专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种串行EEPROM存储器验证系统及验证方法-CN202310923418.9在审
  • 刘强;赵五喜;黄运隆;张杨钧;高愿 - 西安太乙电子有限公司;北京控制与电子技术研究所
  • 2023-07-25 - 2023-10-24 - G11C16/10
  • 本发明公开了一种串行EEPROM存储器验证系统及验证方法,包括:通过分析待测器件的应用场景和器件特性预设上位机流程控制程序;并通过电装配试验验证待测器件装联适应性;将主控区的待测器件输出信息传至待测区的待测器件内;对待测器件写入读出功能及电源电压范围验证功能性能测试完整性;对装配好的主控区和待测区进行器件环境适应性验证;对验证数据和结论进行分析,得到待测器件成熟度等级和可用度等级;本发明针对性的验证评价器件板级电装联性能和板级的功能、性能及器件在板级工作状态下的热学、力学环境适应性能,更接近于实际应用工况,更具有针对性,能有效的提前暴露器件在板应用的薄弱环节和异常性能,有利于促进器件的推广和应用。
  • 一种串行eeprom存储器验证系统方法
  • [发明专利]一种增加EEPROM使用寿命的方法-CN202310938816.8在审
  • 王进丁;王正中;胡勇杰;朱云飞 - 昌辉汽车电气系统(安徽)有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-10-24 - G11C16/10
  • 本发明提供在第一次保存新数据前,先将EEPROM所有存储单元赋值为初始值,并定义变量addr用于保存地址值;在第一次保存数据时,遍历EEPROM的所有存储单元,此时所有存储单元中的数据均为初始值,并将addr赋值为变量数值,再将需要保存的数据保存到该addr处;在后续的每一次保存数据时,均先遍历EEPROM的存储单元,找出数据不为初始值的地址值,将addr赋值为该地址值,将addr处的存储单元重置为初始值,并将该addr重新赋值为(addr+1)%256,再将需要保存的数据保存到该addr处。本发明增加了EEPROM的写入和擦除的寿命限制。
  • 一种增加eeprom使用寿命方法
  • [发明专利]存储器件及其多遍编程操作-CN202180001045.9有效
  • 张超;李跃平;李海波 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-03-30 - 2023-10-20 - G11C16/10
  • 在某些方面中,一种存储器件包括:具有多行存储单元的存储单元阵列;分别耦合至多行存储单元的字线;以及通过字线耦合至存储单元阵列的外围电路。每个存储单元被配置为将N位数据段存储在2N个级中的一个级中,其中,N是大于1的整数。该级对应于2N个N位数据段中的一个N位数据段。外围电路被配置为在第一遍中对一行目标存储单元编程,从而基于将存储在目标存储单元中的N位数据段将该行目标存储单元中的每个编程到2N/m个中间级中的一个中间级中,其中,m是大于1的整数。外围电路还被配置为在第一遍之后的第二遍中对该行目标存储单元编程,从而基于将存储在目标存储单元中的N位数据段将每个目标存储单元编程到2N个级中的一个级中。
  • 存储器件及其编程操作
  • [发明专利]数据存取性能塑形的方法、存储器控制器、存储器装置以及电子装置-CN202310279154.8在审
  • 汪开红;易城 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2023-03-21 - 2023-10-17 - G11C16/10
  • 本发明涉及一种用以进行存储器装置的数据存取性能塑形的方法、存储器装置的存储器控制器、存储器装置以及电子装置。该存储器装置数据存取性能塑形的方法包含:自一主机装置接收多个主机命令,以根据多个主机命令来对一非挥发性存储器进行数据存取;以及利用一双状态漏水桶模型来监控多个主机命令,以控制存储器装置的多个存取控制群组的各自的性能指标,其中针对任一存取控制群组,例如:根据至少一第一命令来决定至少一第一性能指标,以作为一双状态漏水桶的一第一漏水桶水位;以及因应第一漏水桶水位低于一状态门槛,将双状态漏水桶判断为在一第一预定状态中,并配置双状态漏水桶以具有一第一预定流率,以动态调整性能配额。
  • 数据存取性能方法存储器控制器装置以及电子
  • [发明专利]以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备-CN202310899903.7在审
  • R·N·哈斯布恩;T·M·霍利斯;J·P·莱特;D·D·甘斯 - 美光科技公司
  • 2018-08-31 - 2023-10-13 - G11C16/10
  • 本申请案是针对以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备。描述用于以堆叠存储器裸片传送数据的方法、系统和装置。第一半导体裸片可使用包含表示一个数据位的两个信号电平的二进制符号信号与外部计算装置通信。半导体裸片可堆叠在彼此之上且包含内部互连件(例如,硅穿孔)以中继基于所述二进制符号信号产生的内部信号。所述内部信号可为使用包含三个或更多个电平来表示多于一个数据位的调制方案调制的多符号信号。所述多电平符号信号可简化所述内部互连件。第二半导体裸片可经配置以接收且重新发射所述多电平符号信号到定位于所述第二半导体裸片上方的半导体裸片。
  • 堆叠存储器传送数据方法设备
  • [发明专利]半导体存储器装置、控制器、存储装置及其操作方法-CN201910958061.1有效
  • 洪志满 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-10-10 - 2023-10-10 - G11C16/10
  • 本公开涉及一种控制器。该控制器控制半导体存储器装置的操作。该控制器包括擦除页面搜索控制器、命令生成器和数据接收器。擦除页面搜索控制器确定半导体存储器装置的搜索模式,基于该搜索模式在多个页面之中选择待搜索页面,并且生成对应于所选择页面的搜索控制信号。命令生成器基于搜索控制信号生成针对所选择页面的搜索读取命令。数据接收器从半导体存储器装置接收对应于搜索读取命令的搜索读取数据。搜索读取命令是用于控制半导体存储器装置通过将读取电压施加到包括对应于所选择页面的字线的多个字线来执行读取操作的命令。
  • 半导体存储器装置控制器存储及其操作方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202310186009.5在审
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2023-03-01 - 2023-09-26 - G11C16/10
  • 本发明提供一种已改善数据处理效率的半导体装置,其包括:存储单元阵列,包括两个平面;控制器,能够对两个平面的读取动作及编程动作进行控制;两个锁存器,能够保持从一平面读取的数据或应编程至一平面的数据;及两个锁存器,能够保持从另一平面读取的数据或应编程至另一平面的数据,控制器在根据从外部输入的同时命令进行一平面的编程动作时,能够进行另一平面的读取动作。
  • 半导体装置

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