专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]包含多个选择门及不同偏压条件的存储器装置-CN201780051654.9有效
  • 合田晃;刘海涛;李昌炫 - 美光科技公司
  • 2017-06-15 - 2023-08-29 - H10B41/35
  • 一些实施例包含使用串联耦合于导电线与存储器装置的第一存储器单元串之间的第一及第二选择门以及串联耦合于所述导电线与所述存储器装置的第二存储器单元串之间的第三及第四选择门的设备及方法。所述存储器装置可包括第一选择线、第二选择线、第三选择线及第四选择线以在所述存储器装置的操作期间分别将第一电压、第二电压、第三电压及第四电压分别提供到所述第一选择门、所述第二选择门、所述第三选择门及所述第四选择门。所述第一电压及所述第二电压可具有相同值。所述第三电压及所述第四电压可具有不同值。
  • 包含选择不同偏压条件存储器装置
  • [发明专利]机器人清扫器-CN202080023084.4有效
  • 孙兵坤;崔奎天;宋永国;李昌炫 - LG电子株式会社
  • 2020-03-04 - 2023-08-25 - A47L9/28
  • 本发明公开一种机器人清扫器,其包括:清扫器主体,其具备控制部;第一传感部,其从上述清扫器主体的上表面突出而配置,向上述清扫器主体的周边照射激光而感测位于上述清扫器主体的周边的障碍物;第二传感部,其相对于上述清扫器主体的上侧角部部分的侧面和上表面分别倾斜地配置,对上述清扫器主体的侧面方向和上方同时进行拍摄;第三传感部,其配置在上述清扫器主体的前表面,利用向上述清扫器主体的前方周边发送超声波之后反射来的超声波而感测位于上述清扫器主体的前方周边的障碍物;及第四传感部,其配置在上述清扫器主体的前表面而对上述清扫器主体的前方进行拍摄。
  • 机器人清扫
  • [发明专利]具有垂直沟道结构的半导体器件及其制造方法-CN201910951061.9有效
  • 李昌炫;朴镇泽;朴泳雨 - 三星电子株式会社
  • 2014-08-29 - 2023-07-07 - H10B43/35
  • 本发明提供具有垂直沟道结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括:在衬底上交替地形成多个牺牲层和多个绝缘层,多个牺牲层包括第一牺牲层和在第一牺牲层上的多个第二牺牲层,多个第二牺牲层包括与第一牺牲层的材料不同的材料;形成穿过多个牺牲层和多个绝缘层的沟道孔以暴露衬底的顶表面;在沟道孔的内壁上形成侧壁保护层;形成填充沟道孔的底部的沟道接触层,其中沟道接触层的顶表面位于比多个第二牺牲层当中的最下面的第二牺牲层的底表面低的水平处;完全去除侧壁保护层;在沟道孔的内壁上形成接触沟道接触层的沟道层;去除第一牺牲层;以及在第一牺牲层被去除的位置处形成第一栅电极。
  • 具有垂直沟道结构半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]垂直存储器件-CN201910678901.9有效
  • 李昌炫 - 三星电子株式会社
  • 2015-02-03 - 2023-07-04 - H10B43/27
  • 本发明公开了垂直存储器件。根据示例实施方式,一种垂直存储器件包括在下绝缘层上的低电阻层、在低电阻层上的沟道层、在沟道层上的多个垂直沟道、以及多个栅线。垂直沟道在相对于沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅线围绕垂直沟道的外侧壁,并且在第一方向上层叠并且彼此间隔开。
  • 垂直存储器件
  • [发明专利]用于NAND存储操作的架构和方法-CN202180001860.5有效
  • 李昌炫 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-06-04 - 2023-04-28 - G11C16/08
  • 在一种用于对存储单元串进行编程的方法中,在选定的字线上施加编程电压以对存储单元串中的选定的存储单元进行编程。将第一通过电压施加在耦合到存储单元中的第一存储单元的第一字线上。将第二通过电压施加在耦合到存储单元中的第二存储单元的第二字线上。此外,将第三通过电压施加在耦合到存储单元中的第三存储单元的第三字线上。第一、第二和第三存储单元位于存储单元串中的选定的存储单元的第一侧,并且第二存储单元设置在第一存储单元和第三存储单元之间。第二通过电压高于第一通过电压和第三通过电压。
  • 用于nand存储操作架构方法

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