数目;基于具有所述预定义编程状态的页的所述数目而确定待应用于所述块的擦除验证电压;致使相对于所述块执行擦除操作;以及致使使用所述擦除验证电压来相对于所述块执行擦除验证操作。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top